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K4A4G165WF-BCTD000 सैमसंग चिप्स 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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K4A4G165WF-BCTD000 सैमसंग चिप्स 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ब्रांड का नाम:	Samsung
मॉडल नंबर:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100 पीसी
पैकेजिंग विवरण:	100
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

दस्तावेज:

प्रोडक्ट का नाम:

SAMSUNG

नमूना:

K4A4G165WF-BCTD000

घनत्व:

4 जीबी

रफ़्तार:

2666 एमबीपीएस

वोल्टेज:

1.2 वी

तापमान:

0 ~ 85 डिग्री सेल्सियस

पैकेट:

96FBGA

आपूर्ति की क्षमता:

10000

प्रमुखता देना:

K4A4G165WF-BCTD000

सैमसंग चिप्स K4A4G165WF

96FBGA सैमसंग चिप्स

उत्पाद वर्णन

Samsung IC चिप्स K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

x16 केवल

96FBGA लीड-फ्री और हैलोजन-फ्री के साथ

(RoHS अनुपालन)

मुख्य विशेषताएं

• JEDEC मानक 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ= 1.2V (1.14V~1.26V)

• V= 2.5V (2.375V~2.75V)

•800 MHz fCK1600Mb/sec/pin के लिए, 933 MHz fCK1866Mb/sec/pin के लिए,

1067MHz fCK2133Mb/sec/pin के लिए, 1200MHz fCK2400Mb/sec/pin के लिए,

1333MHz fCK2666Mb/sec/pin के लिए, 1600MHz fCK3200Mb/sec/pin के लिए

• 8 बैंक (2 बैंक समूह)

• प्रोग्रामेबल CAS लेटेंसी (पोस्टेड CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• प्रोग्रामेबल CAS राइट लेटेंसी (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) और 16,20 (DDR4-3200)

• 8-बिट प्री-फेच

• बर्स्ट लेंथ: 8, 4 tCCD = 4 के साथ जो सीमलेस रीड की अनुमति नहीं देता है

या राइट [या तो ऑन द फ्लाई A12 या MRS का उपयोग करके]

• द्विदिश डिफरेंशियल डेटा-स्ट्रोब

• आंतरिक (स्वयं) कैलिब्रेशन: ZQ पिन के माध्यम से आंतरिक स्वयं कैलिब्रेशन

(RZQ: 240 ओम ± 1%)

• ODT पिन का उपयोग करके ऑन डाई टर्मिनेशन

• औसत रिफ्रेश अवधि 7.8us T से कम परCASE85C, 3.9us

85C< TCASE< 95C

• एसिंक्रोनस रीसेट

• पैकेज: 96 बॉल FBGA - x16

• सभी लीड-फ्री उत्पाद RoHS के लिए अनुपालन करते हैं

• सभी उत्पाद हैलोजन-मुक्त हैं

• रीड/राइट डेटा सुरक्षा के लिए CRC (साइक्लिक रिडंडेंसी चेक)

• कमांड एड्रेस पैरिटी चेक

• DBI (डेटा बस इन्वर्जन)

• गियर डाउन मोड

• डेटा इनपुट/आउटपुट के लिए POD (स्यूडो ओपन ड्रेन) इंटरफ़ेस

• डेटा इनपुट के लिए आंतरिक VREF

• DRAM एक्टिवेटिंग पावर के लिए बाहरी VPP

• hPPR समर्थित है

4Gb DDR4 SDRAM F-die 32Mbit x 16 I/Os x 8banks के रूप में व्यवस्थित है

डिवाइस। यह सिंक्रोनस डिवाइस उच्च गति डबल-डेटा-रेट प्राप्त करता है

सामान्य अनुप्रयोगों के लिए 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) तक की ट्रांसफर दरें।

चिप को निम्नलिखित प्रमुख DDR4 SDRAM सुविधाओं का अनुपालन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है

जैसे पोस्टेड CAS, प्रोग्रामेबल CWL, आंतरिक (स्वयं) कैलिब्रेशन,

ODT पिन का उपयोग करके ऑन डाई टर्मिनेशन और एसिंक्रोनस रीसेट।

सभी नियंत्रण और पता इनपुट दोहरी बाहरी आपूर्ति की जोड़ी के साथ सिंक्रनाइज़ होते हैं

डिफरेंशियल क्लॉक। इनपुट डिफरेंशियल क्लॉक (CK राइजिंग और CK फॉलिंग) के क्रॉसपॉइंट पर लॅच किए जाते हैं। सभी I/O एक जोड़ी बिडायरेक्शनल स्ट्रोब (DQS और DQS) के साथ सोर्स सिंक्रोनस फैशन में सिंक्रनाइज़ होते हैं।

एड्रेस बस का उपयोग रो, कॉलम और बैंक एड्रेस की जानकारी RAS/CAS मल्टीप्लेक्सिंग स्टाइल में पहुंचाने के लिए किया जाता है। DDR4 डिवाइस

एकल 1.2V (1.14V~1.26V) पावर सप्लाई, 1.2V(1.14V~1.26V) V पर संचालित होता है

DDQ

और 2.5V (2.375V~2.75V) V

।4Gb DDR4 F-die डिवाइस 96बॉल FBGAs(x16) में उपलब्ध है।

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K4A4G165WF-BCTD000 सैमसंग चिप्स 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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