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삼성 IC 칩

NT5AD512M16C4-JR 삼성 IC 칩 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 최대 3200Mbps

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NT5AD512M16C4-JR 삼성 IC 칩 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 최대 3200Mbps

브랜드 이름:	Samsung
모델 번호:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100개
포장 세부사항:	100
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

NT5AD512M16C4-JR

3200Mbps

0~95°C

공급 능력:

10000

강조하다:

NT5AD512M16C4-JR

삼성 IC 칩 8Gb

DDR4 SDRAM IC 칩

제품 설명

삼성 IC 칩 NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V 최대 3200Mbps

특징

∙데이터 무결성

- 자동 자동 갱신 (ASR)

- 자동 갱신 및 자기 갱신 모드

∙DRAM 액세스 대역폭

- 은행 그룹별로 분리된 IO 게팅 구조

- 자기신생 중단

- 미세한 곡성 갱신

∙신호 동기화

- MR 설정을 통해 레벨링을 작성1

- MPR을 통해 레벨링을 읽으십시오

∙신뢰성 및 오류 처리

- 명령/주소 대등성

- 데이터베이스 작성 CRC

- MPR 판독

- 경계 스캔 (X16)

- 포스트 패키지 수리

∙신호 무결성

- VREFDQ 내부 교육

- 전문 교육 읽어

- 가이드 다운 모드

- DRAM 주소에 대한 주소성

- 시스템 호환성을 위해 구성 가능한 DS

- 설정 가능한 시공 종료

- 데이터 버스 인버션 (DBI)

- DS/ODT 임피던스 정확성을 위한 ZQ 캘리브레이션

외부 ZQ 패드 (240오± 1%)

∙에너지 절약 및 효율성

- VDDQ 종료와 함께 POD

- 명령/주소 지연 (CAL)

- 최대 전력 절약

- 저전력 자동 갱신 (LPASR)

∙데이터 무결성

- 자동 자동 갱신 (ASR)

- 자동 갱신 및 자기 갱신 모드

∙DRAM 액세스 대역폭

- 은행 그룹별로 분리된 IO 게팅 구조

- 자기신생 중단

- 미세한 곡성 갱신

∙신호 동기화

- MR 설정을 통해 레벨링을 작성1

- MPR을 통해 레벨링을 읽으십시오

∙신뢰성 및 오류 처리

- 명령/주소 대등성

- 데이터베이스 작성 CRC

- MPR 판독

- 경계 스캔 (X16)

- 포스트 패키지 수리

∙신호 무결성

- VREFDQ 내부 교육

- 전문 교육 읽어

- 가이드 다운 모드

- DRAM 주소에 대한 주소성

- 시스템 호환성을 위해 구성 가능한 DS

- 설정 가능한 시공 종료

- 데이터 버스 인버션 (DBI)

- DS/ODT 임피던스 정확성을 위한 ZQ 캘리브레이션

외부 ZQ 패드 (240오± 1%)

∙에너지 절약 및 효율성

- VDDQ 종료와 함께 POD

- 명령/주소 지연 (CAL)

- 최대 전력 절약

- 저전력 자동 갱신 (LPASR)

프로그래밍 가능한 기능

∙출력 드라이버 임페던스 (34/48)

∙CAS 기록 지연 (9/10/11/12/14/16/18/20)

∙추가 지연 (0/CL-1/CL-2)

∙CS에서 명령 주소 지연 (3/4/5/6/8)

∙명령어 주소 패리티 지연 (4/5/6)

∙기록 복구 시간 (10/12/14/16/18/20/24)

∙분출 유형 (순차적/간간)

∙RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

∙RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

∙RTT_WR (80/120/240)

∙입장을 읽으세요 (1T/2T)

∙서론 (1T/2T)

∙폭발 길 (BL8/BC4/BC4 또는 8 on the fly)

∙LPASR (수동: 정상/감소/확장, 자동:TS)

옵션

∙속도급 (CL-TRCD-TRP)2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

∙온도범위 (Tc)5

- 상용품: 0°C~95°C

∙VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

∙패키지 정보

납 없는 RoHS 준수 및 할로겐 없는

∙밀도 및 주소

태그:

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