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K4A4G165WF-BCTD000 삼성 칩 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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K4A4G165WF-BCTD000 삼성 칩 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

브랜드 이름:	Samsung
모델 번호:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100개
포장 세부사항:	100
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

K4A4G165WF-BCTD000

2666 MBP

0~85℃

96FBGA

공급 능력:

10000

강조하다:

K4A4G165WF-BCTD000

삼성 칩 K4A4G165WF

96FBGA 삼성 칩

제품 설명

삼성 IC 칩 K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

x16 전용

리드프리 및 할로겐 프리 96FBGA

(RoHS 규격 준수)

주요 특징

• JEDEC 표준 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz f (3200Mb/초/핀) (1600Mb/초/핀), 933 MHz f (3200Mb/초/핀) (1866Mb/초/핀),

1067MHz f (3200Mb/초/핀) (2133Mb/초/핀), 1200MHz f (3200Mb/초/핀) (2400Mb/초/핀),

1333MHz fCK (2666Mb/초/핀), 1600MHz fCK (3200Mb/초/핀) • 8 뱅크 (2 뱅크 그룹)

• 프로그래밍 가능한 CAS Latency (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• 프로그래밍 가능한 CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866), 11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) 및 16,20 (DDR4-3200)

• 8비트 프리페치

• 버스트 길이: 8, 4 (tCCD = 4, 원활한 읽기/쓰기 불가 [On the fly A12 또는 MRS 사용]

• 양방향 차동 데이터 스트로브

• 내부 (자체) 캘리브레이션: ZQ 핀을 통한 내부 자체 캘리브레이션

(RZQ: 240옴 ± 1%)

• ODT 핀을 사용한 온다이 종단

• 85°C 미만 시 평균 새로고침 주기 7.8us, 85°C 시 3.9us

CASE < 95 C 85

C < TCASE < 95 C • 비동기 리셋

• 패키지: 96볼 FBGA - x16

• 모든 리드프리 제품은 RoHS 규격 준수

• 모든 제품은 할로겐 프리

• 읽기/쓰기 데이터 보안을 위한 CRC (Cyclic Redundancy Check)

• 명령 주소 패리티 검사

• DBI (Data Bus Inversion)

• 기어 다운 모드

• 데이터 입출력을 위한 POD (Pseudo Open Drain) 인터페이스

• 내부 VREF (데이터 입력용)

• 외부 VPP (DRAM 활성화 전원용)

• hPPR 지원

4Gb DDR4 SDRAM F-die는 32Mbit x 16 I/O x 8뱅크 장치로 구성됩니다. 이 동기식 장치는 일반 애플리케이션을 위해 최대 3200Mb/초/핀(DDR4-3200)의 고속 이중 데이터 전송 속도를 달성합니다. 이 칩은 포스트 CAS, 프로그래밍 가능한 CWL, 내부 (자체) 캘리브레이션, ODT 핀을 사용한 온다이 종단 및 비동기 리셋과 같은 다음 주요 DDR4 SDRAM 기능을 준수하도록 설계되었습니다. 모든 제어 및 주소 입력은 외부에서 공급되는 차동 클럭 쌍과 동기화됩니다. 입력은 차동 클럭(CK 상승 및 CK 하강)의 교차점에서 래치됩니다. 모든 I/O는 소스 동기식 방식으로 양방향 스트로브(DQS 및 DQS) 쌍과 동기화됩니다. 주소 버스는 RAS/CAS 멀티플렉싱 스타일로 행, 열 및 뱅크 주소 정보를 전달하는 데 사용됩니다. DDR4 장치는 단일 1.2V(1.14V~1.26V) 전원 공급 장치, 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ

및 2.5V(2.375V~2.75V) V

로 작동합니다. 4Gb DDR4 F-die 장치는 96볼 FBGAs(x16)로 제공됩니다.

태그:

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