szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Układy scalone SAMSUNG

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Nazwa marki:	Samsung
Numer modelu:	K4B4G1646E-BCNB000
MOQ:	100szt
Szczegóły opakowania:	100
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

SAMSUNG

model:

K4B4G1646E-BCNB000

Gęstość:

Prędkość:

2133 Mb/s

Woltaż:

1,5 V

Temperatura:

0 ~ 85°C

Możliwość Supply:

10000

Podkreślić:

K4B4G1646E-BCNB000

Samsung IC Chips 4Gb

96FBGA Samsung IC Chips

Opis produktu

Układy scalone Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA z bezołowiowym i bezhalogenowym

(Zgodny z RoHS)

Kluczowe cechy

• Standard JEDEC 1.5V (1.425V~1.575V)

• V = 1.5V (1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK dla 800Mb/sek/pin, 533MHz fCK dla 1066Mb/sek/pin,

667MHz fCK dla 1333Mb/sek/pin, 800MHz fCK dla 1600Mb/sek/pin,

933MHz fCK dla 1866Mb/sek/pin, 1066 MHz fCK dla 2133Mb/sek/pin

• 8 banków

• Programowalna latencja CAS (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Programowalna latencja addytywna: 0, CL-2 lub zegar CL-1

• Programowalna latencja zapisu CAS (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) i

10 (DDR3-2133)

• 8-bitowy pre-fetch

• Długość serii: 8, 4 z tCCD = 4, co nie pozwala na płynne odczyty

lub zapis [albo na bieżąco za pomocą A12 lub MRS]

• Dwukierunkowy strumień danych różnicowych

• Wewnętrzna (samodzielna) kalibracja: Wewnętrzna samodzielna kalibracja przez pin ZQ

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• Terminacja na chipie za pomocą pinu ODT

• Średni okres odświeżania 7.8us przy temperaturze poniżej T°C°C• Obudowa: 96 kul FBGA - x1685

°C• Obudowa: 96 kul FBGA - x16• Wszystkie produkty bezołowiowe są zgodne z RoHS< 95°C• Asynchroniczne resetowanie• Obudowa: 96 kul FBGA - x16• Wszystkie produkty bezołowiowe są zgodne z RoHS

• Wszystkie produkty są bezhalogenowe

4Gb DDR3 SDRAM E-die jest zorganizowany jako 32Mbit x 16 I/O x 8 banków,

urządzenie. To synchroniczne urządzenie osiąga szybkie dwukrotne przesyłanie danych

z prędkością do 2133Mb/sek/pin (DDR3-2133) dla ogólnych zastosowań.

Chip jest zaprojektowany tak, aby spełniał następujące kluczowe cechy DDR3 SDRAM,

takie jak posted CAS, programowalny CWL, wewnętrzna (samodzielna) kalibracja,

terminacja na chipie za pomocą pinu ODT i asynchroniczne resetowanie.

Wszystkie wejścia sterujące i adresowe są zsynchronizowane z parą zewnętrznych

różnicowych zegarów. Wejścia są zatrzaskiwane na skrzyżowaniu różnicowych

zegarów (CK narastające i CK opadające). Wszystkie I/O są zsynchronizowane z

parą dwukierunkowych strumieni (DQS i DQS) w sposób synchroniczny ze źródłem.

Szyna adresowa służy do przekazywania informacji o adresie wiersza, kolumny i banku

w stylu multipleksowania RAS/CAS. Urządzenie DDR3 działa

z pojedynczym zasilaniem 1.5V (1.425V~1.575V) i 1.5V (1.425V~1.575V)

DDQ

Urządzenie 4Gb DDR3 E-die jest dostępne w obudowach 96kulowych FBGAs (x16).

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI