Name: K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: K4A4G165WF-BCTD000
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Samsung
Número do modelo:	K4A4G165WF-BCTD000
Quantidade mínima:	100 unidades
Detalhes da embalagem:	100
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Samsung-K4A4G165WF-BCTD.pdf

Nome do produto:

Samsung

modelo:

K4A4G165WF-BCTD000

Densidade:

4GB

Velocidade:

2666 Mbps

Tensão:

1.2 V

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Pacote:

96FBGA

Habilidade da fonte:

10.000

Destacar:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Descrição do produto

Chips de IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1,2 V

4 GB de F-die DDR4 SDRAM

Apenas x16

96FBGA sem chumbo e sem halogênio

(compatível com a RoHS)

Características essenciais

• Padrão JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ= 1,2 V (1,14 V ~ 1,26 V)

• VPP= 2,5 V (2,375 V ~ 2,75 V)

•800 MHz fCKpara 1600Mb/sec/pin,933 MHz fCKpara 1866Mb/sec/pin,

1067 MHz fCKpara 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCKpara 2400Mb/sec/pin,

1333 MHz fCKpara 2666Mb/sec/pin, 1600 MHz fCKpara 3200Mb/sec/pin

• 8 bancos (2 grupos bancários)

• Latência de CAS programável (CAS postado):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Latência de escrita CAS programável (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) e 16,20 (DDR4-3200)

• Pre-fetch de 8 bits

• Duração de rajada: 8, 4 com tCCD = 4 que não permite uma leitura perfeita

ou escrever [ou On the fly usando A12 ou MRS]

• Bi-direccional Diferencial Data-Strobe

• Auto-calibração interna: auto-calibração interna através de um pin ZQ

(RZQ: 240 ohms ± 1%)

• Terminar a pressão com pin ODT

• Período médio de actualização 7,8us a uma temperatura inferior a TCASE C-399/99 Comissão85- Não.C, 3,9us em

85- Não.C < TCASE C-399/99 Comissão< 95- Não.C

• Reinicialização assíncrona

• Pacote: 96 bolas FBGA - x16

• Todos os produtos sem chumbo estão em conformidade com a RoHS

• Todos os produtos são isentos de halogênio

• CRC (Ciclic Redundancy Check) para segurança de dados de leitura/escritura

• Verificação de paridade de endereço de comando

• DBI (Data Bus Inversion)

• Modo de redução de velocidade

• Interface POD (Pseudo Open Drain) para entrada/saída de dados

• VREF interno para entradas de dados

• VPP externo para energia de ativação da DRAM

• o hPPR é suportado

O 4Gb DDR4 SDRAM F-die é organizado como um 32Mbit x 16 I/Os x 8bancos

Este dispositivo síncrono atinge uma taxa de dados dupla de alta velocidade

taxas de transferência de até 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) para aplicações gerais

A Comissão adoptou, em

O chip é projetado para cumprir a seguinte chave DDR4 SDRAM fea

Tugas tais como CAS postado, CWL programável, Calibração interna (auto)

Em terminação por morte usando pin ODT e Reset assíncrono.

Todas as entradas de controlo e endereço são sincronizadas com um par de

Os pontos de entrada são fixados no cruzamento dos pontos de

Todos os E/S são sincronizados com um

um par de estroboscópios bidirecionais (DQS e DQS) num fash síncrono de fonte

O autocarro de endereços é usado para transmitir linha, coluna e endereço bancário

O dispositivo DDR4 opera com um sistema de transmissão automática de dados, que permite a transmissão automática de informações em um estilo de multiplexação RAS/CAS

com uma fonte de alimentação única de 1,2 V (1,14 V~1,26 V), 1,2 V (~1,14 V~1,26 V) VDDQ

e 2,5 V (2,375 V~2,75 V) VPP.

O dispositivo 4Gb DDR4 F-die está disponível em 96 bolhas FBGA ((x16).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

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Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

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Chip LED SAMSUNG

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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