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Puces IC SAMSUNG

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Perles de lampe LED TSLC Semileds

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Perles de lampe LED TSLC Semileds

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Nom De La Marque:	Samsung
Numéro De Modèle:	K4A4G165WF-BCTD000
Quantité Minimale De Commande:	100 pièces
Détails De L'emballage:	100
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

Nom du produit:

Samsung

modèle:

K4A4G165WF-BCTD000

Densité:

Vitesse:

2666 Mbps

Tension:

1,2 V

Température:

0 ~ 85 °C

Emballer:

96FBGA

Capacité d'approvisionnement:

10000

Mettre en évidence:

K4A4G165WF-BCTD000

Les puces Samsung K4A4G165WF

Les puces Samsung 96FBGA

Description du produit

Puces IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 SDRAM DDR4 4Gb F-die x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

SDRAM DDR4 4Gb F-die

x16 uniquement

96FBGA sans plomb et sans halogène

(Conforme RoHS)

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

• Standard JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK pour 1600Mb/sec/pin, 933 MHz fCK pour 1866Mb/sec/pin,

1067MHz fCK pour 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK pour 2400Mb/sec/pin,

1333MHz fCK pour 2666Mb/sec/pin, 1600MHz fCK pour 3200Mb/sec/pin

• 8 banques (2 groupes de banques)

• Latence CAS programmable (CAS posté) :

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Latence d'écriture CAS programmable (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) et 16,20 (DDR4-3200)

• Pré-extraction 8 bits

• Longueur de rafale : 8, 4 avec tCCD = 4 qui ne permet pas de lecture

sans interruption

ou écriture [soit à la volée via A12 ou MRS]

• Strobe de données différentiel bidirectionnel

• Calibration interne (auto) : Calibration interne automatique via la broche ZQ

(RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Terminaison sur puce utilisant la broche ODT < 95 85• Réinitialisation asynchrone °C, 3.9us à

85• Réinitialisation asynchrone < TCASE < 95 °C • Réinitialisation asynchrone • Boîtier : FBGA 96 billes - x16

• Tous les produits sans plomb sont conformes RoHS

• Tous les produits sont sans halogène

• CRC (Contrôle de redondance cyclique) pour la sécurité des données de lecture/écriture

• Vérification de parité des commandes et adresses

• DBI (Inversion du bus de données)

• Mode Gear down

• Interface POD (Pseudo Open Drain) pour l'entrée/sortie de données

• VREF interne pour les entrées de données

• VPP externe pour l'alimentation d'activation DRAM

• hPPR est pris en charge

Le SDRAM DDR4 4Gb F-die est organisé en un appareil de 32Mbit x 16 E/S x 8 banques

appareil. Ce dispositif synchrone atteint des vitesses de transfert double données

élevées allant jusqu'à 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) pour les applications générales.

La puce est conçue pour être conforme aux principales caractéristiques des SDRAM DDR4

telles que le CAS posté, le CWL programmable, la calibration interne (automatique),

la terminaison sur puce utilisant la broche ODT et la réinitialisation asynchrone.

Toutes les entrées de commande et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles

externes. Les entrées sont cadencées au point de croisement des horloges différentielles

(CK montant et CK descendant). Toutes les E/S sont synchronisées avec une paire de strobes bidirectionnels

(DQS et DQS) dans un mode de synchronisation source. Le bus d'adresses est utilisé pour transmettre

les informations d'adresse de ligne, de colonne et de banque dans un style de multiplexage RAS/CAS.

Le dispositif DDR4 fonctionne avec une seule alimentation de 1.2V (1.14V~1.26V),

une V

DDQ

de 1.2V(1.14V~1.26V) et une V

PP de 2.5V (2.375V~2.75V).

Le dispositif DDR4 F-die 4Gb est disponible en FBGA 96 billes (x16).

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

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