Name: NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Até 3200Mbps
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: NT5AD512M16C4-JR
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Samsung
Número do modelo:	NT5AD512M16C4-JR
Quantidade mínima:	100 unidades
Detalhes da embalagem:	100
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Nanya-NT5AD512M16C4-JR.pdf

Nome do produto:

Samsung

modelo:

NT5AD512M16C4-JR

Densidade:

8GB

Tensão:

1.2V

Pacote:

BGA

Velocidade:

3200Mbps

Temperatura:

0~95°C

Nota:

Comercial

Habilidade da fonte:

10.000

Destacar:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung IC Chips 8Gb

DDR4 SDRAM IC Chips

Descrição do produto

Chips IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V até 3200Mbps

Recursos

Integridade de Dados

- Auto Self Refresh (ASR) por DRAM com TS integrado

- Modos Auto Refresh e Self Refresh

Largura de Banda de Acesso DRAM

- Estruturas de gating de IO separadas por Grupos de Banco

- Abortar Self Refresh

- Refresh de Granularidade Fina

Sincronização de Sinal

- Write Leveling via configurações MR1

- Read Leveling via MPR

Confiabilidade e Tratamento de Erros

- Paridade de Comando/Endereço

- CRC de Gravação do Barramento de Dados

- Leitura MPR

- Boundary Scan (X16)

- Reparo Pós-Pacote

Integridade de Sinal

- Treinamento Interno VREFDQ

- Treinamento de Preâmbulo de Leitura

- Modo Gear Down

- Endereçabilidade por DRAM

- DS configurável para compatibilidade do sistema

- Terminação On-Die configurável

- Inversão do barramento de dados (DBI)

- Calibração ZQ para precisão de impedância DS/ODT

via pad ZQ externo (240Ω± 1%)

Economia de Energia e Eficiência

- POD com terminação VDDQ

- Latência de Comando/Endereço (CAL)

- Economia Máxima de Energia

- Auto Self Refresh de Baixa Potência (LPASR)

Integridade de Dados

- Auto Self Refresh (ASR) por DRAM com TS integrado

- Modos Auto Refresh e Self Refresh

Largura de Banda de Acesso DRAM

- Estruturas de gating de IO separadas por Grupos de Banco

- Abortar Self Refresh

- Refresh de Granularidade Fina

Sincronização de Sinal

- Write Leveling via configurações MR1

- Read Leveling via MPR

Confiabilidade e Tratamento de Erros

- Paridade de Comando/Endereço

- CRC de Gravação do Barramento de Dados

- Leitura MPR

- Boundary Scan (X16)

- Reparo Pós-Pacote

Integridade de Sinal

- Treinamento Interno VREFDQ

- Treinamento de Preâmbulo de Leitura

- Modo Gear Down

- Endereçabilidade por DRAM

- DS configurável para compatibilidade do sistema

- Terminação On-Die configurável

- Inversão do barramento de dados (DBI)

- Calibração ZQ para precisão de impedância DS/ODT

via pad ZQ externo (240Ω± 1%)

Economia de Energia e Eficiência

- POD com terminação VDDQ

- Latência de Comando/Endereço (CAL)

- Economia Máxima de Energia

- Auto Self Refresh de Baixa Potência (LPASR)

Funções Programáveis

Impedância do Driver de Saída (34/48)

Latência de Gravação CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Latência Aditiva (0/CL-1/CL-2)

Latência CS para Comando/Endereço (3/4/5/6/8)

Latência de Paridade de Comando/Endereço (4/5/6)

Tempo de Recuperação de Gravação (10/12/14/16/18/20/24)

Tipo de Burst (Sequencial/Intercalado)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Preâmbulo de Leitura (1T/2T)

Preâmbulo de Gravação (1T/2T)

Comprimento do Burst (BL8/BC4/BC4 ou 8 on the fly)

LPASR (Manual: Normal/Reduzido/Estendido, Auto: TS)

Opções

Grau de Velocidade (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Faixa de Temperatura (Tc)5- Grau Comercial: 0°C~95°C

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Conformidade RoHS sem chumbo e livre de halogênio

Etiquetas:

memória ic samsung

Chips da Samsung

sdram ddr4 samsung

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detalhes dos produtos

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Até 3200Mbps

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