Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микросхемы SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR Samsung Микросхемы 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V до 3200 Мбит/с

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

NT5AD512M16C4-JR Samsung Микросхемы 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V до 3200 Мбит/с

Название бренда:	Samsung
Номер модели:	NT2СТРУКТУР
минимальный заказ:	100 шт.
Детали упаковки:	100
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

Samsung

модель:

NT2СТРУКТУР

Плотность:

Напряжение:

1,2 В.

Упаковка:

Скорость:

3200Mbps

Температура:

0~95°С

Оценка:

Коммерческий

Поставка способности:

10000

Выделить:

NT2СТРУКТУР

Samsung Микросхемы 8Gb

DDR4 SDRAM Микросхемы

Описание продукта

Микросхемы Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V до 3200 Мбит/с

Особенности

 Целостность данных

- Автоматическое самообновление (ASR) с помощью встроенного TS DRAM

- Режимы автоматического обновления и самообновления

 Пропускная способность доступа к DRAM

- Раздельные структуры ввода-вывода по группам банков

- Прерывание самообновления

- Мелкозернистое обновление

 Синхронизация сигналов

- Выравнивание записи через настройки MR1

- Выравнивание чтения через MPR

 Надежность и обработка ошибок

- Четность команд/адресов

- Контрольная сумма записи шины данных

- Считывание MPR

- Сканирование границ (X16)

- Пост-ремонт пакета

 Целостность сигналов

- Внутреннее обучение VREFDQ

- Обучение преамбулы чтения

- Режим пониженной передачи

- Адресация каждого DRAM

- Настраиваемый DS для совместимости с системой

- Настраиваемое внутреннее затухание

- Инверсия шины данных (DBI)

- Калибровка ZQ для точности импеданса DS/ODT

через внешний контакт ZQ (240 Ω ± 1%)

 Энергосбережение и эффективность

- POD с затуханием VDDQ

- Задержка команд/адресов (CAL)

- Максимальное энергосбережение

- Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR)

 Целостность данных

- Автоматическое самообновление (ASR) с помощью встроенного TS DRAM

- Режимы автоматического обновления и самообновления

 Пропускная способность доступа к DRAM

- Раздельные структуры ввода-вывода по группам банков

- Прерывание самообновления

- Мелкозернистое обновление

 Синхронизация сигналов

- Выравнивание записи через настройки MR1

- Выравнивание чтения через MPR

 Надежность и обработка ошибок

- Четность команд/адресов

- Контрольная сумма записи шины данных

- Считывание MPR

- Сканирование границ (X16)

- Пост-ремонт пакета

 Целостность сигналов

- Внутреннее обучение VREFDQ

- Обучение преамбулы чтения

- Режим пониженной передачи

- Адресация каждого DRAM

- Настраиваемый DS для совместимости с системой

- Настраиваемое внутреннее затухание

- Инверсия шины данных (DBI)

- Калибровка ZQ для точности импеданса DS/ODT

через внешний контакт ZQ (240 Ω ± 1%)

 Энергосбережение и эффективность

- POD с затуханием VDDQ

- Задержка команд/адресов (CAL)

- Максимальное энергосбережение

- Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR)

Программируемые функции

Выходной импеданс драйвера (34/48)

Задержка записи CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Дополнительная задержка (0/CL-1/CL-2)

Задержка от CS до команды/адреса (3/4/5/6/8)

Задержка четности команды/адреса (4/5/6)

Время восстановления записи (10/12/14/16/18/20/24)

Тип пакета (последовательный/чередующийся)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Преамбула чтения (1T/2T)

Преамбула записи (1T/2T)

Длина пакета (BL8/BC4/BC4 или 8 на лету)

LPASR (Ручной: Нормальный/Пониженный/Расширенный, Авто: TS)

Опции

Степень скорости (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Мбит/с / 19-19-19

- 3200 Мбит/с / 22-22-22

Диапазон температур (Tc) 5 - Коммерческий класс: 0℃

~95VDD/VDDQ/VPP  VDD/VDDQ/VPP



Информация об упаковке



Плотность и адресация

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

NT5AD512M16C4-JR Samsung Микросхемы 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V до 3200 Мбит/с

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI