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Puces IC SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Jusqu'à 3200Mbps

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NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Jusqu'à 3200Mbps

Nom De La Marque:	Samsung
Numéro De Modèle:	NT5AD512M16C4-JR
Quantité Minimale De Commande:	100 pièces
Détails De L'emballage:	100
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

Nom du produit:

Samsung

modèle:

NT5AD512M16C4-JR

Densité:

Tension:

1.2 V

Emballer:

Vitesse:

3200Mbps

Température:

0~95°C

Grade:

Commercial

Capacité d'approvisionnement:

10000

Mettre en évidence:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung IC Chips 8Gb

IC Chips DDR4 SDRAM

Description du produit

Puces Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V jusqu'à 3200 Mbps

Caractéristiques

Intégrité des données

- Auto Self Refresh (ASR) par DRAM intégré TS

- Modes Auto Refresh et Self Refresh

Bande passante d'accès DRAM

- Structures de gating d'E/S séparées par groupes de banques

- Abort Self Refresh

- Refresh à granularité fine

Synchronisation du signal

- Write Leveling via paramètres MR1

- Read Leveling via MPR

Fiabilité et gestion des erreurs

- Parité commande/adresse

- CRC d'écriture du bus de données

- Lecture MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Intégrité du signal

- Formation interne VREFDQ

- Formation de préambule de lecture

- Mode Gear Down

- Adressabilité par DRAM

- DS configurable pour la compatibilité système

- Terminaison sur puce configurable

- Inversion du bus de données (DBI)

- Calibration ZQ pour la précision de l'impédance DS/ODT

via pad ZQ externe (240Ω± 1%)

Économie d'énergie et efficacité

- POD avec terminaison VDDQ

- Latence commande/adresse (CAL)

- Économie d'énergie maximale

- Auto Self Refresh basse consommation (LPASR)

Intégrité des données

- Auto Self Refresh (ASR) par DRAM intégré TS

- Modes Auto Refresh et Self Refresh

Bande passante d'accès DRAM

- Structures de gating d'E/S séparées par groupes de banques

- Abort Self Refresh

- Refresh à granularité fine

Synchronisation du signal

- Write Leveling via paramètres MR1

- Read Leveling via MPR

Fiabilité et gestion des erreurs

- Parité commande/adresse

- CRC d'écriture du bus de données

- Lecture MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Intégrité du signal

- Formation interne VREFDQ

- Formation de préambule de lecture

- Mode Gear Down

- Adressabilité par DRAM

- DS configurable pour la compatibilité système

- Terminaison sur puce configurable

- Inversion du bus de données (DBI)

- Calibration ZQ pour la précision de l'impédance DS/ODT

via pad ZQ externe (240Ω± 1%)

Économie d'énergie et efficacité

- POD avec terminaison VDDQ

- Latence commande/adresse (CAL)

- Économie d'énergie maximale

- Auto Self Refresh basse consommation (LPASR)

Fonctions programmables

Impédance du pilote de sortie (34/48)

Latence d'écriture CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Latence additive (0/CL-1/CL-2)

Latence CS vers commande adresse (3/4/5/6/8)

Latence de parité commande adresse (4/5/6)

Temps de récupération d'écriture (10/12/14/16/18/20/24)

Type de burst (Séquentiel/Entrelacé)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Préambule de lecture (1T/2T)

Préambule d'écriture (1T/2T)

Longueur de burst (BL8/BC4/BC4 ou 8 à la volée)

LPASR (Manuel : Normal/Réduit/Étendu, Auto : TS)

Options

Grade de vitesse (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Plage de température (Tc)5- Grade commercial : 0°C~95°C

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Conformité RoHS sans plomb et sans halogène

Balises:

mémoire samsung ic

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