logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip IC SAMSUNG
Created with Pixso.

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Nama Merek: Samsung
Nomor Model: K4A4G165WF-BCTD000
MOQ: 100 buah
Detail Kemasan: 100
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
Nama Produk:
Samsung
model:
K4A4G165WF-BCTD000
Kepadatan:
4 GB
Kecepatan:
2666Mbps
Voltase:
1.2V
Suhu:
0 ~ 85 °C
Kemasan:
96FBGA
Menyediakan kemampuan:
10.000
Menyoroti:

K4A4G165WF-BCTD000

,

Samsung Chips K4A4G165WF

,

96FBGA Samsung Chips

Deskripsi Produk

Chip IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

 

4Gb F-die DDR4 SDRAM
hanya x16
96FBGA dengan Bebas Timbal & Bebas Halogen
(Sesuai RoHS)
 
FITUR UTAMA
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
• Standar JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)
• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)
• V = 2.5V (2.375V~2.75V)
• 800 MHz fCK untuk 1600Mb/detik/pin, 933 MHz fCK untuk 1866Mb/detik/pin,
1067MHz fCK untuk 2133Mb/detik/pin, 1200MHz fCK untuk 2400Mb/detik/pin,
1333MHz fCK untuk 2666Mb/detik/pin, 1600MHz fCK untuk 3200Mb/detik/pin
• 8 Bank (2 Grup Bank)
• Latensi CAS yang Dapat Diprogram (posted CAS):
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24
• Latensi Tulis CAS yang Dapat Diprogram (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12
(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-
2666) dan 16,20 (DDR4-3200)
• Pra-ambil 8-bit
• Panjang Burst: 8, 4 dengan tCCD = 4 yang tidak memungkinkan baca
atau tulis tanpa jeda [baik On the fly menggunakan A12 atau MRS]
• Strobe Data Diferensial Bi-arah
• Kalibrasi Internal (mandiri): Kalibrasi mandiri internal melalui pin ZQ
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Terminasi Pada Die menggunakan pin ODT
• Periode Refresh Rata-rata 7.8us pada suhu lebih rendah dari TCASE 85C, 3.9us pada
85C < TCASE < 95 C 
• Reset Asinkron
• Paket: 96 bola FBGA - x16
• Semua produk Bebas Timbal sesuai dengan RoHS
• Semua produk bebas Halogen
• CRC (Cyclic Redundancy Check) untuk keamanan data Baca/Tulis
• Pemeriksaan paritas alamat perintah
• DBI (Data Bus Inversion)
• Mode Gear down
• Antarmuka POD (Pseudo Open Drain) untuk input/output data
• VREF Internal untuk input data
• VPP Eksternal untuk Daya Aktivasi DRAM
• hPPR didukung
DDR4 SDRAM F-die 4Gb diorganisir sebagai perangkat
32Mbit x 16 I/O x 8bank. Perangkat sinkron ini mencapai kecepatan transfer
data ganda dua kali lipat yang tinggi hingga 3200Mb/detik/pin (DDR4-3200) untuk aplikasi umum.
Chip ini dirancang untuk mematuhi fitur-fitur utama DDR4 SDRAM berikut seperti posted CAS, CWL yang Dapat Diprogram, Kalibrasi Internal (Mandiri),
Terminasi Pada Die menggunakan pin ODT, dan Reset Asinkron.
Semua input kontrol dan alamat disinkronkan dengan sepasang clock diferensial yang dipasok eksternal. Input dikunci pada titik persilangan clock diferensial (CK naik dan CK turun). Semua I/O disinkronkan dengan sepasang strobe dua arah (DQS dan DQS) dalam mode sinkron sumber. Bus alamat digunakan untuk menyampaikan informasi alamat baris, kolom, dan bank
dalam gaya multiplexing RAS/CAS. Perangkat DDR4 beroperasi
dengan satu catu daya 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V
DDQ
dan 2.5V (2.375V~2.75V) V
PP
.
Perangkat DDR4 F-die 4Gb tersedia dalam FBGA 96 bola (x16).
 
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V