Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микросхемы SAMSUNG

K4B4G1646E-BCNB000 Микросхемы Samsung 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

K4B4G1646E-BCNB000 Микросхемы Samsung 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Название бренда:	Samsung
Номер модели:	K4B4G1646E-BCNB000
минимальный заказ:	100 шт.
Детали упаковки:	100
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

Samsung

модель:

K4B4G1646E-BCNB000

Плотность:

Скорость:

2133 Мбит/с

Напряжение:

1,5 v

Температура:

0 ~ 85 °C

Поставка способности:

10000

Выделить:

K4B4G1646E-BCNB000

Микросхемы Samsung 4Gb

96FBGA Микросхемы Samsung

Описание продукта

Чипы Samsung IC K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1,5 В

4 Гб E-die DDR3 SDRAM

x16

96FBGA без свинца и галогена

(соответствует требованиям RoHS)

Ключевые особенности

• Стандарт JEDEC 1,5В (от 1,425 до 1,575В)

• VDDQ= 1,5 В ((1,425 В ~ 1,575 В)

• 400 МГц fCKдля 800Mb/sec/pin, 533MHz fCKдля 1066Mb/sec/pin,

667 МГц fCKдля 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCKдля 1600Mb/sec/pin,

933 МГц fCKдля 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK для 2133Mb/sec/pin

• 8 банков

• Программируемая задержка CAS (пост CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-2 или CL-1 часов

• Программируемая задержка записи CAS (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) и

10 (DDR3-2133)

• 8-разрядный предварительный поиск

• Длина взрыва: 8, 4 с tCCD = 4, что не позволяет бесшовного чтения

или написать [или на лету с помощью A12 или MRS]

• Двунаправленная дифференциальная полоса данных

• Внутренняя (само) калибровка: Внутренняя самокалибровка с помощью ZQ пин

(RZQ: 240 Ом ± 1%)

• При окончании с помощью ODT

• Средний период обновления 7,8us при температуре ниже TСТАТЬЯ85C, 3,9us в

85C < TСТАТЬЯ< 95В

• Асинхронное перезагрузка

• Пакет: 96 шаров FBGA - x16

• Все продукты без свинца соответствуют требованиям RoHS

• Все продукты не содержат галогенов.

4Gb DDR3 SDRAM E-die организован как 32Mbit x 16 I/O x 8 банков,

Это синхронное устройство достигает высокой скорости двойной передачи данных

скорости передачи до 2133Mb/сек/пина (DDR3-2133) для общего применения

Процессы.

Чип предназначен для выполнения следующих ключевых функций DDR3 SDRAM

такие функции, как размещенный CAS, программируемая CWL, внутренняя (самостоятельная) калибровка,

На " Удаление " с помощью ODT-козыря и асинхронного перезапуска.

Все входы управления и адреса синхронизированы с парой внешних

Входные данные закреплены на перекрестке различных

Все вводы/выводы синхронизируются с

пары двунаправленных строб (DQS и DQS) в источнике синхронной фаши

Адресная шина используется для передачи строки, столбца и банковского адреса

Устройство DDR3 работает

с одним источником питания 1,5V (~1,425V~1,575V) и 1,5V (~1,425V~1,575V)

VDDQ.

Устройство 4 Гб DDR3 E-die доступно в 96ball FBGA ((x16).

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

K4B4G1646E-BCNB000 Микросхемы Samsung 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI