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सैमसंग आईसी चिप्स

K4B4G1646E-BCNB000 सैमसंग आईसी चिप्स 4Gb ई-डाई DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

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K4B4G1646E-BCNB000 सैमसंग आईसी चिप्स 4Gb ई-डाई DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

ब्रांड का नाम:	Samsung
मॉडल नंबर:	K4B4G1646E-BCNB000
MOQ:	100 पीसी
पैकेजिंग विवरण:	100
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

दस्तावेज:

प्रोडक्ट का नाम:

SAMSUNG

नमूना:

K4B4G1646E-BCNB000

घनत्व:

4 जीबी

रफ़्तार:

2133 एमबीपीएस

वोल्टेज:

1.5 वी

तापमान:

0 ~ 85 डिग्री सेल्सियस

आपूर्ति की क्षमता:

10000

प्रमुखता देना:

K4B4G1646E-BCNB000

सैमसंग आईसी चिप्स 4Gb

96FBGA सैमसंग आईसी चिप्स

उत्पाद वर्णन

सैमसंग आईसी चिप्स K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA लीड-फ्री और हैलोजन-फ्री के साथ

(RoHS अनुपालन)

मुख्य विशेषताएं

• JEDEC मानक 1.5V(1.425V~1.575V)

• V= 1.5V(1.425V~1.575V)

• 400 मेगाहर्ट्ज fCK 800Mb/sec/pin के लिए, 533MHz fCK 1066Mb/sec/pin के लिए,

667MHz fCK 1333Mb/sec/pin के लिए, 800MHz fCK 1600Mb/sec/pin के लिए,

933MHz fCK 1866Mb/sec/pin के लिए, 1066 MHz fCK 2133Mb/sec/pin के लिए

• 8 बैंक

• प्रोग्रामेबल CAS लेटेंसी(पोस्टेड CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• प्रोग्रामेबल एडिटिव लेटेंसी: 0, CL-2 या CL-1 क्लॉक

• प्रोग्रामेबल CAS राइट लेटेंसी (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) और

10 (DDR3-2133)

• 8-बिट प्री-फेच

• बर्स्ट लेंथ: 8 , 4 tCCD = 4 के साथ जो निर्बाध रीड की अनुमति नहीं देता है

या राइट [या तो A12 या MRS का उपयोग करके ऑन द फ्लाई]

• द्विदिश डिफरेंशियल डेटा-स्ट्रोब

• आंतरिक (स्वयं) कैलिब्रेशन: ZQ पिन के माध्यम से आंतरिक स्वयं कैलिब्रेशन

(RZQ : 240 ओम ± 1%)

• ODT पिन का उपयोग करके ऑन डाई टर्मिनेशन

• औसत रिफ्रेश अवधि 7.8us कम पर TCASE85C, 3.9us पर

85C< TCASE< 95C

• एसिंक्रोनस रीसेट

• पैकेज: 96 बॉल्स FBGA - x16

• सभी लीड-फ्री उत्पाद RoHS के अनुरूप हैं

• सभी उत्पाद हैलोजन-मुक्त हैं

4Gb DDR3 SDRAM E-die को 32Mbit x 16 I/Os x 8banks के रूप में व्यवस्थित किया गया है,

डिवाइस। यह सिंक्रोनस डिवाइस उच्च गति डबल-डेटा-रेट प्राप्त करता है

सामान्य अनुप्रयोगों के लिए 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) तक की ट्रांसफर दरें।

चिप को निम्नलिखित प्रमुख DDR3 SDRAM सुविधाओं का अनुपालन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है

जैसे पोस्टेड CAS, प्रोग्रामेबल CWL, आंतरिक (स्वयं) कैलिब्रेशन,

ODT पिन का उपयोग करके ऑन डाई टर्मिनेशन और एसिंक्रोनस रीसेट।

सभी नियंत्रण और पता इनपुट बाहरी रूप से आपूर्ति किए गए डिफरेंशियल क्लॉक की एक जोड़ी के साथ सिंक्रनाइज़ होते हैं।

इनपुट डिफरेंशियल क्लॉक (CK राइजिंग और CK फॉलिंग) के क्रॉसपॉइंट पर लॅच किए जाते हैं। सभी I/Os एक जोड़ी द्विदिश स्ट्रोब (DQS और DQS) के साथ सिंक्रनाइज़ होते हैं

एक स्रोत सिंक्रोनस फैशन में। पता बस पंक्ति, कॉलम और बैंक पता ले जाने के लिए उपयोग किया जाता है

RAS/CAS मल्टीप्लेक्सिंग शैली में जानकारी। DDR3 डिवाइस संचालित होता है

एकल 1.5V(1.425V~1.575V) बिजली की आपूर्ति और 1.5V(1.425V~1.575V) के साथ

DDQ

।

4Gb DDR3 E-die डिवाइस 96बॉल FBGAs(x16) में उपलब्ध है।

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