Name: NT56AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Hasta 3200Mbps
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: NT1capacidad de producción
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Samsung
Número De Modelo:	NT1capacidad de producción
Cantidad Mínima De Pedido:	100 piezas
Detalles De Embalaje:	100
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Nanya-NT5AD512M16C4-JR.pdf

Nombre del producto:

Samsung

modelo:

NT1capacidad de producción

Densidad:

8GB

Voltaje:

1.2V

Paquete:

BGA

Velocidad:

3200Mbps

Temperatura:

0~95°C

Calificación:

Comercial

Capacidad de la fuente:

10000

Resaltar:

NT1capacidad de producción

Samsung IC Chips 8Gb

DDR4 SDRAM IC Chips

Descripción del Producto

Chips IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V hasta 3200Mbps

Características

Integridad de datos

- Auto Self Refresh (ASR) por DRAM incorporado TS

- Modos Auto Refresh y Self Refresh

Ancho de banda de acceso DRAM

- Estructuras de entrada/salida separadas por grupos de bancos

- Abortar Auto Refresco

- Refresco de granularidad fina

Sincronización de señal

- Nivelación de escritura a través de configuraciones MR1

- Nivelación de lectura a través de MPR

Fiabilidad y manejo de errores

- Paridad de comando/dirección

- CRC de escritura de bus de datos

- Lectura de MPR

- Escaneo de límites (X16)

- Reparación posterior del paquete

Integridad de señal

- Entrenamiento interno de VREFDQ

- Entrenamiento de preámbulo de lectura

- Modo Gear Down

- Direccionabilidad por DRAM

- DS configurable para compatibilidad del sistema

- Terminación en chip configurable

- Inversión del bus de datos (DBI)

- Calibración ZQ para precisión de impedancia DS/ODT

a través de pad ZQ externo (240Ω± 1%)

Ahorro de energía y eficiencia

- POD con terminación VDDQ

- Latencia de comando/dirección (CAL)

- Máximo ahorro de energía

- Auto Self Refresh de baja potencia (LPASR)

Integridad de datos

- Auto Self Refresh (ASR) por DRAM incorporado TS

- Modos Auto Refresh y Self Refresh

Ancho de banda de acceso DRAM

- Estructuras de entrada/salida separadas por grupos de bancos

- Abortar Auto Refresco

- Refresco de granularidad fina

Sincronización de señal

- Nivelación de escritura a través de configuraciones MR1

- Nivelación de lectura a través de MPR

Fiabilidad y manejo de errores

- Paridad de comando/dirección

- CRC de escritura de bus de datos

- Lectura de MPR

- Escaneo de límites (X16)

- Reparación posterior del paquete

Integridad de señal

- Entrenamiento interno de VREFDQ

- Entrenamiento de preámbulo de lectura

- Modo Gear Down

- Direccionabilidad por DRAM

- DS configurable para compatibilidad del sistema

- Terminación en chip configurable

- Inversión del bus de datos (DBI)

- Calibración ZQ para precisión de impedancia DS/ODT

a través de pad ZQ externo (240Ω± 1%)

Ahorro de energía y eficiencia

- POD con terminación VDDQ

- Latencia de comando/dirección (CAL)

- Máximo ahorro de energía

- Auto Self Refresh de baja potencia (LPASR)

Funciones programables

Impedancia del controlador de salida (34/48)

Latencia de escritura CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Latencia aditiva (0/CL-1/CL-2)

Latencia de CS a comando de dirección (3/4/5/6/8)

Latencia de paridad de comando/dirección (4/5/6)

Tiempo de recuperación de escritura (10/12/14/16/18/20/24)

Tipo de ráfaga (Secuencial/Intercalado)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Preámbulo de lectura (1T/2T)

Preámbulo de escritura (1T/2T)

Longitud de ráfaga (BL8/BC4/BC4 o 8 sobre la marcha)

LPASR (Manual: Normal/Reducido/Extendido, Automático: TS)

Opciones

Grado de velocidad (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Rango de temperatura (Tc)5- Grado comercial: 0°C

~95VDD/VDDQ/VPP VDD/VDDQ/VPP

Información del paquete

Densidad y direccionamiento

Etiquetas:

La memoria de Samsung

Chips de Samsung

Samsung DDR4 SDRAM

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Detalles de los productos

NT56AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Hasta 3200Mbps

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