รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป IC SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR ชิป IC Samsung 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V สูงสุด 3200Mbps

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

NT5AD512M16C4-JR ชิป IC Samsung 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V สูงสุด 3200Mbps

ชื่อแบรนด์:	Samsung
หมายเลขรุ่น:	NT5AD512M16C4-JR
ขั้นต่ำ:	100 ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	100
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ซัมซุง

แบบอย่าง:

NT5AD512M16C4-JR

ความหนาแน่น:

แรงดันไฟฟ้า:

บรรจุุภัณฑ์:

บีจีเอ

ความเร็ว:

3200Mbps

อุณหภูมิ:

0~95°ซ

ระดับ:

ทางการค้า

สามารถในการผลิต:

10,000

เน้น:

NT5AD512M16C4-JR

ชิป IC Samsung 8Gb

ชิป IC DDR4 SDRAM

รายละเอียดสินค้า

ชิป IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V สูงสุด 3200Mbps

คุณสมบัติ

ความสมบูรณ์ของข้อมูล

- Auto Self Refresh (ASR) โดย DRAM TS ในตัว

- โหมด Auto Refresh และ Self Refresh

แบนด์วิดท์การเข้าถึง DRAM

- โครงสร้างการจัดกลุ่ม IO ที่แยกจากกันตาม Bank Groups

- การยกเลิก Self Refresh

- การรีเฟรชแบบละเอียด

การซิงโครไนซ์สัญญาณ

- Write Leveling ผ่านการตั้งค่า MR1

- Read Leveling ผ่าน MPR

ความน่าเชื่อถือและการจัดการข้อผิดพลาด

- Command/Address Parity

- Databus Write CRC

- การอ่าน MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

ความสมบูรณ์ของสัญญาณ

- การฝึก VREFDQ ภายใน

- การฝึก Read Preamble

- โหมด Gear Down

- การระบุที่อยู่ DRAM แต่ละตัว

- DS ที่กำหนดค่าได้เพื่อความเข้ากันได้ของระบบ

- On-Die Termination ที่กำหนดค่าได้

- Data bus inversion (DBI)

- การสอบเทียบ ZQ สำหรับความแม่นยำของอิมพีแดนซ์ DS/ODT

ผ่านพิน ZQ ภายนอก (240 Ω ± 1%)

การประหยัดพลังงานและประสิทธิภาพ

- POD พร้อม VDDQ termination

- Command/Address Latency (CAL)

- การประหยัดพลังงานสูงสุด

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

ความสมบูรณ์ของข้อมูล

- Auto Self Refresh (ASR) โดย DRAM TS ในตัว

- โหมด Auto Refresh และ Self Refresh

แบนด์วิดท์การเข้าถึง DRAM

- โครงสร้างการจัดกลุ่ม IO ที่แยกจากกันตาม Bank Groups

- การยกเลิก Self Refresh

- การรีเฟรชแบบละเอียด

การซิงโครไนซ์สัญญาณ

- Write Leveling ผ่านการตั้งค่า MR1

- Read Leveling ผ่าน MPR

ความน่าเชื่อถือและการจัดการข้อผิดพลาด

- Command/Address Parity

- Databus Write CRC

- การอ่าน MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

ความสมบูรณ์ของสัญญาณ

- การฝึก VREFDQ ภายใน

- การฝึก Read Preamble

- โหมด Gear Down

- การระบุที่อยู่ DRAM แต่ละตัว

- DS ที่กำหนดค่าได้เพื่อความเข้ากันได้ของระบบ

- On-Die Termination ที่กำหนดค่าได้

- Data bus inversion (DBI)

- การสอบเทียบ ZQ สำหรับความแม่นยำของอิมพีแดนซ์ DS/ODT

ผ่านพิน ZQ ภายนอก (240 Ω ± 1%)

การประหยัดพลังงานและประสิทธิภาพ

- POD พร้อม VDDQ termination

- Command/Address Latency (CAL)

- การประหยัดพลังงานสูงสุด

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

ฟังก์ชันที่ตั้งโปรแกรมได้

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่อิมพีแดนซ์เอาต์พุตไดรเวอร์ (34/48)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่CAS Write Latency (9/10/11/12/14/16/18/20)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Additive Latency (0/CL-1/CL-2)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่CS ถึง Command Address Latency (3/4/5/6/8)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Command Address Parity Latency (4/5/6)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Write Recovery Time (10/12/14/16/18/20/24)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Burst Type (Sequential/Interleaved)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่RTT_WR (80/120/240)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Read Preamble (1T/2T)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Write Preamble (1T/2T)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Burst Length (BL8/BC4/BC4 หรือ 8 on the fly)

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่LPASR (Manual: Normal/Reduced/Extended, Auto:TS)

ตัวเลือก

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่Speed Grade (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่ช่วงอุณหภูมิ (Tc) 5 - Commercial Grade : 0

℃ ℃

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่- 1.2V / 1.2V / 2.5V

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS แบบไร้สารตะกั่วและปราศจากฮาโลเจน

ความหนาแน่นและการระบุที่อยู่

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

NT5AD512M16C4-JR ชิป IC Samsung 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V สูงสุด 3200Mbps

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI