Name: K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: K4A4G165WF-BCTD000
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Samsung
Número De Modelo:	K4A4G165WF-BCTD000
Cantidad Mínima De Pedido:	100 piezas
Detalles De Embalaje:	100
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Samsung-K4A4G165WF-BCTD.pdf

Nombre del producto:

Samsung

modelo:

K4A4G165WF-BCTD000

Densidad:

4GB

Velocidad:

2666 Mbps

Voltaje:

1,2 voltios

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Paquete:

96FBGA

Capacidad de la fuente:

10000

Resaltar:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Descripción del Producto

Chips IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

SDRAM DDR4 F-die de 4Gb

solo x16

96FBGA con sin plomo y libre de halógenos

(Cumple con RoHS)

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

• Estándar JEDEC de 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• VEl dispositivo F-die DDR4 de 4Gb está disponible en FBGAs de 96 bolas (x16). = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK para 1600Mb/seg/pin, 933 MHz fCK para 1866Mb/seg/pin,

1067MHz fCK para 2133Mb/seg/pin, 1200MHz fCK para 2400Mb/seg/pin,

1333MHz fCK para 2666Mb/seg/pin, 1600MHz fCK para 3200Mb/seg/pin

• 8 Bancos (2 Grupos de Bancos)

• Latencia CAS programable (CAS publicado):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) y 16,20 (DDR4-3200)

• Pre-fetch de 8 bits

• Longitud de ráfaga: 8, 4 con tCCD = 4 que no permite lectura

o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]

• Estroboscopio de datos diferencial bidireccional

• Calibración interna (auto): Calibración interna automática a través del pin ZQ

(RZQ: 240 ohmios ± 1%)

• Terminación en chip usando el pin ODT

• Período de refresco promedio de 7.8us a menos de TCASE 85C, 3.9us a

85C < TCASE < 95 C

• Restablecimiento asíncrono

• Paquete: FBGA de 96 bolas - x16

• Todos los productos sin plomo cumplen con RoHS

• Todos los productos son libres de halógenos

• CRC (Verificación de redundancia cíclica) para seguridad de datos de lectura/escritura

• Comprobación de paridad de comandos y direcciones

• DBI (Inversión del bus de datos)

• Modo Gear down

• Interfaz POD (Pseudo Open Drain) para entrada/salida de datos

• VREF interno para entradas de datos

• VPP externo para potencia de activación de DRAM

• Se admite hPPR

El SDRAM F-die DDR4 de 4Gb está organizado como un dispositivo de 32Mbit x 16 E/S x 8 bancos

Este dispositivo síncrono logra altas velocidades de transferencia de doble velocidad de datos

de hasta 3200Mb/seg/pin (DDR4-3200) para aplicaciones generales.

El chip está diseñado para cumplir con las siguientes características clave de DDR4 SDRAM

tales como CAS publicado, CWL programable, Calibración interna (automática),

Terminación en chip usando el pin ODT y Restablecimiento asíncrono.

Todas las entradas de control y dirección se sincronizan con un par de relojes diferenciales

suministrados externamente. Las entradas se capturan en el punto de cruce de los relojes diferenciales

(CK ascendente y CK descendente). Todas las E/S se sincronizan con un par de estroboscopios bidireccionales

(DQS y DQS) en una moda de fuente síncrona. El bus de direcciones se utiliza para transmitir

información de dirección de fila, columna y banco en un estilo de multiplexación RAS/CAS. El dispositivo DDR4 opera

con una única fuente de alimentación de 1.2V (1.14V~1.26V), V

DDQ

de 1.2V(1.14V~1.26V) y VPP

de 2.5V (2.375V~2.75V). El dispositivo F-die DDR4 de 4Gb está disponible en FBGAs de 96 bolas (x16).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

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Chip LED de alta potencia

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Microprocesador del Cree LED

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chips TI

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Chip Infineon

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Chip LED de NICHIA

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