details van de producten

Huis Producten

SAMSUNG IC-chips

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tot 3200Mbps

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tot 3200Mbps

Merknaam:	Samsung
Modelnummer:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100 stuks
Verpakkingsdetails:	100
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

Productnaam:

Samsung

model:

NT5AD512M16C4-JR

Dikte:

Spanning:

Pakket:

Snelheid:

3200Mbps

Temperatuur:

0~95°C

Cijfer:

Commercieel

Levering vermogen:

10000

Markeren:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung IC Chips 8Gb

DDR4 SDRAM IC Chips

Productbeschrijving

Samsung IC-chips NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V tot 3200Mbps

Kenmerken

Gegevensintegriteit

- Auto Self Refresh (ASR) door DRAM ingebouwde TS

- Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing

Bandbreedte van DRAM-toegang

- Gescheiden IO-gatingstructuren per bankgroep

- Zelfverfrissen Abort

- Verfrissing van de fijne korrels

Signalsynchronisatie

- Schrijf level via MR-instellingen1

- Lezen Nivelling via MPR

Betrouwbaarheid en foutbeheer

- Commando/adrespariteit

- Databus schrijven CRC

- MPR-aflezing.

- Grensscan (X16)

- Na reparatie van het pakket

Signalintegriteit

- Interne VREFDQ-opleiding

- Lees de preambule training

- Verstelstand.

- Per DRAM adresserbaarheid

- Configurable DS voor systeemcompatibiliteit

- Configureerbare on-die terminatie

- Databus-omkering (DBI)

- ZQ-kalibratie voor de nauwkeurigheid van de DS/ODT-impedantie

via de externe ZQ-pad (240Ω± 1%)

Energiebesparing en efficiëntie

- POD met VDDQ beëindiging

- Command/Address Latency (CAL)

- Maximale energiebesparing

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

Gegevensintegriteit

- Auto Self Refresh (ASR) door DRAM ingebouwde TS

- Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing

Bandbreedte van DRAM-toegang

- Gescheiden IO-gatingstructuren per bankgroep

- Zelfverfrissen Abort

- Verfrissing van de fijne korrels

Signalsynchronisatie

- Schrijf level via MR-instellingen1

- Lezen Nivelling via MPR

Betrouwbaarheid en foutbeheer

- Commando/adrespariteit

- Databus schrijven CRC

- MPR-aflezing.

- Grensscan (X16)

- Na reparatie van het pakket

Signalintegriteit

- Interne VREFDQ-opleiding

- Lees de preambule training

- Verstelstand.

- Per DRAM adresserbaarheid

- Configurable DS voor systeemcompatibiliteit

- Configureerbare on-die terminatie

- Databus-omkering (DBI)

- ZQ-kalibratie voor de nauwkeurigheid van de DS/ODT-impedantie

via de externe ZQ-pad (240Ω± 1%)

Energiebesparing en efficiëntie

- POD met VDDQ beëindiging

- Command/Address Latency (CAL)

- Maximale energiebesparing

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

Programmeerbare functies

Uitgangsdriverimpedantie (34/48)

CAS-schrijflatentie (9/10/11/12/14/16/18/20)

Additieve latentie (0/CL-1/CL-2)

CS naar Command Address Latency (3/4/5/6/8)

Commando-adrespariteitslatentie (4/5/6)

Schrijf hersteltijd (10/12/14/16/18/20/24)

Type barst (sequentieel/interleaved)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Lees de preambule (1T/2T)

Schrijven van de preambule (1T/2T)

Blastlengte (BL8/BC4/BC4 of 8 op de vlucht)

LPASR (handmatig: normaal/verminderd/verlengd, automatisch: TS)

Opties

Versnellingsgraad (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

TemperatuurBereik (Tc.)5

- handelskwaliteit: 0°C~ 95°C

VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Informatie over de verpakking

Loodvrij en halogeenvrij

Dichtheid en adressering

Labels:

samsung geheugen ic

Samsung Chips

samsung ddr4 sdram

Gerelateerde producten

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Krijg Beste Prijs

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Krijg Beste Prijs

K4AAG085WC-BCWE000 SAMSUNG Chips 16GB DDR4 1.2V 2400Mbps 78 ball FBGA

Krijg Beste Prijs

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tot 3200Mbps

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips