szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Układy scalone SAMSUNG

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1,2 V

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1,2 V

Nazwa marki:	Samsung
Numer modelu:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100szt
Szczegóły opakowania:	100
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

SAMSUNG

model:

K4A4G165WF-BCTD000

Gęstość:

Prędkość:

2666 Mb/s

Woltaż:

1,2 V

Temperatura:

0 ~ 85°C

Pakiet:

96 FBGA

Możliwość Supply:

10000

Podkreślić:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Opis produktu

Układy scalone Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

tylko x16

96FBGA bezołowiowe i bezhalogenowe

(zgodne z RoHS)

KLUCZOWE CECHY

• Standard JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• VUrządzenie 4Gb DDR4 F-die jest dostępne w obudowach 96kulkach FBGAs(x16). = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK dla 1600Mb/sek/pin, 933 MHz fCK dla 1866Mb/sek/pin,

1067 MHz fCK dla 2133Mb/sek/pin, 1200 MHz fCK dla 2400Mb/sek/pin,

1333 MHz fCK dla 2666Mb/sek/pin, 1600 MHz fCK dla 3200Mb/sek/pin

• 8 banków (2 grupy banków)

• Programowalna latencja CAS (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Programowalna latencja zapisu CAS (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) i 16,20 (DDR4-3200)

• 8-bitowe pre-fetch

• Długość serii: 8, 4 z tCCD = 4, co nie pozwala na płynne odczyty

lub zapisy [albo na bieżąco za pomocą A12 lub MRS]

• Dwukierunkowy strumień danych różnicowych

• Wewnętrzna (samoczynna) kalibracja: Wewnętrzna samoczynna kalibracja przez pin ZQ

(RZQ: 240 omów ± 1%)

• Terminacja na chipie (On Die Termination) przy użyciu pinu ODT

• Średni okres odświeżania 7.8us poniżej TCASE 85C, 3.9us przy

85C < TCASE < 95 C

• Asynchroniczne resetowanie

• Obudowa: 96 kulek FBGA - x16

• Wszystkie produkty bezołowiowe są zgodne z RoHS

• Wszystkie produkty są bezhalogenowe

• CRC (Cyclic Redundancy Check) dla bezpieczeństwa danych odczytu/zapisu

• Sprawdzanie parzystości poleceń i adresów

• DBI (Data Bus Inversion)

• Tryb Gear down

• Interfejs POD (Pseudo Open Drain) dla wejścia/wyjścia danych

• Wewnętrzny VREF dla wejść danych

• Zewnętrzny VPP dla mocy aktywacji DRAM

• Obsługiwane jest hPPR

4Gb DDR4 SDRAM F-die jest zorganizowany jako urządzenie 32Mbit x 16 I/O x 8 banków

urządzenie. To synchroniczne urządzenie osiąga szybkie dwukrotne transfery danych

z prędkością do 3200Mb/sek/pin (DDR4-3200) dla ogólnych zastosowań.

Układ jest zaprojektowany tak, aby spełniać następujące kluczowe cechy DDR4 SDRAM, takie jak posted CAS, programowalny CWL, wewnętrzna (samoczynna) kalibracja,

terminacja na chipie przy użyciu pinu ODT i asynchroniczne resetowanie.

Wszystkie wejścia sterujące i adresowe są zsynchronizowane z parą zewnętrznych

zewnętrznie dostarczanych zegarów różnicowych. Wejścia są rejestrowane na przecięciu różnicowych

zegarów (narastająca i opadająca krawędź CK). Wszystkie I/O są zsynchronizowane z parą

dwukierunkowych stroboskopów (DQS i DQS) w sposób synchroniczny ze źródłem

modzie. Magistrala adresowa służy do przekazywania informacji o adresie wiersza, kolumny i banku

w stylu multipleksowania RAS/CAS. Urządzenie DDR4 działa

z pojedynczym zasilaniem 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ

i 2.5V (2.375V~2.75V) VPP

. Urządzenie 4Gb DDR4 F-die jest dostępne w obudowach 96kulkach FBGAs(x16).

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1,2 V

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI