logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
SAMSUNG IC τσιπ
Created with Pixso.

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Επωνυμία: Samsung
Αριθμός μοντέλου: K4B4G1646E-BCNB000
MOQ: 100 τεμ
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 100
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
Όνομα προϊόντος:
Samsung
μοντέλο:
K4B4G1646E-BCNB000
Πυκνότητα:
4 GB
Ταχύτητα:
2133 Mbps
Δυναμικό:
1.5 Β
Θερμοκρασία:
0 ~ 85 °C
Δυνατότητα προσφοράς:
10000
Επισημαίνω:

K4B4G1646E-BCNB000

,

Samsung IC Chips 4Gb

,

96FBGA Samsung IC Chips

Περιγραφή προϊόντος

Συμπλέκτες Samsung IC K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4Gb E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA χωρίς μόλυβδο και χωρίς αλογένια
(συμμόρφωση με το RoHS)

Βασικά χαρακτηριστικά
K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
• Πρότυπο JEDEC 1,5V (1,425V ~ 1,575V)
• VDDQ= 1,5V ((1,425V ~ 1,575V)
• 400 MHz fCKγια 800Mb/sec/pin, 533MHz fCKγια 1066Mb/sec/pin,
667MHz fCKγια 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCKγια 1600Mb/sec/pin,
933MHz fCKγια 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK για 2133Mb/sec/pin
• 8 Τράπεζες
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS: 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-2 ή CL-1 ρολόι
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση γραφής CAS (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) και
10 (DDR3-2133)
• Προετοιμασία 8-bit
• μήκος εκρήξεως: 8, 4 με tCCD = 4 που δεν επιτρέπει απρόσκοπτη ανάγνωση
ή γράψτε [είτε On the fly χρησιμοποιώντας A12 ή MRS]
• Διοπτική διαφορική δομή δεδομένων
• Εσωτερική αυτοκατάταξη: Εσωτερική αυτοκατάταξη μέσω ZQ pin
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Κατά τον τερματισμό του πίνακα με χρήση της καρφίτσας ODT
• Μέση περίοδος ανανέωσης 7,8us σε θερμοκρασία χαμηλότερη από TΥΠΟΘΕΣΗ85ΕπικεφαλήςC, 3,9us στο
85ΕπικεφαλήςC < TΥΠΟΘΕΣΗ< 95ΕπικεφαλήςΓ
• Ασύγχρονη επαναφορά
• Πακέτο: 96 μπάλες FBGA - x16
• Όλα τα προϊόντα χωρίς μόλυβδο συμμορφώνονται με το RoHS
• Όλα τα προϊόντα είναι απαλλαγμένα από αλογόντα.
Το 4Gb DDR3 SDRAM E-die είναι οργανωμένο ως 32Mbit x 16 I/O x 8banks,
Αυτή η συγχρονισμένη συσκευή επιτυγχάνει υψηλής ταχύτητας διπλό ρυθμό δεδομένων
ταχύτητες μεταφοράς έως 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) για γενικές εφαρμογές
Ειδικότερα:
Το τσιπ έχει σχεδιαστεί για να συμμορφώνεται με το ακόλουθο κλειδί DDR3 SDRAM fea
Τύποι όπως τοποθετημένο CAS, προγραμματιζόμενο CWL, εσωτερική (αυτο) βαθμονόμηση,
Με τον Τερματισμό Χρησιμοποιώντας Πιν ODT και Ασύγχρονη Επαναφορά.
Όλες οι εισροές ελέγχου και διεύθυνσης συγχρονίζονται με ένα ζευγάρι εξωτερικών
Οι εισροές είναι κλειδωμένες στο σταυροδρόμι των διαφόρων τιμών.
Όλα τα I/O συγχρονίζονται με ένα
ζευγάρι αμφίδρομων στροβοσκοπίων (DQS και DQS) σε συγχρονισμένη ροή πηγής
Το λεωφορείο διευθύνσεων χρησιμοποιείται για τη μεταφορά γραμμής, στήλης και τραπεζικής διεύθυνσης.
Η συσκευή DDR3 λειτουργεί
με ενιαίο 1.5V (~1.425V~1.575V) τροφοδοσία και 1.5V (~1.425V~1.575V)
VDDQ.
Η συσκευή DDR3 E-die 4Gb είναι διαθέσιμη σε 96ball FBGA ((x16).

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
Σχετικά Προϊόντα