Name: K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: K4B4G1646E-BCNB000
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Samsung
Número do modelo:	K4B4G1646E-BCNB000
Quantidade mínima:	100 unidades
Detalhes da embalagem:	100
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Samsung-K4B4G1646E-BCNB.pdf

Nome do produto:

Samsung

modelo:

K4B4G1646E-BCNB000

Densidade:

4GB

Velocidade:

2133Mbps

Tensão:

1,5 V

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Habilidade da fonte:

10.000

Destacar:

K4B4G1646E-BCNB000

Samsung IC Chips 4Gb

96FBGA Samsung IC Chips

Descrição do produto

Chips IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA com Lead-Free & Halogen-Free

(Compatível com RoHS)

Principais Características

• Padrão JEDEC 1.5V(1.425V~1.575V)

• V = 1.5V(1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK para 800Mb/seg/pin, 533MHz fCK para 1066Mb/seg/pin,

667MHz fCK para 1333Mb/seg/pin, 800MHz fCK para 1600Mb/seg/pin,

933MHz fCK para 1866Mb/seg/pin, 1066 MHz fCK para 2133Mb/seg/pin

• 8 Banks

• Latência CAS Programável (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Latência Aditiva Programável: 0, CL-2 ou clock CL-1

• Latência de Gravação CAS Programável (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) e

10 (DDR3-2133)

• Pré-busca de 8 bits

• Comprimento de Burst: 8 , 4 com tCCD = 4 que não permite leitura contínua

ou gravação [seja On the fly usando A12 ou MRS]

• Strobo de Dados Diferencial Bidirecional

• Calibração Interna (auto): Calibração interna automática através do pino ZQ

(RZQ : 240 ohm ± 1%)

• Terminação On Die usando pino ODT

• Período Médio de Atualização 7.8us em menor que TCASE 85C, 3.9us em

85C < TCASE < 95 C

• Reset Assíncrono

• Pacote: 96 esferas FBGA - x16

• Todos os produtos Lead-Free são compatíveis com RoHS

• Todos os produtos são livres de halogênio

O DDR3 SDRAM E-die de 4Gb é organizado como um dispositivo de 32Mbit x 16 I/Os x 8 bancos,

Este dispositivo síncrono atinge altas taxas de transferência de dados duplos

de até 2133Mb/seg/pin (DDR3-2133) para aplicações gerais.

O chip é projetado para cumprir com as seguintes características chave do DDR3 SDRAM, como posted CAS, CWL programável, Calibração Interna (Auto),

Terminação On Die usando pino ODT e Reset Assíncrono.

Todas as entradas de controle e endereço são sincronizadas com um par de clocks diferenciais fornecidos externamente. As entradas são registradas no ponto de cruzamento dos clocks diferenciais (CK subindo e CK descendo). Todos os I/Os são sincronizados com um

par de strobes bidirecionais (DQS e DQS) em uma moda síncrona de fonte. O barramento de endereço é usado para transmitir informações de endereço de linha, coluna e banco

em um estilo de multiplexação RAS/CAS. O dispositivo DDR3 opera

com uma única fonte de alimentação de 1.5V(1.425V~1.575V) e 1.5V(1.425V~1.575V)

DDQ

O dispositivo DDR3 E-die de 4Gb está disponível em FBGAs de 96 esferas (x16).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

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Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

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NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

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