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Puces IC SAMSUNG

Puces IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

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Puces IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Nom De La Marque:	Samsung
Numéro De Modèle:	K4B4G1646E-BCNB000
Quantité Minimale De Commande:	100 pièces
Détails De L'emballage:	100
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

Nom du produit:

Samsung

modèle:

K4B4G1646E-BCNB000

Densité:

Vitesse:

2 133 Mbit/s

Tension:

1,5 V

Température:

0 ~ 85 °C

Capacité d'approvisionnement:

10000

Mettre en évidence:

K4B4G1646E-BCNB000

Puces IC Samsung 4Gb

96FBGA Puces IC Samsung

Description du produit

Puces IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 SDRAM DDR3 4Gb E-die x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

SDRAM DDR3 4Gb E-die

x16

96FBGA sans plomb et sans halogène

(Conforme RoHS)

Caractéristiques principales

• Standard JEDEC 1.5V (1.425V~1.575V)

• VL'appareil DDR3 E-die 4Gb est disponible en FBGAs 96 billes (x16). = 1.5V (1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK pour 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK pour 1066Mb/sec/pin,

667MHz fCK pour 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK pour 1600Mb/sec/pin,

933MHz fCK pour 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK pour 2133Mb/sec/pin

• 8 banques

• Latence CAS programmable (CAS posté) : 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Latence additive programmable : 0, CL-2 ou horloge CL-1

• Latence d'écriture CAS (CWL) programmable = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) et

10 (DDR3-2133)

• Pré-extraction 8 bits

• Longueur de rafale : 8 , 4 avec tCCD = 4 qui ne permet pas de lecture transparente

ou d'écriture [soit à la volée via A12 ou MRS]

• Strobe de données différentiel bidirectionnel

• Calibration interne (auto) : Calibration interne automatique via la broche ZQ

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• Termination sur puce utilisant la broche ODT

• Période de rafraîchissement moyenne 7.8us à une température inférieure à TCASE 85C, 3.9us à

85C < TCASE < 95 C

• Réinitialisation asynchrone

• Boîtier : FBGA 96 billes - x16

• Tous les produits sans plomb sont conformes RoHS

• Tous les produits sont sans halogène

Le SDRAM DDR3 4Gb E-die est organisé en 32Mbit x 16 E/S x 8 banques,

appareil. Cet appareil synchrone atteint des taux de transfert double débit

rapides allant jusqu'à 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) pour les applications générales.

La puce est conçue pour être conforme aux principales caractéristiques du SDRAM DDR3

telles que le CAS posté, le CWL programmable, la calibration interne (automatique),

la termination sur puce utilisant la broche ODT et la réinitialisation asynchrone.

Toutes les entrées de contrôle et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles

externes. Les entrées sont cadencées au point de croisement des horloges différentielles

(CK montant et CK descendant). Toutes les E/S sont synchronisées avec une paire de strobes bidirectionnels

(DQS et DQS) dans un mode de synchronisation source. Le bus d'adresses est utilisé pour transmettre les informations

d'adresse de ligne, de colonne et de banque dans un style de multiplexage RAS/CAS. L'appareil DDR3 fonctionne

avec une seule alimentation de 1.5V (1.425V~1.575V) et une alimentation

DDQ

de 1.5V (1.425V~1.575V). L'appareil DDR3 E-die 4Gb est disponible en FBGAs 96 billes (x16).

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

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