chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip IC SAMSUNG

Chip Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

Chip Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Tên thương hiệu:	Samsung
Số mô hình:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100 chiếc
Chi tiết đóng gói:	100
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

Tên sản phẩm:

SAMSUNG

người mẫu:

K4A4G165WF-BCTD000

Tỉ trọng:

Tốc độ:

2666 Mb/giây

Điện áp:

1,2 V

Nhiệt độ:

0 ~ 85°C

Bưu kiện:

96FBGA

Khả năng cung cấp:

10000

Làm nổi bật:

K4A4G165WF-BCTD000

Chip Samsung K4A4G165WF

96FBGA Chip Samsung

Mô tả sản phẩm

Chip IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

chỉ x16

96FBGA có Chì-Miễn phí & Halogen-Miễn phí

(Tuân thủ RoHS)

TÍNH NĂNG CHÍNH

• Tiêu chuẩn JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK cho 1600Mb/giây/chân, 933 MHz fCK cho 1866Mb/giây/chân,

1067MHz fCK cho 2133Mb/giây/chân, 1200MHz fCK cho 2400Mb/giây/chân,

1333MHz fCK cho 2666Mb/giây/chân, 1600MHz fCK cho 3200Mb/giây/chân

• 8 Bank (2 Nhóm Bank)

• Độ trễ CAS có thể lập trình (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Độ trễ ghi CAS có thể lập trình (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) và 16,20 (DDR4-3200)

• Tiền nạp 8 bit

• Độ dài Burst: 8, 4 với tCCD = 4 không cho phép đọc liền mạch

hoặc ghi [hoặc Bật theo thời gian thực bằng A12 hoặc MRS]

• Cặp Dữ liệu-Đồng bộ Vi sai Hai chiều

• Hiệu chuẩn (tự) nội bộ: Hiệu chuẩn tự nội bộ qua chân ZQ

(RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Kết thúc trên Die sử dụng chân ODT

• Chu kỳ làm mới Trung bình 7.8us ở dưới TCASE 85C, 3.9us ở

85C < TCASE < 95 C

• Đặt lại không đồng bộ

• Gói: 96 bóng FBGA - x16

• Tất cả các sản phẩm Không chì đều tuân thủ RoHS

• Tất cả các sản phẩm đều không chứa Halogen

• CRC (Kiểm tra dự phòng tuần hoàn) cho bảo mật dữ liệu Đọc/Ghi

• Kiểm tra chẵn lẻ địa chỉ lệnh

• DBI (Đảo ngược Bus Dữ liệu)

• Chế độ Gear down

• Giao diện POD (Pseudo Open Drain) cho đầu vào/đầu ra dữ liệu

• VREF nội bộ cho đầu vào dữ liệu

• VPP bên ngoài cho Nguồn cấp Kích hoạt DRAM

• Hỗ trợ hPPR

Thiết bị DDR4 SDRAM F-die 4Gb được tổ chức thành 32Mbit x 16 I/O x 8 bank

thiết bị. Thiết bị đồng bộ này đạt được tốc độ truyền dữ liệu hai tốc độ cao

lên đến 3200Mb/giây/chân (DDR4-3200) cho các ứng dụng chung.

Thiết bị được thiết kế để tuân thủ các tính năng DDR4 SDRAM chính sau đây

như posted CAS, CWL có thể lập trình, Hiệu chuẩn (Tự) nội bộ,

Kết thúc trên Die sử dụng chân ODT và Đặt lại không đồng bộ.

Tất cả các đầu vào điều khiển và địa chỉ được đồng bộ hóa với một cặp đồng hồ vi sai được cung cấp bên ngoài.

Đầu vào được chốt tại điểm giao nhau của đồng hồ vi sai (CK tăng và CK giảm). Tất cả I/O được đồng bộ hóa với một cặp tín hiệu đồng bộ hai chiều (DQS và DQS) theo kiểu đồng bộ nguồn.

Bus địa chỉ được sử dụng để truyền thông tin địa chỉ hàng, cột và bank

theo kiểu ghép kênh RAS/CAS. Thiết bị DDR4 hoạt động

với một nguồn cung cấp 1.2V (1.14V~1.26V) duy nhất, 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ

và 2.5V (2.375V~2.75V) V

PP.

Thiết bị DDR4 F-die 4Gb có sẵn trong các gói FBGA 96 bóng (x16).

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

Chip Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI