logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
SAMSUNG Entegre Devreleri
Created with Pixso.

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Marka Adı: Samsung
Model Numarası: K4B4G1646E-BCNB000
Adedi: 100 adet
Paketleme Detayları: 100
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Ürün adı:
SAMSUNG
modeli:
K4B4G1646E-BCNB000
Yoğunluk:
4 CİGABAYT
Hız:
2133 Mb/sn
Gerilim:
1,5 volt
Sıcaklık:
0 ~ 85 °C
Yetenek temini:
10000
Vurgulamak:

K4B4G1646E-BCNB000

,

Samsung IC Yonga 4Gb

,

96FBGA Samsung IC Yonga

Ürün Açıklaması

Samsung IC çipleri K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4GB E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA kurşun ve halogen içermeyen
(RoHS uyumlu)

Temel Özellikler
K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
• JEDEC standardı 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ= 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• 400 MHz fCK800Mb/sec/pin için, 533MHz fCK1066Mb/sec/pin için,
667MHz fCK1333Mb/sec/pin için, 800MHz fCK1600Mb/sec/pin için,
933MHz fCK1866Mb/sec/pin için, 2133Mb/sec/pin için 1066 MHz fCK
• 8 Banka
• Programlanabilir CAS Gecikme (postlanmış CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Programlanabilir Ekleyici Gecikme: 0, CL-2 veya CL-1 saat
• Programlanabilir CAS Yazma Gecikmesi (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) ve
10 (DDR3-2133)
• 8 bitlik ön alım
• Patlama Uzunluğu: 8, 4 tCCD = 4 ile sorunsuz okuma izin vermez
Ya da yazın [ya A12 ya da MRS kullanarak Uçuşta]
• İki yönlü Diferansiyel Veri Strobosu
• Dahili öz kalibrasyon: ZQ çubuğu aracılığıyla iç öz kalibrasyon
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• ODT pin kullanılarak Die Termination
• T'den daha düşük ortalama yenilenme süresi 7.8usSAYISI85- Evet.C, 3.9us
85- Evet.C < TSAYISI< 95- Evet.C
• Asinkron Yeniden Başlatma
• Paket: 96 top FBGA - x16
• Tüm kurşunsuz ürünler RoHS uyumludur
• Tüm ürünler halogen içermez.
4Gb DDR3 SDRAM E-die, 32Mbit x 16 I/O x 8 banka olarak düzenlenmiştir.
Bu senkronizasyon cihazı yüksek hızlı çift veri oranı elde eder.
Genel uygulamalar için 2133Mb/sec/pin'e kadar transfer hızı (DDR3-2133)
Bu konuda.
Çip aşağıdaki anahtar DDR3 SDRAM fea uyumlu olarak tasarlanmıştır
Yayınlanmış CAS, Programlanabilir CWL, İç (Kendine) Kalibrasyon gibi yöntemler,
Öldürme Sonlandırma ODT Pin ve Asynchronous Reset kullanılarak.
Tüm kontrol ve adres girişleri bir çift dış ile senkronize edilir
Girişler farklılıkların kesişim noktasında kilitlenir.
Ferensiyel saatler (CK yükseliş ve CK düşüşü).
iki yönlü strobik çift (DQS ve DQS) bir kaynak senkron fash'te
Adres otobüsü satır, sütun ve banka adresini aktarmak için kullanılır.
RAS/CAS multiplexing tarzında bilgi.
Tek 1,5V (~ 1,425V ~ 1,575V) güç kaynağı ve 1,5V (~ 1,425V ~ 1,575V)
VDDQ.
4Gb DDR3 E-die cihazı 96 ball FBGA'larda mevcut ((x16).

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V