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K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1,5 V

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K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1,5 V

Markenname:	Samsung
Modellnummer:	K4B4G1646E-BCNB000
Mindestbestellmenge:	100 Stück
Verpackungsdetails:	100
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Samsung

Modell:

K4B4G1646E-BCNB000

Dichte:

Geschwindigkeit:

2133 Mbit/s

Stromspannung:

1,5 V

Temperatur:

0 ~ 85 °C

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

10000

Hervorheben:

K4B4G1646E-BCNB000

Samsung IC-Chips 4 GB

96FBGA Samsung IC-Chips

Produktbeschreibung

Samsung IC-Chips K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1,5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA mit bleifreier & halogenfreier Ausführung

(RoHS-konform)

Hauptmerkmale

• JEDEC-Standard 1,5V (1,425V~1,575V)

• VDas 4Gb DDR3 E-Die-Gerät ist in 96-Kugel-FBGA (x16) erhältlich. = 1,5V (1,425V~1,575V)

• 400 MHz fCK für 800Mb/Sek./Pin, 533MHz fCK für 1066Mb/Sek./Pin,

667MHz fCK für 1333Mb/Sek./Pin, 800MHz fCK für 1600Mb/Sek./Pin,

933MHz fCK für 1866Mb/Sek./Pin, 1066 MHz fCK für 2133Mb/Sek./Pin

• 8 Bänke

• Programmierbare CAS-Latenz (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Programmierbare additive Latenz: 0, CL-2 oder CL-1 Takt

• Programmierbare CAS-Schreiblatenz (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) und

10 (DDR3-2133)

• 8-Bit Vorabruf

• Burst-Länge: 8 , 4 mit tCCD = 4, was kein nahtloses Lesen

oder Schreiben ermöglicht [entweder On the fly mit A12 oder MRS]

• Bidirektionale differenzielle Daten-Strobe

• Interne (eigene) Kalibrierung: Interne eigene Kalibrierung über ZQ-Pin

(RZQ : 240 Ohm ± 1%)

• On-Die-Terminierung über ODT-Pin

• Durchschnittliche Auffrischungsperiode 7,8us bei niedriger als TCASE 85C, 3,9us bei

85C < TCASE < 95 C

• Asynchroner Reset

• Gehäuse: 96 Kugeln FBGA - x16

• Alle bleifreien Produkte sind RoHS-konform

• Alle Produkte sind halogenfrei

Der 4Gb DDR3 SDRAM E-Die ist als 32Mbit x 16 I/Os x 8 Bänke organisiert,

Gerät. Dieses synchrone Gerät erreicht hohe Geschwindigkeiten mit doppeltem Datenraten-

Übertragungsraten von bis zu 2133Mb/Sek./Pin (DDR3-2133) für allgemeine Anwendun

gen.

Der Chip ist so konzipiert, dass er die folgenden wichtigsten DDR3 SDRAM-Merkmale erfüllt, wie z. B. Posted CAS, programmierbare CWL, interne (eigene) Kalibrierung,

On-Die-Terminierung über ODT-Pin und asynchroner Reset.

Alle Steuerungs- und Adresseneingänge werden mit einem Paar extern

gelieferter differenzieller Takte synchronisiert. Eingänge werden am Kreuzungspunkt von differenziellen Takten (CK steigend und CK fallend) erfasst. Alle I/Os werden mit einem

Paar bidirektionaler Strobes (DQS und DQS) in einem quellensynchronen

Verfahren synchronisiert. Der Adressbus wird verwendet, um Zeilen-, Spalten- und Bankadressen

Informationen im RAS/CAS-Multiplexing-Stil zu übermitteln. Das DDR3-Gerät arbeitet

mit einer einzigen 1,5V (1,425V~1,575V) Stromversorgung und 1,5V (1,425V~1,575V)

DDQ

. Das 4Gb DDR3 E-Die-Gerät ist in 96-Kugel-FBGA (x16) erhältlich.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

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TSLC Semileds LED Lamp Beads

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