Ürün ayrıntıları

Evde Ürün

SAMSUNG Entegre Devreleri

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 3200Mbps'e Kadar

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Bizimle İletişim

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Şimdi iletişime geçin

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 3200Mbps'e Kadar

Marka Adı:	Samsung
Model Numarası:	NT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1
Adedi:	100 adet
Paketleme Detayları:	100
Ödeme Koşulları:	T/T

Detay Bilgisi

Ürün Açıklaması

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Belge:

Ürün adı:

SAMSUNG

modeli:

NT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1

Yoğunluk:

Gerilim:

Paket:

3200Mbps

Sıcaklık:

0~95°C

Seviye:

Reklam

Yetenek temini:

10000

Vurgulamak:

NT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1YT1

Samsung IC Chips 8Gb

DDR4 SDRAM IC Chips

Ürün Açıklaması

Samsung IC yongaları NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 3200Mbps'e kadar

Özellikler

Veri Bütünlüğü

- DRAM dahili TS ile Otomatik Kendi Kendine Yenileme (ASR)

- Otomatik Yenileme ve Kendi Kendine Yenileme Modları

DRAM Erişim Bant Genişliği

- Bank Gruplarına Göre Ayrılmış GÇ/ÇÇ yapıları

- Kendi Kendine Yenileme Kesmesi

- İnce Granüler Yenileme

Sinyal Senkronizasyonu

- MR ayarları aracılığıyla Yazma Seviyeleme

- MPR aracılığıyla Okuma Seviyeleme

Güvenilirlik ve Hata İşleme

- Komut/Adres Paritesi

- Veri Yolu Yazma CRC

- MPR okuması

- Sınır Tarama (X16)

- Paket Sonrası Onarım

Sinyal Bütünlüğü

- Dahili VREFDQ Eğitimi

- Okuma Önek Eğitimi

- Vites Aşağı Modu

- DRAM Başına Adreslenebilirlik

- Sistem uyumluluğu için Yapılandırılabilir DS

- Yapılandırılabilir Dahili Sonlandırma

- Veri yolu ters çevirme (DBI)

- DS/ODT empedans doğruluğu için ZQ Kalibrasyonu

harici ZQ pini aracılığıyla (240 Ω ± %1)

Güç Tasarrufu ve Verimlilik

- VDDQ sonlandırmalı POD

- Komut/Adres Gecikmesi (CAL)

- Maksimum Güç Tasarrufu

- Düşük Güç Otomatik Kendi Kendine Yenileme (LPASR)

Veri Bütünlüğü

- DRAM dahili TS ile Otomatik Kendi Kendine Yenileme (ASR)

- Otomatik Yenileme ve Kendi Kendine Yenileme Modları

DRAM Erişim Bant Genişliği

- Bank Gruplarına Göre Ayrılmış GÇ/ÇÇ yapıları

- Kendi Kendine Yenileme Kesmesi

- İnce Granüler Yenileme

Sinyal Senkronizasyonu

- MR ayarları aracılığıyla Yazma Seviyeleme

- MPR aracılığıyla Okuma Seviyeleme

Güvenilirlik ve Hata İşleme

- Komut/Adres Paritesi

- Veri Yolu Yazma CRC

- MPR okuması

- Sınır Tarama (X16)

- Paket Sonrası Onarım

Sinyal Bütünlüğü

- Dahili VREFDQ Eğitimi

- Okuma Önek Eğitimi

- Vites Aşağı Modu

- DRAM Başına Adreslenebilirlik

- Sistem uyumluluğu için Yapılandırılabilir DS

- Yapılandırılabilir Dahili Sonlandırma

- Veri yolu ters çevirme (DBI)

- DS/ODT empedans doğruluğu için ZQ Kalibrasyonu

harici ZQ pini aracılığıyla (240 Ω ± %1)

Güç Tasarrufu ve Verimlilik

- VDDQ sonlandırmalı POD

- Komut/Adres Gecikmesi (CAL)

- Maksimum Güç Tasarrufu

- Düşük Güç Otomatik Kendi Kendine Yenileme (LPASR)

Programlanabilir Fonksiyonlar

Çıkış Sürücü Empedansı (34/48)

CAS Yazma Gecikmesi (9/10/11/12/14/16/18/20)

Ek Gecikme (0/CL-1/CL-2)

CS'den Komut Adres Gecikmesine (3/4/5/6/8)

Komut Adres Paritesi Gecikmesi (4/5/6)

Yazma Kurtarma Süresi (10/12/14/16/18/20/24)

Yığın Türü (Sıralı/Aralıklı)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Okuma Öneki (1T/2T)

Yazma Öneki (1T/2T)

Yığın Uzunluğu (BL8/BC4/BC4 veya 8 anında)

LPASR (Manuel: Normal/Azaltılmış/Genişletilmiş, Otomatik: TS)

Seçenekler

Hız Sınıfı (CL-TRCD-TRP)

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Sıcaklık Aralığı (Tc)

- Ticari Sınıf : 0°C~95°C

VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Paket bilgisi

Kurşunsuz RoHS uyumluluğu ve Halojensiz

Yoğunluk ve Adresleme

Etiketler:

samsung bellek entegre devresi

Samsung Chips

samsung ddr4 sdram

İlgili Ürünler

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Çipleri 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

En İyi Fiyatı Alın

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Yonga 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

En İyi Fiyatı Alın

K4AAG085WC-BCWE000 SAMSUNG Yonga 16GB DDR4 1.2V 2400Mbps 78 top FBGA

En İyi Fiyatı Alın

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Ürün ayrıntıları

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 3200Mbps'e Kadar

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri