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Chip IC SAMSUNG

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

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K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Marchio:	Samsung
Numero di modello:	K4B4G1646E-BCNB000
MOQ:	100 pezzi
Dettagli dell'imballaggio:	100
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

Nome del prodotto:

SAMSUNG

modello:

K4B4G1646E-BCNB000

Densità:

Velocità:

2133Mbps

Voltaggio:

1,5 V

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Capacità di alimentazione:

10000

Evidenziare:

K4B4G1646E-BCNB000

Samsung IC Chips 4Gb

96FBGA Samsung IC Chips

Descrizione del prodotto

Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

SDRAM DDR3 E-die da 4Gb

x16

96FBGA con Lead-Free & Halogen-Free

(Conforme RoHS)

Caratteristiche principali

• Standard JEDEC 1.5V(1.425V~1.575V)

• V = 1.5V(1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK per 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK per 1066Mb/sec/pin,

667MHz fCK per 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK per 1600Mb/sec/pin,

933MHz fCK per 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK per 2133Mb/sec/pin

• 8 Banchi

• CAS Latency programmabile (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Additive Latency programmabile: 0, CL-2 o clock CL-1

• CAS Write Latency programmabile (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) e

10 (DDR3-2133)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8 , 4 con tCCD = 4 che non consente lettura senza interruzioni

o scrittura [sia On the fly tramite A12 o MRS]

• Data-Strobe differenziale bidirezionale

• Calibrazione interna (self): Calibrazione interna tramite pin ZQ

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• On Die Termination tramite pin ODT

• Periodo di Refresh medio 7.8us a T inferioreCASE 85C, 3.9us a

85C < TCASE < 95 C

• Reset asincrono

• Package : 96 pin FBGA - x16

• Tutti i prodotti Lead-Free sono conformi RoHS

• Tutti i prodotti sono Halogen-free

Il DDR3 SDRAM E-die da 4Gb è organizzato come un dispositivo 32Mbit x 16 I/O x 8 bank,

Questo dispositivo sincrono raggiunge velocità di trasferimento double-data-rate

elevate fino a 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) per applicazioni generali.

Il chip è progettato per essere conforme alle seguenti caratteristiche chiave del DDR3 SDRAM come posted CAS, CWL programmabile, Calibrazione interna (Self),

On Die Termination tramite pin ODT e Reset asincrono.

Tutti gli ingressi di controllo e indirizzo sono sincronizzati con una coppia di clock differenziali forniti esternamente. Gli ingressi vengono registrati al punto di incrocio dei clock differenziali (CK ascendente e CK discendente). Tutti gli I/O sono sincronizzati con una

coppia di strobe bidirezionali (DQS e DQS) in modalità sincrona sorgente. Il bus di indirizzi viene utilizzato per trasmettere informazioni sull'indirizzo di riga, colonna e banco

in stile di multiplexing RAS/CAS. Il dispositivo DDR3 opera

con un singolo alimentatore da 1.5V(1.425V~1.575V) e 1.5V(1.425V~1.575V)

DDQ

Il dispositivo DDR3 E-die da 4Gb è disponibile in FBGAs a 96 pin (x16).

Tag:

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