logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
SAMSUNG Entegre Devreleri
Created with Pixso.

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Marka Adı: Samsung
Model Numarası: K4A4G165WF-BCTD000
Adedi: 100 adet
Paketleme Detayları: 100
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Ürün adı:
SAMSUNG
modeli:
K4A4G165WF-BCTD000
Yoğunluk:
4 CİGABAYT
Hız:
2666 Mb/sn
Gerilim:
1,2V
Sıcaklık:
0 ~ 85 °C
Paket:
96FBGA
Yetenek temini:
10000
Vurgulamak:

K4A4G165WF-BCTD000

,

Samsung Çipleri K4A4G165WF

,

96FBGA Samsung Çipleri

Ürün Açıklaması

Samsung IC çipleri K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

 

4GB F-die DDR4 SDRAM
Sadece x16
96FBGA kurşun ve halogen içermeyen
(RoHS uyumlu)
 
Anahtar özellikler
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
• JEDEC standardı 1.2V (1.14V~1.26V)
• VDDQ= 1.2V (1.14V ~ 1.26V)
• VPP= 2.5V (2.375V~2.75V)
•800 MHz fCK1600Mb/sec/pin için,933 MHz fCK1866Mb/sec/pin için,
1067MHz fCK2133Mb/sec/pin için, 1200MHz fCK2400Mb/sec/pin için,
1333MHz fCK2666Mb/sec/pin için, 1600MHz fCK3200Mb/sec/pin için
• 8 Banka (2 Banka Grubu)
• Programlanabilir CAS Gecikme (postlanmış CAS):
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24
• Programlanabilir CAS Yazım Gecikmesi (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12
(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-
2666) ve 16,20 (DDR4-3200)
• 8 bitlik ön alım
• patlama uzunluğu: 8, 4 ve tCCD = 4 sorunsuz okuma imkanı vermiyor
Ya da yazın [ya A12 ya da MRS kullanarak Uçuşta]
• İki yönlü Diferansiyel Veri Strobosu
• Dahili (kendini kalibre etme): ZQ çubuğu aracılığıyla iç kendisini kalibre etme
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• ODT pin kullanılarak Die Termination
• T'den daha düşük ortalama yenilenme süresi 7.8usSAYISI85- Evet.C, 3.9us
85- Evet.C < TSAYISI< 95- Evet.C
• Asinkron Yeniden Başlatma
• Paket: 96 top FBGA - x16
• Tüm kurşunsuz ürünler RoHS uyumludur
• Tüm ürünler halogen içermez.
• CRC (Cyclic Redundancy Check) okuma/yazma veri güvenliği için
• Komut adresi parite kontrolü
• DBI (Data Bus Inversion)
• Değiştirme modunda
• Veri girişi/çıkışı için POD (Pseudo Open Drain) arayüzü
• Veri girişi için iç VREF
• DRAM etkinleştirme gücü için harici VPP
• hPPR desteklenmektedir
4Gb DDR4 SDRAM F-die 32Mbit x 16 I/O x 8banks olarak düzenlenmiştir.
Bu senkronizasyon cihazı yüksek hızlı çift veri oranı elde eder.
Genel uygulamalar için 3200Mb/sec/pin'e kadar transfer hızı (DDR4-3200)
Bu konuda.
Çip aşağıdaki anahtar DDR4 SDRAM fea'ye uygun olarak tasarlanmıştır.
Yayınlanmış CAS, Programlanabilir CWL, İç (Kendine) Kalibrasyon gibi yöntemler,
Öldürme Sonlandırma'da ODT iğnesi ve Asynchronous Reset kullanılıyor.
Tüm kontrol ve adres girişleri bir çift dış ile senkronize edilir
Girişler farklılıkların kesişim noktasında kilitlenir.
Ferensiyel saatler (CK yükseliş ve CK düşüşü).
iki yönlü strobik çift (DQS ve DQS) bir kaynak senkron fash'te
Adres otobüsü satır, sütun ve banka adresini aktarmak için kullanılır.
RAS/CAS multiplexing tarzında bilgi.
Tek 1.2V (1.14V~1.26V) güç kaynağı, 1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
ve 2.5V (2.375V~2.75V) VPP.
4Gb DDR4 F-die cihazı 96 ball FBGA'larda mevcut ((x16).
 
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V
K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V