logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه های آی سی سامسونگ
Created with Pixso.

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4 گیگابیت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 ولت

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4 گیگابیت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 ولت

نام تجاری: Samsung
شماره مدل: K4B4G1646E-BCNB000
MOQ: 100 عدد
جزئیات بسته بندی: 100
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
نام محصول:
سامسونگ
مدل:
K4B4G1646E-BCNB000
تراکم:
4 گیگابایت
سرعت:
2133 مگابیت بر ثانیه
ولتاژ:
1.5 ولت
دما:
0 ~ 85 درجه سانتیگراد
قابلیت ارائه:
10000
برجسته کردن:

K4B4G1646E-BCNB000

,

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ 4 گیگابیت

,

96FBGA تراشه‌های آی‌سی سامسونگ

توضیحات محصول

تراشه های IC سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


حافظه ی حافظه ای 4 گیگابایتی E-die DDR3
x16
96FBGA بدون سرب و بدون هالوجن
(با RoHS مطابقت دارد)

ویژگی های کلیدی
تراشه‌های آی‌سی سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4 گیگابیت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 ولت
• استاندارد JEDEC 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ= 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• 400 مگاهرتزCKبرای 800Mb/sec/pin، 533MHz fCKبرای 1066Mb/sec/pin
667MHz fCKبرای 1333Mb/sec/pin، 800MHz fCKبرای 1600Mb/sec/pin،
933 مگاهرتز fCKبرای 1866Mb/sec/pin، 1066 MHz fCK برای 2133Mb/sec/pin
• 8 بانک
• تاخير برنامه ريزي شده CAS ((پست شده CAS): 5،6,7,8,9,10,11,13,14
• تاخیر افزوده قابل برنامه ریزی: ساعت 0، CL-2 یا CL-1
• تاخیر نوشتن برنامه نویسی CAS (CWL) = 5 (DDR3-800) ، 6
(DDR3-1066) ، 7 (DDR3-1333) ، 8 (DDR3-1600) ، 9 (DDR3-1866) و
10 (DDR3-2133)
• 8 بیتی از قبل دریافت کنید
• طول انفجار: 8،4 با tCCD = 4 که اجازه خواندن بدون درز را نمی دهد
یا بنویسید [یا در پرواز با استفاده از A12 یا MRS]
• دو طرفه دیفرانسیل داده استروب
• کالیبراسیون داخلی: کالیبراسیون داخلی از طریق پین ZQ
(RZQ: 240 اوم ± 1٪)
• با استفاده از پین ODT
• متوسط دوره تجدید 7.8us در کمتر از Tپرونده85️C، 3.9us در
85️C < Tپرونده< 95️C
• تنظیم مجدد غیرمستقیم
• بسته بندی: 96 توپ FBGA - x16
• تمام محصولات بدون سرب مطابق با RoHS هستند
• تمام محصولات بدون هالوجن هستند
4Gb DDR3 SDRAM E-die به صورت 32Mbit x 16 I/O x 8 بانک سازماندهی شده است،
دستگاه. این دستگاه هم زمان به دست می آورد سرعت بالا دو برابر نرخ داده
نرخ انتقال تا 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) برای کاربردهای عمومی
..
تراشه طراحی شده است که با کلید DDR3 SDRAM FEA مطابقت داشته باشد:
روش هایی مانند CAS، CWL قابل برنامه ریزی، کالیبراسیون داخلی (خود)
با استفاده از پین ODT و Reset Asynchronous
تمام ورودی های کنترل و آدرس با یک جفت
ساعت های دیفرانسیل که به طور کامل تامین می شوند.
تمام I/O ها با یک ساعت هماهنگ می شوند.
جفت استروب دو طرفه (DQS و DQS) در یک فاش هم زمان منبع
آدرس بس برای انتقال ردیف، ستون و آدرس بانک استفاده می شود
اطلاعات در یک سبک چندگانه RAS / CAS. دستگاه DDR3 کار می کند
با یک منبع 1.5V ((1.425V ~ 1.575V) و 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
VDDQ.
دستگاه 4Gb DDR3 E-die در 96 توپ FBGA ((x16) موجود است.

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4 گیگابیت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 ولت

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ K4B4G1646E-BCNB000 4 گیگابیت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 ولت