rincian produk

Rumah Produk

Chip IC SAMSUNG

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chip 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Hingga 3200Mbps

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chip 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Hingga 3200Mbps

Nama Merek:	Samsung
Nomor Model:	NT1Pengelolaan
MOQ:	100 buah
Detail Kemasan:	100
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Dokumen:

Nama Produk:

Samsung

model:

NT1Pengelolaan

Kepadatan:

Voltase:

Kemasan:

Kecepatan:

3200Mbps

Suhu:

0~95°C

Nilai:

Komersial

Menyediakan kemampuan:

10.000

Menyoroti:

NT1Pengelolaan

Samsung IC Chip 8Gb

IC Chip DDR4 SDRAM

Deskripsi Produk

Chip IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V hingga 3200Mbps

Fitur

Integritas Data

- Auto Self Refresh (ASR) oleh DRAM bawaan TS

- Mode Auto Refresh dan Self Refresh

Bandwidth Akses DRAM

- Struktur gating IO terpisah berdasarkan Grup Bank

- Self Refresh Abort

- Refresh Granularitas Halus

Sinkronisasi Sinyal

- Write Leveling melalui pengaturan MR1

- Read Leveling melalui MPR

Keandalan & Penanganan Kesalahan

- Paritas Perintah/Alamat

- CRC Tulis Databus

- Pembacaan MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Integritas Sinyal

- Pelatihan VREFDQ Internal

- Pelatihan Preamble Baca

- Mode Gear Down

- Alamat DRAM Per

- DS yang Dapat Dikonfigurasi untuk kompatibilitas sistem

- On-Die Termination yang Dapat Dikonfigurasi

- Inversi bus data (DBI)

- Kalibrasi ZQ untuk akurasi impedansi DS/ODT

melalui bantalan ZQ eksternal (240 Ω ± 1%)

Penghematan & Efisiensi Daya

- POD dengan terminasi VDDQ

- Latensi Perintah/Alamat (CAL)

- Penghematan Daya Maksimum

- Auto Self Refresh Daya rendah (LPASR)

Integritas Data

- Auto Self Refresh (ASR) oleh DRAM bawaan TS

- Mode Auto Refresh dan Self Refresh

Bandwidth Akses DRAM

- Struktur gating IO terpisah berdasarkan Grup Bank

- Self Refresh Abort

- Refresh Granularitas Halus

Sinkronisasi Sinyal

- Write Leveling melalui pengaturan MR1

- Read Leveling melalui MPR

Keandalan & Penanganan Kesalahan

- Paritas Perintah/Alamat

- CRC Tulis Databus

- Pembacaan MPR

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Integritas Sinyal

- Pelatihan VREFDQ Internal

- Pelatihan Preamble Baca

- Mode Gear Down

- Alamat DRAM Per

- DS yang Dapat Dikonfigurasi untuk kompatibilitas sistem

- On-Die Termination yang Dapat Dikonfigurasi

- Inversi bus data (DBI)

- Kalibrasi ZQ untuk akurasi impedansi DS/ODT

melalui bantalan ZQ eksternal (240 Ω ± 1%)

Penghematan & Efisiensi Daya

- POD dengan terminasi VDDQ

- Latensi Perintah/Alamat (CAL)

- Penghematan Daya Maksimum

- Auto Self Refresh daya rendah (LPASR)

Fungsi yang Dapat Diprogram

Kepadatan dan PengalamatanImpedansi Driver Output (34/48)

Kepadatan dan PengalamatanLatensi Tulis CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Kepadatan dan PengalamatanLatensi Aditif (0/CL-1/CL-2)

Kepadatan dan PengalamatanLatensi CS ke Perintah Alamat (3/4/5/6/8)

Kepadatan dan PengalamatanLatensi Paritas Alamat Perintah (4/5/6)

Kepadatan dan PengalamatanWaktu Pemulihan Tulis (10/12/14/16/18/20/24)

Kepadatan dan PengalamatanTipe Burst (Sekuensial/Berpola)

Kepadatan dan PengalamatanRTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

Kepadatan dan PengalamatanRTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

Kepadatan dan PengalamatanRTT_WR (80/120/240)

Kepadatan dan PengalamatanPreamble Baca (1T/2T)

Kepadatan dan PengalamatanPreamble Tulis (1T/2T)

Kepadatan dan PengalamatanPanjang Burst (BL8/BC4/BC4 atau 8 saat terbang)

Kepadatan dan PengalamatanLPASR (Manual: Normal/Berkurang/Diperluas, Otomatis: TS)

Opsi

Kepadatan dan PengalamatanTingkat Kecepatan (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Kepadatan dan PengalamatanRentang Suhu (Tc) 5 - Grade Komersial : 0

℃ ℃

Kepadatan dan Pengalamatan- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Kepadatan dan PengalamatanKepatuhan RoHS bebas timbal dan bebas halogen

Kepadatan dan Pengalamatan

Tag:

memori ic samsung

Samsung Chips

samsung ddr4 sdram

Produk Terkait

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Dapatkan Harga Terbaik

K4B4G1646E-BCNB000 Samsung IC Chips 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Dapatkan Harga Terbaik

K4AAG085WC-BCWE000 SAMSUNG Chips 16GB DDR4 1.2V 2400Mbps 78 bola FBGA

Dapatkan Harga Terbaik

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chip 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Hingga 3200Mbps

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI