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Chip IC SAMSUNG

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Marchio:	Samsung
Numero di modello:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100 pezzi
Dettagli dell'imballaggio:	100
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

Nome del prodotto:

SAMSUNG

modello:

K4A4G165WF-BCTD000

Densità:

Velocità:

2666 Mbps

Voltaggio:

1,2 V

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Pacchetto:

96FBGA

Capacità di alimentazione:

10000

Evidenziare:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Descrizione del prodotto

Crittogrammi IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1,2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

Solo x16

96FBGA senza piombo e senza alogene

(conforme alla RoHS)

Caratteristiche chiave

• Norma JEDEC 1,2V (1,14V~1,26V)

• VDDQ= 1,2 V (1,14 V ~ 1,26 V)

• VPP= 2,5V (2,375V~2,75V)

•800 MHz fCKper 1600Mb/sec/pin,933 MHz fCKper 1866Mb/sec/pin,

1067 MHz fCKper 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCKper 2400Mb/sec/pin,

1333 MHz fCKper 2666Mb/sec/pin, 1600 MHz fCKper 3200Mb/sec/pin

• 8 banche (2 gruppi bancari)

• Programmabile CAS latenza (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Programmabile CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) e 16,20 (DDR4-3200)

• Pre-fetch a 8 bit

• Lunghezza di scatto: 8, 4 con tCCD = 4 che non consente una lettura senza soluzione di continuità

o scrivere [sia On the fly utilizzando A12 o MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• Calibrazione interna (auto): autocalibrazione interna attraverso pin ZQ

(RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Terminamento a stampo con pin ODT

• Periodo di aggiornamento medio 7,8us a una temperatura inferiore a TCASE C-280/99 Commissione delle Comunità europee85️C, 3,9 us al

85️C < TCASE C-280/99 Commissione delle Comunità europee< 95️C

• Ripristino asincrono

• Pacchetto: 96 palline FBGA - x16

• Tutti i prodotti senza piombo sono conformi alla RoHS

• Tutti i prodotti sono privi di alogeni

• CRC (Cyclic Redundancy Check) per la sicurezza dei dati di lettura/scrittura

• Controllo della parità degli indirizzi dei comandi

• DBI (Data Bus Inversion)

• Modalità di abbassamento

• Interfaccia POD (Pseudo Open Drain) per l'input/output dei dati

• VREF interno per gli input di dati

• VPP esterno per la potenza di attivazione della DRAM

• l'hPPR è supportata

Il 4Gb DDR4 SDRAM F-die è organizzato come un 32Mbit x 16 I/O x 8 banche

Questo dispositivo sincrono consente un doppio trasferimento di dati ad alta velocità.

velocità di trasferimento fino a 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) per applicazioni generali

Istituzioni.

Il chip è progettato per essere conforme alle seguenti chiavi DDR4 SDRAM fea

sistemi quali CAS postato, CWL programmabile, calibrazione interna (autonoma),

In terminazione con pin ODT e reset asincrono.

Tutti gli input di controllo e indirizzo sono sincronizzati con un paio di

Gli input sono fissati al punto di incrocio dei differenti

Tutti gli I/O sono sincronizzati con un

una coppia di stroboscopi bidirezionali (DQS e DQS) in una fascia sincrona di sorgente

Il bus degli indirizzi viene utilizzato per trasmettere l'indirizzo della riga, colonna e banca

L'apparecchio DDR4 funziona in modo che le informazioni vengano trasmesse in un formato RAS/CAS.

con una sola alimentazione da 1,2 V (1,14 V ~ 1,26 V), 1,2 V (~ 1,14 V ~ 1,26 V) VDDQ

e 2,5 V (2,375 V ~ 2,75 V) VPP.

Il dispositivo 4Gb DDR4 F-die è disponibile in 96ball FBGA ((x16).

Tag:

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