Name: K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: K4B4G1646E-BCNB000
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Samsung
Número De Modelo:	K4B4G1646E-BCNB000
Cantidad Mínima De Pedido:	100 piezas
Detalles De Embalaje:	100
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Samsung-K4B4G1646E-BCNB.pdf

Nombre del producto:

Samsung

modelo:

K4B4G1646E-BCNB000

Densidad:

4GB

Velocidad:

2133Mbps

Voltaje:

1,5 V

Temperatura:

0 ~ 85 °C

Capacidad de la fuente:

10000

Resaltar:

K4B4G1646E-BCNB000

Samsung IC Chips 4Gb

96FBGA Samsung IC Chips

Descripción del Producto

Chips IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

SDRAM DDR3 E-die de 4Gb

x16

96FBGA con sin plomo y libre de halógenos

(Cumple con RoHS)

Características clave

• Estándar JEDEC de 1.5V (1.425V~1.575V)

• V= 1.5V (1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK para 800Mb/seg/pin, 533MHz fCK para 1066Mb/seg/pin,

667MHz fCK para 1333Mb/seg/pin, 800MHz fCK para 1600Mb/seg/pin,

933MHz fCK para 1866Mb/seg/pin, 1066 MHz fCK para 2133Mb/seg/pin

• 8 Bancos

• Latencia CAS programable (CAS publicado): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Latencia aditiva programable: 0, CL-2 o reloj CL-1

• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) y

10 (DDR3-2133)

• Pre-fetch de 8 bits

• Longitud de ráfaga: 8, 4 con tCCD = 4 que no permite lectura sin interrupciones

o escritura [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]

• Doble señal de datos diferencial bidireccional

• Calibración interna (auto): Calibración interna automática a través del pin ZQ

(RZQ: 240 ohmios ± 1%)

• Terminación en chip usando el pin ODT

• Período de refresco promedio de 7.8us a menos de TCAS85C, 3.9us a

85C< TCAS< 95C

• Restablecimiento asíncrono

• Paquete: FBGA de 96 bolas - x16

• Todos los productos sin plomo cumplen con RoHS

• Todos los productos son libres de halógenos

El SDRAM E-die DDR3 de 4Gb está organizado como un dispositivo de 32Mbit x 16 E/S x 8 bancos,

Este dispositivo síncrono logra altas velocidades de transferencia de doble velocidad de datos

de hasta 2133Mb/seg/pin (DDR3-2133) para aplicaciones generales.

El chip está diseñado para cumplir con las siguientes características clave de DDR3 SDRAM, como CAS publicado, CWL programable, calibración interna (automática),

terminación en chip usando el pin ODT y restablecimiento asíncrono.

Todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente.

Las entradas se capturan en el punto de cruce de los relojes diferenciales (CK ascendente y CK descendente). Todas las E/S están sincronizadas con un

par de señales de control bidireccionales (DQS y DQS) en una moda de fuente síncrona.

El bus de direcciones se utiliza para transmitir información de dirección de fila, columna y banco

en un estilo de multiplexación RAS/CAS. El dispositivo DDR3 opera

con una única fuente de alimentación de 1.5V (1.425V~1.575V) y V de 1.5V (1.425V~1.575V)

DDQ.

El dispositivo E-die DDR3 de 4Gb está disponible en FBGAs de 96 bolas (x16).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

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chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

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TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Microprocesador del Cree LED

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chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

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