logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
SAMSUNG IC-chips
Created with Pixso.

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Merknaam: Samsung
Modelnummer: K4B4G1646E-BCNB000
MOQ: 100 stuks
Verpakkingsdetails: 100
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Productnaam:
Samsung
model:
K4B4G1646E-BCNB000
Dikte:
4 GB
Snelheid:
2133Mbps
Spanning:
1.5 V
Temperatuur:
0 ~ 85 °C
Levering vermogen:
10000
Markeren:

K4B4G1646E-BCNB000

,

Samsung IC Chips 4Gb

,

96FBGA Samsung IC Chips

Productbeschrijving

Samsung IC-chips K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4Gb E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA met loodvrije & halogeenvrije
(RoHS-conform)

Belangrijkste kenmerken
K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
• JEDEC-standaard 1.5V(1.425V~1.575V)
• V. = 1.5V(1.425V~1.575V)
• 400 MHz fCK voor 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK voor 1066Mb/sec/pin,
667MHz fCK voor 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK voor 1600Mb/sec/pin,
933MHz fCK voor 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK voor 2133Mb/sec/pin
• 8 Banken
• Programmeerbare CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Programmeerbare Additive Latency: 0, CL-2 of CL-1 klok
• Programmeerbare CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) en
10 (DDR3-2133)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Lengte: 8 , 4 met tCCD = 4 wat geen naadloze lees
of schrijfactie toestaat [ofwel On the fly met A12 of MRS]
• Bi-directionele differentiële Data-Strobe
• Interne (zelf)kalibratie: Interne zelfkalibratie via ZQ-pin
(RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination met ODT-pin
• Gemiddelde Refresh Periode 7.8us bij lager dan TCASE 85C, 3.9us bij
85C < TCASE < 95 C
• Asynchrone Reset
• Pakket: 96 ballen FBGA - x16
• Alle loodvrije producten voldoen aan RoHS
• Alle producten zijn halogeenvrij
De 4Gb DDR3 SDRAM E-die is georganiseerd als een 32Mbit x 16 I/O's x 8banken,
apparaat. Dit synchrone apparaat bereikt hoge snelheid dubbele-data-rate
overdrachtssnelheden tot 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) voor algemene toepassingen.
De chip is ontworpen om te voldoen aan de volgende belangrijke DDR3 SDRAM-functies
zoals posted CAS, Programmeerbare CWL, Interne (zelf)kalibratie,
On Die Termination met ODT-pin en Asynchrone Reset.
Alle besturings- en adresingangen zijn gesynchroniseerd met een paar extern
geleverde differentiële klokken. Ingangen worden gelatcht op het kruispunt van
differentiële klokken (CK stijgend en CK dalend). Alle I/O's zijn gesynchroniseerd met een
paar bidirectionele strobes (DQS en DQS) in een bron-synchrone modus.
De adresbus wordt gebruikt om rij-, kolom- en bankadres
informatie over te brengen in een RAS/CAS-multiplexstijl. Het DDR3-apparaat werkt
met een enkele 1.5V(1.425V~1.575V)voeding en 1.5V(1.425V~1.575V)
V
DDQ. Het 4Gb DDR3 E-die apparaat is verkrijgbaar in 96ball FBGAs(x16).

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V