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K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Markenname:	Samsung
Modellnummer:	K4A4G165WF-BCTD000
Mindestbestellmenge:	100 Stück
Verpackungsdetails:	100
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Samsung

Modell:

K4A4G165WF-BCTD000

Dichte:

Geschwindigkeit:

2666 Mbps

Stromspannung:

1,2 V

Temperatur:

0 ~ 85 °C

Paket:

96FBGA

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

10000

Hervorheben:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Produktbeschreibung

Samsung IC-Chips K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1,2 V

4 GB F-Die DDR4 SDRAM

Nur x16

96FBGA ohne Blei und ohne Halogen

(RoHS-konform)

Schlüsselmerkmale

• JEDEC-Standard 1,2 V (1,14 V bis 1,26 V)

• VDDQ= 1,2 V (1,14 V bis 1,26 V)

• VPP= 2,5 V (2,375 V bis 2,75 V)

•800 MHz fCKfür 1600 Mb/s/Pin,933 MHz fCKfür 1866Mb/sec/pin,

1067 MHz fCKfür 2133Mb/s/Pin, 1200MHz fCKfür 2400Mb/s/Pin,

1333MHz fCKfür 2666Mb/sec/Pin, 1600 MHz fCKfür 3200Mb/sec/Pin

• 8 Banken (2 Bankengruppen)

• Programmierbare CAS-Latenz (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Programmierbare CAS-Schreibverzögerung (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) und 16,20 (DDR4-3200)

• 8-Bit-Pre-Fetch

• Burst-Länge: 8, 4 bei tCCD = 4, was eine nahtlose Ablesung nicht zulässt

oder schreiben [entweder auf der Flucht mit A12 oder MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• Interne (Selbst) Kalibrierung: Interne Selbstkalibrierung durch ZQ-Pin

(RZQ: 240 Ohm ± 1%)

• Anhand von ODT-Pins

• Durchschnittliche Auffrischungsdauer 7,8us bei weniger als TRechtsmittel85- Ich weiß.C, 3,9 us bei

85- Ich weiß.C < TRechtsmittel< 95- Ich weiß.C

• Asynchrone Neustellung

• Paket: 96 Kugeln FBGA - x16

• Alle bleifreien Produkte sind RoHS-konform

• Alle Produkte sind halogenfrei

• CRC (Cyclic Redundancy Check) für die Datensicherheit für Lesen/Schreiben

• Paritätsprüfung der Kommandoadresse

• DBI (Datenbus-Inversion)

• Ausfallmodus

• POD-Schnittstelle (Pseudo Open Drain) für Dateneingabe/Ausgabe

• Interne VREF für Dateneingaben

• Externe VPP für die DRAM-Aktivierung

• hPPR wird unterstützt

Die 4Gb DDR4 SDRAM F-die ist als 32Mbit x 16 I/Os x 8 Banken organisiert

Dieses synchrone Gerät erzielt eine hohe Geschwindigkeitsdoppeldatenübertragung

Übertragungsraten von bis zu 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) für allgemeine Anwendungen

Die Kommission hat

Der Chip ist so konzipiert, dass er den folgenden Schlüsseln entspricht:

Verfahren wie beispielsweise das veröffentlichte CAS, das programmierbare CWL, die interne (selbst-) Kalibrierung,

Die Termination mit ODT-Pin und Asynchronous Reset.

Alle Steuerungs- und Adress-Eingänge sind mit einem externen

Die Eingänge werden an der Kreuzung der unterschiedlichen

Alle E/A werden mit einem

mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W

Der Adressbus wird verwendet, um Zeile, Spalte und Bankadresse zu übermitteln

Das DDR4-Gerät arbeitet

mit einer Leistung von 1,2 V (1,14 V~1,26 V), 1,2 V (~1,14 V~1,26 V) VDDQ

und 2,5 V (2,375 V bis 2,75) VPP.

Das 4Gb DDR4 F-Die-Gerät ist in 96ball FBGAs (x16) erhältlich.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

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