logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip IC SAMSUNG
Created with Pixso.

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Nama Merek: Samsung
Nomor Model: K4B4G1646E-BCNB000
MOQ: 100 buah
Detail Kemasan: 100
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
Nama Produk:
Samsung
model:
K4B4G1646E-BCNB000
Kepadatan:
4 GB
Kecepatan:
2133Mbps
Voltase:
1,5 V
Suhu:
0 ~ 85 °C
Menyediakan kemampuan:
10.000
Menyoroti:

K4B4G1646E-BCNB000

,

Samsung IC Chips 4Gb

,

96FBGA Samsung IC Chips

Deskripsi Produk

Samsung IC chip K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4Gb E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA bebas timah & bebas halogen
(sesuai RoHS)

Fitur Utama
K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
• Standar JEDEC 1,5V (~1,425V ~ 1,575V)
• VDDQ= 1,5V ((1,425V ~ 1,575V)
• 400 MHz fCKuntuk 800Mb/detik/pin, 533MHz fCKuntuk 1066Mb/detik/pin,
667MHz fCKuntuk 1333Mb/detik/pin, 800MHz fCKuntuk 1600Mb/detik/pin,
933MHz fCKuntuk 1866Mb/detik/pin, 1066 MHz fCK untuk 2133Mb/detik/pin
• 8 Bank
• Programmable CAS Latency (diposkan CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 atau CL-1 jam
• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800),
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) dan
10 (DDR3-2133)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8, 4 dengan tCCD = 4 yang tidak memungkinkan pembacaan lancar
atau menulis [baik On the fly menggunakan A12 atau MRS]
• Bi-directional Differential Data-Strobe
• Kalibrasi internal: Kalibrasi internal melalui pin ZQ
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Pada Die Termination menggunakan pin ODT
• Rata-rata Refresh Period 7,8us pada suhu di bawah TPengadilan85️C, 3,9us pada
85️C < TPengadilan< 95️C
• Asynchronous Reset
Paket: 96 bola FBGA - x16
• Semua produk bebas timbal memenuhi persyaratan RoHS
• Semua produk bebas halogen
4Gb DDR3 SDRAM E-die diatur sebagai 32Mbit x 16 I / O x 8bank,
Perangkat sinkron ini mencapai kecepatan tinggi data ganda-rate
kecepatan transfer hingga 2133Mb/detik/pin (DDR3-2133) untuk aplikasi umum
Peraturan Presiden.
Chip ini dirancang untuk memenuhi kunci berikut DDR3 SDRAM fea
Tur seperti CAS yang ditempatkan, CWL yang dapat diprogram, Kalibrasi Internal (Self),
Di Die Termination menggunakan pin ODT dan Asynchronous Reset.
Semua kontrol dan alamat masukan disinkronkan dengan sepasang eksternal
Input diikat pada titik persimpangan
Semua I/O disinkronkan dengan
Sepasang stroboskop bidirectional (DQS dan DQS) dalam fash sinkron sumber
Bus alamat digunakan untuk menyampaikan baris, kolom dan alamat bank
informasi dalam gaya multiplexing RAS/CAS.
dengan satu 1.5V ((1.425V ~ 1.575V) catu daya dan 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
VDDQ.
Perangkat 4Gb DDR3 E-die tersedia dalam 96 bola FBGA ((x16).

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V