รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป IC SAMSUNG

ชิป IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

ชิป IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

ชื่อแบรนด์:	Samsung
หมายเลขรุ่น:	K4B4G1646E-BCNB000
ขั้นต่ำ:	100 ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	100
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ซัมซุง

แบบอย่าง:

K4B4G1646E-BCNB000

ความหนาแน่น:

4 กิกะไบต์

ความเร็ว:

2133 Mbps

แรงดันไฟฟ้า:

1.5 โวลต์

อุณหภูมิ:

0 ~ 85 องศาเซลเซียส

สามารถในการผลิต:

10,000

เน้น:

K4B4G1646E-BCNB000

ชิป IC Samsung 4Gb

96FBGA ชิป IC Samsung

รายละเอียดสินค้า

ชิป IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA พร้อมสารตะกั่วและฮาโลเจนฟรี

(เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS)

คุณสมบัติหลัก

• มาตรฐาน JEDEC 1.5V(1.425V~1.575V)

• V = 1.5V(1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK สำหรับ 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK สำหรับ 1066Mb/sec/pin,

667MHz fCK สำหรับ 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK สำหรับ 1600Mb/sec/pin,

933MHz fCK สำหรับ 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK สำหรับ 2133Mb/sec/pin

• 8 Banks

• CAS Latency ที่ตั้งโปรแกรมได้ (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Additive Latency ที่ตั้งโปรแกรมได้: 0, CL-2 หรือ CL-1 clock

• CAS Write Latency (CWL) ที่ตั้งโปรแกรมได้ = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) และ

10 (DDR3-2133)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8 , 4 พร้อม tCCD = 4 ซึ่งไม่อนุญาตให้การอ่าน

หรือเขียนแบบไร้รอยต่อ [ไม่ว่าจะใช้ A12 หรือ MRS แบบ On the fly]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• การปรับเทียบภายใน (ตนเอง): การปรับเทียบภายในตนเองผ่านขา ZQ

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• On Die Termination ใช้ขา ODT

• ระยะเวลาการรีเฟรชเฉลี่ย 7.8us ที่ต่ำกว่า T°C °C • แพ็คเกจ: 96 balls FBGA - x16 85

°C • แพ็คเกจ: 96 balls FBGA - x16 • ผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสารตะกั่วทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS < 95 °C • Asynchronous Reset • แพ็คเกจ: 96 balls FBGA - x16 • ผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสารตะกั่วทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

• ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดปราศจากฮาโลเจน

4Gb DDR3 SDRAM E-die จัดระเบียบเป็น I/Os 32Mbit x 16 x 8 banks,

อุปกรณ์ อุปกรณ์แบบซิงโครนัสนี้ให้ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลแบบสองทิศทางสูง

สูงถึง 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) สำหรับการใช้งานทั่วไป

แอปพลิเคชัน

ชิปได้รับการออกแบบให้เป็นไปตามคุณสมบัติ DDR3 SDRAM หลักดังต่อไปนี้

เช่น posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration,

On Die Termination ใช้ขา ODT และ Asynchronous Reset

อินพุตควบคุมและแอดเดรสทั้งหมดจะซิงโครไนซ์กับคู่ของสัญญาณนาฬิกาภายนอก

สัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียล อินพุตจะถูกจับที่จุดตัดของสัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียล

สัญญาณนาฬิกา (CK ขาขึ้นและ CK ขาลง) I/Os ทั้งหมดจะซิงโครไนซ์กับคู่ของ

สัญญาณสโตรบแบบสองทิศทาง (DQS และ DQS) ในลักษณะซิงโครนัสต้นทาง

บัสแอดเดรสใช้เพื่อส่งข้อมูลแอดเดรสแถว คอลัมน์ และแบงก์

ในรูปแบบการมัลติเพล็กซ์ RAS/CAS อุปกรณ์ DDR3 ทำงาน

ด้วยแหล่งจ่ายไฟ 1.5V(1.425V~1.575V) เดียวและ 1.5V(1.425V~1.575V)

DDQ

อุปกรณ์ 4Gb DDR3 E-die มีให้เลือกในรูปแบบ 96ball FBGAs(x16)

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI