• Burst Length: 8, 4 with tCCD = 4 যা seamless read
বা write [হয় On the fly using A12 or MRS] অনুমতি দেয় না
• Bi-directional Differential Data-Strobe
• Internal (self) calibration: ZQ pin এর মাধ্যমে Internal self calibration
(RZQ: 240 ohm ±1%)
• ODT pin ব্যবহার করে On Die Termination
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE85C, 3.9us at
85C< TCASE< 95C
• Asynchronous Reset
• Package: 96 balls FBGA - x16
• সমস্ত সীসা-মুক্ত পণ্য RoHS এর জন্য অনুবর্তী
• সমস্ত পণ্য হ্যালোজেন-মুক্ত
• CRC (Cyclic Redundancy Check) Read/Write ডেটা সুরক্ষার জন্য
• Command address parity check
• DBI (Data Bus Inversion)
• Gear down mode
• ডেটা ইনপুট/আউটপুটের জন্য POD (Pseudo Open Drain) ইন্টারফেস
• ডেটা ইনপুটের জন্য Internal VREF
• DRAM Activating Power এর জন্য External VPP
• hPPR সমর্থিত
4Gb DDR4 SDRAM F-die একটি 32Mbit x 16 I/Os x 8banks
ডিভাইস হিসাবে সংগঠিত। এই সিনক্রোনাস ডিভাইসটি উচ্চ গতির ডাবল-ডেটা-রেট
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) পর্যন্ত ট্রান্সফার রেট অর্জন করে।
চিপটি নিম্নলিখিত মূল DDR4 SDRAM বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেমন পোস্ট করা CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration,
ODT পিন ব্যবহার করে On Die Termination এবং Asynchronous Reset।
সমস্ত কন্ট্রোল এবং অ্যাড্রেস ইনপুটগুলি বাহ্যিকভাবে সরবরাহ করা ডিফারেনশিয়াল ক্লকের একটি জোড়ার সাথে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়। ইনপুটগুলি ডিফারেনশিয়াল ক্লকের ক্রসপয়েন্টে ল্যাচ করা হয় (CK রাইজিং এবং CK ফলিং)। সমস্ত I/O একটি সোর্স সিনক্রোনাস ফ্যাশনে বাই-ডিরেকশনাল স্ট্রব (DQS এবং DQS) এর একটি জোড়ার সাথে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়।
অ্যাড্রেস বাস RAS/CAS মাল্টিপ্লেক্সিং স্টাইলে রো, কলাম এবং ব্যাংক অ্যাড্রেস তথ্য বহন করতে ব্যবহৃত হয়। DDR4 ডিভাইসটি একটি একক 1.2V (1.14V~1.26V) পাওয়ার সাপ্লাই, 1.2V(1.14V~1.26V) V
DDQ
এবং 2.5V (2.375V~2.75V) V
PP
এর সাথে কাজ করে।
4Gb DDR4 F-die ডিভাইসটি 96ball FBGAs(x16) এ উপলব্ধ।