logo
ভালো দাম  অনলাইন

পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
স্যামসাং আইসি চিপস
Created with Pixso.

K4A4G165WF-BCTD000 স্যামসাং চিপস 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

K4A4G165WF-BCTD000 স্যামসাং চিপস 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ব্র্যান্ডের নাম: Samsung
মডেল নম্বর: K4A4G165WF-BCTD000
MOQ: 100 পিসি
প্যাকেজিং বিবরণ: 100
পেমেন্ট শর্তাবলী: টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
চীন
পণ্যের নাম:
স্যামসুং
মডেল:
K4A4G165WF-BCTD000
ঘনত্ব:
4 জিবি
গতি:
2666 Mbps
ভোল্টেজ:
1.2 ভি
তাপমাত্রা:
0 ~ 85 °C
প্যাকেজ:
96FBGA
যোগানের ক্ষমতা:
10000
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

K4A4G165WF-BCTD000

,

স্যামসাং চিপস K4A4G165WF

,

96FBGA স্যামসাং চিপস

পণ্য বিবরণ

Samsung IC চিপস K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

 

4Gb F-die DDR4 SDRAM
শুধুমাত্র x16
96FBGA সীসা-মুক্ত এবং হ্যালোজেন-মুক্ত সহ
(RoHS অনুবর্তী)
 
মূল বৈশিষ্ট্য
K4A4G165WF-BCTD000 স্যামসাং চিপস 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
• JEDEC স্ট্যান্ডার্ড 1.2V (1.14V~1.26V)
• VDDQ= 1.2V (1.14V~1.26V)
• V= 2.5V (2.375V~2.75V)
•800 MHz fCK1600Mb/sec/pin এর জন্য, 933 MHz fCK1866Mb/sec/pin এর জন্য,
1067MHz fCK2133Mb/sec/pin এর জন্য, 1200MHz fCK2400Mb/sec/pin এর জন্য,
1333MHz fCK2666Mb/sec/pin এর জন্য, 1600MHz fCK3200Mb/sec/pin এর জন্য
• 8 Banks (2 Bank Groups)
• Programmable CAS Latency (posted CAS):
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24
• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12
(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-
2666) এবং 16,20 (DDR4-3200)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8, 4 with tCCD = 4 যা seamless read
বা write [হয় On the fly using A12 or MRS] অনুমতি দেয় না
• Bi-directional Differential Data-Strobe
• Internal (self) calibration: ZQ pin এর মাধ্যমে Internal self calibration
(RZQ: 240 ohm ±1%)
• ODT pin ব্যবহার করে On Die Termination
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE85C, 3.9us at
85C< TCASE< 95C 
• Asynchronous Reset
• Package: 96 balls FBGA - x16
• সমস্ত সীসা-মুক্ত পণ্য RoHS এর জন্য অনুবর্তী
• সমস্ত পণ্য হ্যালোজেন-মুক্ত
• CRC (Cyclic Redundancy Check) Read/Write ডেটা সুরক্ষার জন্য
• Command address parity check
• DBI (Data Bus Inversion)
• Gear down mode
• ডেটা ইনপুট/আউটপুটের জন্য POD (Pseudo Open Drain) ইন্টারফেস
• ডেটা ইনপুটের জন্য Internal VREF
• DRAM Activating Power এর জন্য External VPP
• hPPR সমর্থিত
4Gb DDR4 SDRAM F-die একটি 32Mbit x 16 I/Os x 8banks
ডিভাইস হিসাবে সংগঠিত। এই সিনক্রোনাস ডিভাইসটি উচ্চ গতির ডাবল-ডেটা-রেট
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) পর্যন্ত ট্রান্সফার রেট অর্জন করে।
চিপটি নিম্নলিখিত মূল DDR4 SDRAM বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেমন পোস্ট করা CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration,
ODT পিন ব্যবহার করে On Die Termination এবং Asynchronous Reset।
সমস্ত কন্ট্রোল এবং অ্যাড্রেস ইনপুটগুলি বাহ্যিকভাবে সরবরাহ করা ডিফারেনশিয়াল ক্লকের একটি জোড়ার সাথে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়। ইনপুটগুলি ডিফারেনশিয়াল ক্লকের ক্রসপয়েন্টে ল্যাচ করা হয় (CK রাইজিং এবং CK ফলিং)। সমস্ত I/O একটি সোর্স সিনক্রোনাস ফ্যাশনে বাই-ডিরেকশনাল স্ট্রব (DQS এবং DQS) এর একটি জোড়ার সাথে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়।
অ্যাড্রেস বাস RAS/CAS মাল্টিপ্লেক্সিং স্টাইলে রো, কলাম এবং ব্যাংক অ্যাড্রেস তথ্য বহন করতে ব্যবহৃত হয়। DDR4 ডিভাইসটি একটি একক 1.2V (1.14V~1.26V) পাওয়ার সাপ্লাই, 1.2V(1.14V~1.26V) V
DDQ
এবং 2.5V (2.375V~2.75V) V
PP
এর সাথে কাজ করে।
4Gb DDR4 F-die ডিভাইসটি 96ball FBGAs(x16) এ উপলব্ধ।
 
K4A4G165WF-BCTD000 স্যামসাং চিপস 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
K4A4G165WF-BCTD000 স্যামসাং চিপস 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V