• Panjang Burst: 8, 4 dengan tCCD = 4 yang tidak memungkinkan baca
atau tulis tanpa jeda [baik On the fly menggunakan A12 atau MRS]
• Strobe Data Diferensial Bi-arah
• Kalibrasi Internal (mandiri): Kalibrasi mandiri internal melalui pin ZQ
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Terminasi Pada Die menggunakan pin ODT
• Periode Refresh Rata-rata 7.8us pada suhu lebih rendah dari TCASE 85C, 3.9us pada
85C < TCASE < 95 C
• Reset Asinkron
• Paket: 96 bola FBGA - x16
• Semua produk Bebas Timbal sesuai dengan RoHS
• Semua produk bebas Halogen
• CRC (Cyclic Redundancy Check) untuk keamanan data Baca/Tulis
• Pemeriksaan paritas alamat perintah
• DBI (Data Bus Inversion)
• Mode Gear down
• Antarmuka POD (Pseudo Open Drain) untuk input/output data
• VREF Internal untuk input data
• VPP Eksternal untuk Daya Aktivasi DRAM
• hPPR didukung
DDR4 SDRAM F-die 4Gb diorganisir sebagai perangkat
32Mbit x 16 I/O x 8bank. Perangkat sinkron ini mencapai kecepatan transfer
data ganda dua kali lipat yang tinggi hingga 3200Mb/detik/pin (DDR4-3200) untuk aplikasi umum.
Chip ini dirancang untuk mematuhi fitur-fitur utama DDR4 SDRAM berikut seperti posted CAS, CWL yang Dapat Diprogram, Kalibrasi Internal (Mandiri),
Terminasi Pada Die menggunakan pin ODT, dan Reset Asinkron.
Semua input kontrol dan alamat disinkronkan dengan sepasang clock diferensial yang dipasok eksternal. Input dikunci pada titik persilangan clock diferensial (CK naik dan CK turun). Semua I/O disinkronkan dengan sepasang strobe dua arah (DQS dan DQS) dalam mode sinkron sumber. Bus alamat digunakan untuk menyampaikan informasi alamat baris, kolom, dan bank
dalam gaya multiplexing RAS/CAS. Perangkat DDR4 beroperasi
dengan satu catu daya 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V
DDQ
dan 2.5V (2.375V~2.75V) V
PP
.
Perangkat DDR4 F-die 4Gb tersedia dalam FBGA 96 bola (x16).