商品の詳細

ホーム製品

SAMSUNG ICチップ

K4B4G1646E-BCNB000 サムスン ICチップ 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

全カテゴリー

ハイパワーLEDチップ

送信

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

今接触

全カテゴリー

K4B4G1646E-BCNB000 サムスン ICチップ 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

ブランド名:	Samsung
モデル番号:	K4B4G1646E-BCNB000
MOQ:	100個
梱包の詳細:	100
支払い条件:	T/T

起源の場所:

K4B4G1646E-BCNB000

4ギガバイト

スピード:

2133Mbps

1.5 V

0 ~ 85 °C

供給の能力:

10000

ハイライト:

K4B4G1646E-BCNB000

サムスン ICチップ 4Gb

96FBGA サムスン ICチップ

製品説明

Samsung ICチップ K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

鉛フリー・ハロゲンフリーの96FBGA

（RoHS準拠）

主な特長

• JEDEC標準 1.5V（1.425V～1.575V）

• V = 1.5V（1.425V～1.575V）

• 400 MHz fCK（800Mb/sec/pin）、533MHz fCK（1066Mb/sec/pin）、

667MHz fCK（1333Mb/sec/pin）、800MHz fCK（1600Mb/sec/pin）、

933MHz fCK（1866Mb/sec/pin）、1066 MHz fCK（2133Mb/sec/pin）

• 8バンク

• プログラム可能なCASレイテンシ（posted CAS）：5,6,7,8,9,10,11,13,14

• プログラム可能なAdditive Latency：0, CL-2またはCL-1クロック

• プログラム可能なCAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

（DDR3-1066）、7 (DDR3-1333) 、8 (DDR3-1600)、9 (DDR3-1866) および

10 (DDR3-2133)

• 8ビットプリフェッチ

• バースト長：8、4（tCCD = 4、シームレスな読み取り/書き込みは不可）

（A12またはMRSを使用したオンザフライ）

• 双方向差動データストローブ

• 内部（自己）キャリブレーション：ZQピンによる内部自己キャリブレーション

（RZQ : 240 ohm ±1%）

• ODTピンを使用したオンダイ終端

• 平均リフレッシュ周期 7.8us（T℃） ℃ • パッケージ：96ボールFBGA - x16 85

℃ • パッケージ：96ボールFBGA - x16 • 全ての鉛フリー製品はRoHSに準拠しています < 95 ℃） • 非同期リセット • パッケージ：96ボールFBGA - x16 • 全ての鉛フリー製品はRoHSに準拠しています

• 全ての製品はハロゲンフリーです

4Gb DDR3 SDRAM E-dieは、32Mbit x 16 I/O x 8バンクのデバイスとして構成されています。

この同期デバイスは、一般的なアプリケーションで最大2133Mb/sec/pin（DDR3-2133）の高速ダブルデータレート転送レートを実現します。

このチップは、posted CAS、プログラム可能なCWL、内部（自己）キャリブレーション、ODTピンを使用したオンダイ終端、非同期リセットなどの以下の主要なDDR3 SDRAM機能に準拠するように設計されています。

すべての制御およびアドレス入力は、外部から供給される一対の差動クロックと同期しています。入力は、差動クロックの交差点（CKの上昇エッジとCKの下降エッジ）でラッチされます。すべてのI/Oは、ソース同期方式で一対の双方向ストローブ（DQSおよびDQS）と同期しています。アドレスバスは、RAS/CAS多重化スタイルで行、列、バンクのアドレス情報を伝達するために使用されます。DDR3デバイスは、単一の1.5V（1.425V～1.575V）電源と1.5V（1.425V～1.575V）のV

DDQ

で動作します。

4Gb DDR3 E-dieデバイスは、96ボールFBGA（x16）で利用可能です。

タグ:

オスラム LED チップ

クリー族LEDの破片

ST ICチップ

TIチップ

ブリッジルックス LED チップ

インフィニオンチップ

ルミナスLEDチップ

LEDランプのビード

SAMSUNG ICチップ

ミクロンチップ

SKハイニックスチップ

LumiLEDs LEDチップ

サムスン LEDチップ

ソウルLEDチップ

日亜化学工業 LEDチップ

NeXperia チップ

ONセミチップ

ADIチップ

TSLC セミレッド LEDランプ

ハイパワーLEDチップ

オスラム LED チップ

クリー族LEDの破片

ST ICチップ

TIチップ

ブリッジルックス LED チップ

インフィニオンチップ

ルミナスLEDチップ

LEDランプのビード

SAMSUNG ICチップ

ミクロンチップ

SKハイニックスチップ

LumiLEDs LEDチップ

サムスン LEDチップ

ソウルLEDチップ

日亜化学工業 LEDチップ

NeXperia チップ

ONセミチップ

ADIチップ

TSLC セミレッド LEDランプ

ハイパワーLEDチップ

商品の詳細

K4B4G1646E-BCNB000 サムスン ICチップ 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

オスラム LED チップ

クリー族LEDの破片

ST ICチップ

TIチップ

ブリッジルックス LED チップ

インフィニオンチップ

ルミナスLEDチップ

LEDランプのビード

SAMSUNG ICチップ

ミクロンチップ

SKハイニックスチップ

LumiLEDs LEDチップ

サムスン LEDチップ

ソウルLEDチップ

日亜化学工業 LEDチップ

NeXperia チップ

ONセミチップ

ADIチップ

TSLC セミレッド LEDランプ

ハイパワーLEDチップ

オスラム LED チップ

クリー族LEDの破片

ST ICチップ

TIチップ

ブリッジルックス LED チップ

インフィニオンチップ

ルミナスLEDチップ

LEDランプのビード

SAMSUNG ICチップ

ミクロンチップ

SKハイニックスチップ

LumiLEDs LEDチップ

サムスン LEDチップ

ソウルLEDチップ

日亜化学工業 LEDチップ

NeXperia チップ

ONセミチップ

ADIチップ