logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
SAMSUNG IC-chips
Created with Pixso.

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Merknaam: Samsung
Modelnummer: K4A4G165WF-BCTD000
MOQ: 100 stuks
Verpakkingsdetails: 100
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Productnaam:
Samsung
model:
K4A4G165WF-BCTD000
Dikte:
4 GB
Snelheid:
2666 Mbps
Spanning:
1.2 V
Temperatuur:
0 ~ 85 °C
Pakket:
96FBGA
Levering vermogen:
10000
Markeren:

K4A4G165WF-BCTD000

,

Samsung Chips K4A4G165WF

,

96FBGA Samsung Chips

Productbeschrijving

Samsung IC-chips K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1,2 V

 

4 GB F-die DDR4 SDRAM
Alleen x16
96FBGA met loodvrij en halogeenvrij
(RoHS-conform)
 
Belangrijkste kenmerken
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
• JEDEC-standaard 1,2 V (1,14 V~1,26 V)
• VDDQ= 1,2 V (1,14 V ~ 1,26 V)
• VPP.= 2,5 V (2,375 V~2,75 V)
•800 MHz fCKvoor 1600Mb/sec/pin,933 MHz fCKvoor 1866Mb/sec/pin,
1067 MHz fCKvoor 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCKvoor 2400Mb/sec/pin,
1333MHz fCKvoor 2666Mb/sec/pin, 1600 MHz fCKvoor 3200Mb/sec/pin
• 8 banken (2 bankgroepen)
• Programmeerbare CAS-latentie (posted CAS):
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24
• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12
(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-
2666) en 16,20 (DDR4-3200)
• 8-bits pre-fetch
• Burst Length: 8, 4 met tCCD = 4 waardoor naadloos aflezen niet mogelijk is
of schrijf [hetzij On the fly met A12 of MRS]
• Bi-directionele differentiële datastrob
• Interne (zelf) kalibratie: Interne zelfkalibratie via een ZQ-pin
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Op die beëindiging met behulp van ODT pin
• Gemiddelde verversingsperiode 7,8us bij een temperatuur lager dan THet Hof van Justitie85C, 3,9us bij
85C < THet Hof van Justitie< 95C
• Asynchrone reset
• Pakket: 96 ballen FBGA - x16
• Alle loodvrije producten voldoen aan RoHS
• Alle producten zijn halogeenvrij
• CRC (Cyclic Redundancy Check) voor lees/schrijfgegevensbeveiliging
• Commando-adrespariteitscontrole
• DBI (Data Bus Inversion)
• Verstelstand
• POD-interface (Pseudo Open Drain) voor gegevensinvoer/uitvoer
• Interne VREF voor gegevensinvoer
• Externe VPP voor DRAM-activering
• hPPR wordt ondersteund
De 4Gb DDR4 SDRAM F-die is georganiseerd als een 32Mbit x 16 I/O x 8banks
Dit synchrone apparaat bereikt hoge snelheid dubbel data-rate
overdrachtssnelheden tot 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) voor algemene toepassingen
De Commissie is van oordeel dat de
De chip is ontworpen om te voldoen aan de volgende sleutel DDR4 SDRAM fea
Toerisme zoals gepost CAS, programmeerbare CWL, interne (zelf) kalibratie,
Met behulp van ODT pin en Asynchrone Reset.
Alle besturings- en adresinvoeringen worden gesynchroniseerd met een paar externe
De ingangen worden vastgemaakt op het kruispunt van de differentialarm.
Alle I/O's worden gesynchroniseerd met een
een dubbelrichtingsstroboscooppaar (DQS en DQS) in een bron synchrone fash
De adresbus wordt gebruikt om rij, kolom en bankadres over te brengen
Het DDR4-apparaat werkt met een RAS-/CAS-multiplexingsysteem.
met een enkele 1,2V (1,14V~1,26V) voedingsbron, 1,2V(1,14V~1,26V) VDDQ
en 2,5 V (2,375 V tot 2,75) VPP..
Het 4 GB DDR4 F-die apparaat is verkrijgbaar in 96 ball FBGA's ((x16).
 
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V