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SAMSUNG ICチップ

NT5AD512M16C4-JR Samsung ICチップ 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 最大3200Mbps

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ハイパワーLEDチップ

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NT5AD512M16C4-JR Samsung ICチップ 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 最大3200Mbps

ブランド名:	Samsung
モデル番号:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100個
梱包の詳細:	100
支払い条件:	T/T

起源の場所:

NT5AD512M16C4-JR

パッケージ:

スピード:

3200Mbps

0～95℃

コマーシャル

供給の能力:

10000

ハイライト:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung ICチップ 8Gb

DDR4 SDRAM ICチップ

製品説明

Samsung ICチップ NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 最大3200Mbps

特徴

 データ整合性

- DRAM内蔵TSによる自動自己リフレッシュ (ASR)

- 自動リフレッシュおよび自己リフレッシュモード

 DRAMアクセス帯域幅

- バンクグループごとの分離されたIOゲーティング構造

- 自己リフレッシュアボート

- ファイングラニュラリティリフレッシュ

 信号同期

- MR設定によるライトレベリング1

- MPRによるリードレベリング

 信頼性 & エラー処理

- コマンド/アドレスパリティ

- データバスライトCRC

- MPR読み出し

- バウンダリスキャン (X16)

- ポストパッケージリペア

 信号整合性

- 内部VREFDQトレーニング

- リードプリアンブルトレーニング

- ギアダウンモード

- DRAMごとのアドレス指定

- システム互換性のための設定可能なDS

- 設定可能なオンダイ終端

- データバス反転 (DBI)

- DS/ODTインピーダンス精度のためのZQキャリブレーション

外部ZQパッド経由 (240 Ω ± 1%)

 省電力 & 効率

- VDDQ終端によるPOD

- コマンド/アドレスレイテンシ (CAL)

- 最大省電力

- 低電力自動自己リフレッシュ (LPASR)

 データ整合性

- DRAM内蔵TSによる自動自己リフレッシュ (ASR)

- 自動リフレッシュおよび自己リフレッシュモード

 DRAMアクセス帯域幅

- バンクグループごとの分離されたIOゲーティング構造

- 自己リフレッシュアボート

- ファイングラニュラリティリフレッシュ

 信号同期

- MR設定によるライトレベリング1

- MPRによるリードレベリング

 信頼性 & エラー処理

- コマンド/アドレスパリティ

- データバスライトCRC

- MPR読み出し

- バウンダリスキャン (X16)

- ポストパッケージリペア

 信号整合性

- 内部VREFDQトレーニング

- リードプリアンブルトレーニング

- ギアダウンモード

- DRAMごとのアドレス指定

- システム互換性のための設定可能なDS

- 設定可能なオンダイ終端

- データバス反転 (DBI)

- DS/ODTインピーダンス精度のためのZQキャリブレーション

外部ZQパッド経由 (240 Ω ± 1%)

 省電力 & 効率

- VDDQ終端によるPOD

- コマンド/アドレスレイテンシ (CAL)

- 最大省電力

- 低電力自動自己リフレッシュ (LPASR)

プログラム可能な機能

 出力ドライバインピーダンス (34/48)

 CASライトレイテンシ (9/10/11/12/14/16/18/20)

 加算レイテンシ (0/CL-1/CL-2)

 CSからコマンドアドレスレイテンシ (3/4/5/6/8)

 コマンドアドレスパリティレイテンシ (4/5/6)

 ライトリカバリ時間 (10/12/14/16/18/20/24)

 バーストタイプ (シーケンシャル/インターリーブ)

 RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

 RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

 RTT_WR (80/120/240)

 リードプリアンブル (1T/2T)

 ライトプリアンブル (1T/2T)

 バースト長 (BL8/BC4/BC4または8オンザフライ)

 LPASR (手動: ノーマル/リデュースド/エクステンデッド、自動:TS)

オプション

 スピードグレード (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

 温度範囲 (Tc) 5

- コマーシャルグレード: 0℃~95℃

 VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

 パッケージ情報

鉛フリーRoHS準拠およびハロゲンフリー

 密度とアドレス指定

タグ:

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NT5AD512M16C4-JR Samsung ICチップ 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 最大3200Mbps

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