تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق سامسونج

رقائق سامسونج K4A4G165WF 4 جيجابايت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 فولت

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

رقائق سامسونج K4A4G165WF 4 جيجابايت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 فولت

اسم العلامة التجارية:	Samsung
رقم الموديل:	K4A4G165WF-BCTD000
موك:	100 قطعة
تفاصيل التغليف:	100
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

اسم المنتج:

سامسونج

نموذج:

K4A4G165WF-BCTD000

كثافة:

4 غيغابايت

سرعة:

2666 ميجابت في الثانية

الجهد االكهربى:

1.2 فولت

درجة حرارة:

0 ~ 85 درجة مئوية

طَرد:

96فبجا

القدرة على العرض:

10000

إبراز:

K4A4G165WF-BCTD000

رقائق سامسونج K4A4G165WF

96FBGA رقائق سامسونج

وصف المنتج

رقائق IC سامسونج K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2 فولت

4 جيجابايت F-die DDR4 SDRAM

x16 فقط

96FBGA خالية من الرصاص و خالية من الهالوجين

(متوافق مع RoHS)

الخصائص الرئيسية

• معيار JEDEC 1.2V (1.14V ~ 1.26V)

• VDDQ= 1.2 فولت (1.14 فولت ~ 1.26 فولت)

• VPP= 2.5 فولت (2.375 فولت ~ 2.75 فولت)

•800 ميغاهرتز f(سي كيه)لـ 1600Mb/sec/pin، 933 MHz f(سي كيه)لـ 1866Mb/sec/pin،

1067 ميغا هرتز f(سي كيه)لـ 2133Mb/sec/pin، 1200MHz f(سي كيه)لـ 2400Mb/sec/pin،

1333 ميغاهرتز f(سي كيه)لـ 2666Mb/sec/pin, 1600 ميغاهرتز f(سي كيه)لـ 3200Mb/sec/pin

• 8 بنوك (2 مجموعة بنكية)

• تأخير CAS القابل للبرمجة:

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• تأخر كتابة CAS القابل للبرمجة (CWL) = 9,11 (DDR4-1600) ، 1012

(DDR4-1866) ،1114 (DDR4-2133) ،12،16 (DDR4-2400) ، 14,18 (DDR4-

2666) و 16,20 (DDR4-3200)

• تحميل قبل 8 بتات

• طول الانفجار: 8، 4 مع tCCD = 4 الذي لا يسمح بقراءة سلسة

أو كتابة [إما على متن الطائرة باستخدام A12 أو MRS]

• شريط بيانات التفاضل الثنائي الاتجاه

• المعايرة الداخلية: المعايرة الداخلية الذاتية من خلال دبوس ZQ

(RZQ: 240 ohm ± 1%)

• عند إنهاء المقطورة باستخدام دبوس ODT

• متوسط فترة التجديد 7.8us عند أقل من Tالقضية85‬‬C، 3.9us عند

85‬‬C < Tالقضية< 95‬‬ج

• إعادة ضبط غير متزامنة

• حزمة: 96 كرة FBGA - x16

• جميع المنتجات الخالية من الرصاص متوافقة مع RoHS

• جميع المنتجات خالية من الهالوجين

• CRC (تحقق من الاضافات الدورية) لأمن البيانات القراءة / الكتابة

• فحص تعادل عنوان الأوامر

• DBI (تحويل حافلة البيانات)

• وضع التروس

• واجهة POD (Pseudo Open Drain) لدخول البيانات / إخراجها

• إطار إدارة البيانات الداخلية لمدخلات البيانات

• VPP الخارجي للطاقة تنشيط DRAM

• يتم دعم hPPR

يتم تنظيم 4Gb DDR4 SDRAM F-die كـ 32Mbit x 16 I/O x 8بانك

هذا الجهاز المتزامن يحقق سرعة عالية

معدلات نقل تصل إلى 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) للتطبيقات العامة

المواضيع

تم تصميم الشريحة لتتوافق مع المفتاح التالي DDR4 SDRAM fea

طرق مثل CAS المنشورة، CWL قابلة للبرمجة، المعايرة الداخلية (الذاتية) ،

في إيقاف الموت باستخدام دبوس ODT وإعادة ضبط غير متزامنة.

جميع مدخلات التحكم والعنوان متزامنة مع زوج من

ساعات التفاضل المقدمة بشكل عام. يتم إغلاق المدخلات في نقطة التقاطع

الساعات الفيرنسية (CK يرتفع و CK ينخفض).

زوج من أجهزة التقطير الثنائية الاتجاه (DQS و DQS) في فاش متزامن المصدر

يستخدم حافلة العناوين لنقل الصف والعمود وعنوان البنك

معلومات في نمط RAS/CAS multiplexing.

مع مصدر طاقة واحد 1.2V (1.14V ~ 1.26V) ، 1.2V ((1.14V ~ 1.26V) VDDQ

و 2.5 فولت (2.375 فولت ~ 2.75 فولت) VPP.

الجهاز 4Gb DDR4 F-die متوفر في 96ball FBGA ((x16).

العلامات:

رقائق سامسونج NT5AD512M16C4-JR ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة DDR4 C-Die بسعة 8 جيجابت بجهد 1.2 فولت تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية

احصل على أفضل سعر

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت

احصل على أفضل سعر

K4AAG085WC-BCWE000 سامسونج رقائق 16GB DDR4 1.2V 2400Mbps 78 كرة FBGA

احصل على أفضل سعر

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

رقائق سامسونج K4A4G165WF 4 جيجابايت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 فولت

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي