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Chip IC SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Fino a 3200Mbps

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NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Fino a 3200Mbps

Marchio:	Samsung
Numero di modello:	NT1commercio di prodotti agricoli
MOQ:	100 pezzi
Dettagli dell'imballaggio:	100
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

Nome del prodotto:

SAMSUNG

modello:

NT1commercio di prodotti agricoli

Densità:

Voltaggio:

Pacchetto:

Velocità:

3200Mbps

Temperatura:

0~95°C

Grado:

Commerciale

Capacità di alimentazione:

10000

Evidenziare:

NT1commercio di prodotti agricoli

Samsung IC Chips 8Gb

IC Chips DDR4 SDRAM

Descrizione del prodotto

Chip IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V fino a 3200Mbps

Caratteristiche

 Integrità dei dati

- Auto Self Refresh (ASR) tramite TS integrato nella DRAM

- Modalità Auto Refresh e Self Refresh

 Larghezza di banda di accesso alla DRAM

- Strutture di I/O separate per gruppi di banchi

- Self Refresh Abort

- Refresh a granularità fine

 Sincronizzazione del segnale

- Write Leveling tramite impostazioni MR1

- Read Leveling tramite MPR

 Affidabilità e gestione degli errori

- Parità comando/indirizzo

- CRC scrittura databus

- Lettura MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

 Integrità del segnale

- Training VREFDQ interno

- Training Read Preamble

- Modalità Gear Down

- Indirizzabilità per DRAM

- DS configurabile per compatibilità di sistema

- Terminazione On-Die configurabile

- Inversione del bus dati (DBI)

- Calibrazione ZQ per precisione impedenza DS/ODT

tramite pad ZQ esterno (240 Ω ± 1%)

 Risparmio energetico ed efficienza

- POD con terminazione VDDQ

- Latenza comando/indirizzo (CAL)

- Massimo risparmio energetico

- Auto Self Refresh a basso consumo (LPASR)

 Integrità dei dati

- Auto Self Refresh (ASR) tramite TS integrato nella DRAM

- Modalità Auto Refresh e Self Refresh

 Larghezza di banda di accesso alla DRAM

- Strutture di I/O separate per gruppi di banchi

- Self Refresh Abort

- Refresh a granularità fine

 Sincronizzazione del segnale

- Write Leveling tramite impostazioni MR1

- Read Leveling tramite MPR

 Affidabilità e gestione degli errori

- Parità comando/indirizzo

- CRC scrittura databus

- Lettura MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

 Integrità del segnale

- Training VREFDQ interno

- Training Read Preamble

- Modalità Gear Down

- Indirizzabilità per DRAM

- DS configurabile per compatibilità di sistema

- Terminazione On-Die configurabile

- Inversione del bus dati (DBI)

- Calibrazione ZQ per precisione impedenza DS/ODT

tramite pad ZQ esterno (240 Ω ± 1%)

 Risparmio energetico ed efficienza

- POD con terminazione VDDQ

- Latenza comando/indirizzo (CAL)

- Massimo risparmio energetico

- Auto Self Refresh a basso consumo (LPASR)

Funzioni programmabili

 Impedenza driver di uscita (34/48)

 CAS Write Latency (9/10/11/12/14/16/18/20)

 Latenza additiva (0/CL-1/CL-2)

 Latenza CS a comando indirizzo (3/4/5/6/8)

 Latenza parità comando indirizzo (4/5/6)

 Tempo di recupero scrittura (10/12/14/16/18/20/24)

 Burst Type (Sequenziale/Interleaved)

 RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

 RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

 RTT_WR (80/120/240)

 Read Preamble (1T/2T)

 Write Preamble (1T/2T)

 Burst Length (BL8/BC4/BC4 o 8 al volo)

 LPASR (Manuale: Normale/Ridotto/Esteso, Auto:TS)

Opzioni

 Speed Grade (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

 Intervallo di temperatura di funzionamento (Tc) 5

- Grado Commerciale: 0℃~95℃

 VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

 Informazioni sul package

Conformità RoHS senza piombo e senza alogeni

 Densità e indirizzamento

Tag:

memoria ic samsung

Chips Samsung

samsung ddr4 sdram

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