szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Układy scalone SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Do 3200Mbps

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Do 3200Mbps

Nazwa marki:	Samsung
Numer modelu:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100szt
Szczegóły opakowania:	100
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

SAMSUNG

model:

NT5AD512M16C4-JR

Gęstość:

Woltaż:

1,2 V.

Pakiet:

Prędkość:

3200 Mb/s

Temperatura:

0~95°C

Stopień:

Handlowy

Możliwość Supply:

10000

Podkreślić:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung IC Chips 8Gb

Chipy DDR4 SDRAM IC

Opis produktu

Układy scalone Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V do 3200Mbps

Funkcje

Integralność danych

- Automatyczne odświeżanie (ASR) przez wbudowane TS DRAM

- Tryby automatycznego odświeżania i odświeżania własnego

Przepustowość dostępu do DRAM

- Oddzielne struktury bramkowania IO według grup banków

- Przerwanie odświeżania własnego

- Odświeżanie o drobnej granulacji

Synchronizacja sygnału

- Wyrównanie zapisu przez ustawienia MR1

- Wyrównanie odczytu przez MPR

Niezawodność i obsługa błędów

- Parzystość poleceń/adresów

- CRC zapisu magistrali danych

- Odczyt MPR

- Skanowanie graniczne (X16)

- Naprawa po pakiecie

Integralność sygnału

- Wewnętrzne szkolenie VREFDQ

- Szkolenie wstępne odczytu

- Tryb Gear Down

- Adresowalność na DRAM

- Konfigurowalny DS dla kompatybilności z systemem

- Konfigurowalne zakończenie na chipie

- Inwersja magistrali danych (DBI)

- Kalibracja ZQ dla dokładności impedancji DS/ODT

przez zewnętrzny pad ZQ (240 Ω ± 1%)

Oszczędność energii i wydajność

- POD z zakończeniem VDDQ

- Opóźnienie poleceń/adresów (CAL)

- Maksymalna oszczędność energii

- Niskie zużycie energii Automatyczne odświeżanie (LPASR)

Integralność danych

- Automatyczne odświeżanie (ASR) przez wbudowane TS DRAM

- Tryby automatycznego odświeżania i odświeżania własnego

Przepustowość dostępu do DRAM

- Oddzielne struktury bramkowania IO według grup banków

- Przerwanie odświeżania własnego

- Odświeżanie o drobnej granulacji

Synchronizacja sygnału

- Wyrównanie zapisu przez ustawienia MR1

- Wyrównanie odczytu przez MPR

Niezawodność i obsługa błędów

- Parzystość poleceń/adresów

- CRC zapisu magistrali danych

- Odczyt MPR

- Skanowanie graniczne (X16)

- Naprawa po pakiecie

Integralność sygnału

- Wewnętrzne szkolenie VREFDQ

- Szkolenie wstępne odczytu

- Tryb Gear Down

- Adresowalność na DRAM

- Konfigurowalny DS dla kompatybilności z systemem

- Konfigurowalne zakończenie na chipie

- Inwersja magistrali danych (DBI)

- Kalibracja ZQ dla dokładności impedancji DS/ODT

przez zewnętrzny pad ZQ (240 Ω ± 1%)

Oszczędność energii i wydajność

- POD z zakończeniem VDDQ

- Opóźnienie poleceń/adresów (CAL)

- Maksymalna oszczędność energii

- Niskie zużycie energii Automatyczne odświeżanie (LPASR)

Programowalne funkcje

Gęstość i adresowanieImpedancja sterownika wyjściowego (34/48)

Gęstość i adresowanieOpóźnienie zapisu CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Gęstość i adresowanieDodatkowe opóźnienie (0/CL-1/CL-2)

Gęstość i adresowanieOpóźnienie CS do polecenia adresowego (3/4/5/6/8)

Gęstość i adresowanieOpóźnienie parzystości polecenia adresowego (4/5/6)

Gęstość i adresowanieCzas odzyskiwania zapisu (10/12/14/16/18/20/24)

Gęstość i adresowanieTyp serii (sekwencyjny/przeplatany)

Gęstość i adresowanieRTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

Gęstość i adresowanieRTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

Gęstość i adresowanieRTT_WR (80/120/240)

Gęstość i adresowanieWstępne odczytu (1T/2T)

Gęstość i adresowanieWstępne zapisu (1T/2T)

Gęstość i adresowanieDługość serii (BL8/BC4/BC4 lub 8 na bieżąco)

Gęstość i adresowanieLPASR (Ręczny: Normalny/Zredukowany/Rozszerzony, Automatyczny: TS)

Opcje

Gęstość i adresowanieKlasa prędkości (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Gęstość i adresowanieZakres temperatury (Tc) 5 - Klasa handlowa: 0

℃ ℃

Gęstość i adresowanie- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Gęstość i adresowanieZgodność z RoHS bez ołowiu i bez halogenów

Gęstość i adresowanie

Tagi:

pamięć samsung ic

układy samsung

samsung ddr4 sdram

Powiązane produkty

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1,2 V

Najlepszą cenę

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Najlepszą cenę

K4AAG085WC-BCWE000 SAMSUNG Chips 16GB DDR4 1.2V 2400Mbps 78 kulka FBGA

Najlepszą cenę

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Do 3200Mbps

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI