جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ NT5AD512M16C4-JR 8 گیگابیت C-Die DDR4 SDRAM 1.2 ولت تا 3200 مگابیت بر ثانیه

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ NT5AD512M16C4-JR 8 گیگابیت C-Die DDR4 SDRAM 1.2 ولت تا 3200 مگابیت بر ثانیه

نام تجاری:	Samsung
شماره مدل:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100 عدد
جزئیات بسته بندی:	100
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

نام محصول:

سامسونگ

NT5AD512M16C4-JR

تراکم:

8 گیگابایت

ولتاژ:

1.2 ولت

بسته:

سرعت:

3200 مگابیت بر ثانیه

0 تا 95 درجه سانتیگراد

درجه:

تجاری

قابلیت ارائه:

10000

برجسته کردن:

NT5AD512M16C4-JR

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ 8 گیگابیت

تراشه‌های آی‌سی DDR4 SDRAM

توضیحات محصول

تراشه های IC سامسونگ NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V تا 3200Mbps

ویژگی ها

️یکپارچگی داده

- خودکار خود تازه (ASR) توسط DRAM ساخته شده در TS

- حالت های تازه سازی اتوماتیک و خود تازه سازی

️پهنای باند دسترسی DRAM

- ساختارهای جدا شده از طریق گروه های بانکی

-خودت رو تازه کن سقط

- رفرش دانه دار خوب

️همگام سازی سیگنال

- نوشتن سطح از طریق تنظیمات MR1

- خواندن سطح از طریق MPR

️قابلیت اطمینان و رسیدگی به خطا

- برابری فرماندهی/آدرس

-برنامه ی CRC را بنویس

-چشم اندازي MPR

- اسکن مرزی (X16)

- بعد از تعمیر بسته

️یکپارچگی سیگنال

- آموزش داخلی VREFDQ

- آموزش مقدمه رو بخون

- حالت کاهش سرعت

- در هر DRAM آدرس پذیری

- DS قابل تنظیم برای سازگاری سیستم

- تعيين شده بر روي مرموزي

- تعویض اتوبوس داده (DBI)

- کالیبراسیون ZQ برای دقت مقاومت DS / ODT

از طریق پد ZQ خارجی (240Ω± 1٪

️صرفه جویی در انرژی و کارایی

- POD با پایان VDDQ

- زمان تاخیر فرمان / آدرس (CAL)

- حداکثر صرفه جویی در انرژی

-خودرساني اتوماتيک با قدرت کم (LPASR)

️یکپارچگی داده

- خودکار خود تازه (ASR) توسط DRAM ساخته شده در TS

- حالت های تازه سازی اتوماتیک و خود تازه سازی

️پهنای باند دسترسی DRAM

- ساختارهای جدا شده از طریق گروه های بانکی

-خودت رو تازه کن سقط

- رفرش دانه دار خوب

️همگام سازی سیگنال

- نوشتن سطح از طریق تنظیمات MR1

- خواندن سطح از طریق MPR

️قابلیت اطمینان و رسیدگی به خطا

- برابری فرماندهی/آدرس

-برنامه ی CRC را بنویس

-چشم اندازي MPR

- اسکن مرزی (X16)

- بعد از تعمیر بسته

️یکپارچگی سیگنال

- آموزش داخلی VREFDQ

- آموزش مقدمه رو بخون

- حالت کاهش سرعت

- در هر DRAM آدرس پذیری

- DS قابل تنظیم برای سازگاری سیستم

- تعيين شده بر روي مرموزي

- تعویض اتوبوس داده (DBI)

- کالیبراسیون ZQ برای دقت مقاومت DS / ODT

از طریق پد ZQ خارجی (240Ω± 1٪

️صرفه جویی در انرژی و کارایی

- POD با پایان VDDQ

- زمان تاخیر فرمان / آدرس (CAL)

- حداکثر صرفه جویی در انرژی

-خودرساني اتوماتيک با قدرت کم (LPASR)

توابع قابل برنامه ریزی

️مقاومت راننده خروجی (34/48)

️تاخیر نوشتن CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

️تاخیر افزوده (0/CL-1/CL-2)

️CS به آدرس فرماندهی تاخیر (3/4/5/6/8)

️زمان تاخیر آدرس فرمان (4/5/6)

️زمان بازیابی را بنویسید (10/12/14/16/18/20/24)

️نوع انفجار (تسلسل/متمایز)

️RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

️RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

️RTT_WR (80/120/240)

️خواندن مقدمه (۱T/2T)

️نوشتن مقدمه (1T/2T)

️طول انفجار (BL8/BC4/BC4 یا 8 در پرواز)

️LPASR (دستی: نرمال/کم شده/متمدید، اتوماتیک:TS)

گزینه ها

️درجه سرعت (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 مگابايت / 19-19-19

- 3200 مگابايت / 22-22

️درجه حرارتمحدوده (Tc)5

- درجه تجاری: 0°C95°C

️VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

️اطلاعات بسته بندی

تطابق RoHS بدون سرب و بدون هالوجن

️تراکم و آدرس

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

تراشه‌های آی‌سی سامسونگ NT5AD512M16C4-JR 8 گیگابیت C-Die DDR4 SDRAM 1.2 ولت تا 3200 مگابیت بر ثانیه

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI