logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip IC SAMSUNG
Created with Pixso.

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tối đa 3200Mbps

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tối đa 3200Mbps

Tên thương hiệu: Samsung
Số mô hình: NT5AD512M16C4-JR
MOQ: 100 chiếc
Chi tiết đóng gói: 100
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tên sản phẩm:
SAMSUNG
người mẫu:
NT5AD512M16C4-JR
Tỉ trọng:
8GB
Điện áp:
1.2V
Bưu kiện:
BGA
Tốc độ:
3200Mbps
Nhiệt độ:
0~95°C
Cấp:
Thuộc về thương mại
Khả năng cung cấp:
10000
Làm nổi bật:

NT5AD512M16C4-JR

,

Samsung IC Chips 8Gb

,

DDR4 SDRAM IC chip

Mô tả sản phẩm

Chip IC Samsung NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V lên đến 3200Mbps


Tính năng
Toàn vẹn dữ liệu
- Tự động làm mới tự động (ASR) bằng DRAM tích hợp TS
- Chế độ Tự động làm mới và Tự làm mới
Băng thông truy cập DRAM
- Cấu trúc phân luồng IO riêng biệt theo Nhóm Ngân hàng
- Hủy bỏ Tự làm mới
- Làm mới với độ chi tiết cao
Đồng bộ hóa tín hiệu
- Căn chỉnh ghi qua cài đặt MR1
- Căn chỉnh đọc qua MPR
Độ tin cậy & Xử lý lỗi
- Chẵn lẻ Lệnh/Địa chỉ
- CRC ghi Bus dữ liệu
- Đọc MPR
- Quét biên (X16)
- Sửa chữa sau đóng gói
Toàn vẹn tín hiệu
- Huấn luyện VREFDQ nội bộ
- Huấn luyện tiền tố đọc
- Chế độ Giảm tốc
- Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM
- DS có thể cấu hình cho khả năng tương thích hệ thống
- Kết thúc trên chip có thể cấu hình
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI)
- Hiệu chuẩn ZQ cho độ chính xác trở kháng DS/ODT
qua chân ZQ ngoài (240Ω± 1%)
Tiết kiệm năng lượng & Hiệu quả
- POD với kết thúc VDDQ
- Độ trễ Lệnh/Địa chỉ (CAL)
- Tiết kiệm năng lượng tối đa
- Tự làm mới tự động năng lượng thấp (LPASR)

Toàn vẹn dữ liệu
- Tự động làm mới tự động (ASR) bằng DRAM tích hợp TS
- Chế độ Tự động làm mới và Tự làm mới
Băng thông truy cập DRAM
- Cấu trúc phân luồng IO riêng biệt theo Nhóm Ngân hàng
- Hủy bỏ Tự làm mới
- Làm mới với độ chi tiết cao
Đồng bộ hóa tín hiệu
- Căn chỉnh ghi qua cài đặt MR1
- Căn chỉnh đọc qua MPR
Độ tin cậy & Xử lý lỗi
- Chẵn lẻ Lệnh/Địa chỉ
- CRC ghi Bus dữ liệu
- Đọc MPR
- Quét biên (X16)
- Sửa chữa sau đóng gói
Toàn vẹn tín hiệu
- Huấn luyện VREFDQ nội bộ
- Huấn luyện tiền tố đọc
- Chế độ Giảm tốc
- Khả năng địa chỉ hóa từng DRAM
- DS có thể cấu hình cho khả năng tương thích hệ thống
- Kết thúc trên chip có thể cấu hình
- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI)
- Hiệu chuẩn ZQ cho độ chính xác trở kháng DS/ODT
qua chân ZQ ngoài (240Ω± 1%)
Tiết kiệm năng lượng & Hiệu quả
- POD với kết thúc VDDQ
- Độ trễ Lệnh/Địa chỉ (CAL)
- Tiết kiệm năng lượng tối đa
- Tự làm mới tự động năng lượng thấp (LPASR)


Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa
Mật độ và Địa chỉ hóa

LPASR (Thủ công: Bình thường/Giảm/Mở rộng, Tự động: TS)
Mật độ và Địa chỉ hóa Cấp tốc độ (CL-TRCD-TRP)
2
- 2666 Mbps / 19-19-19
Mật độ và Địa chỉ hóa Phạm vi Nhiệt độ (Tc)5- Cấp thương mại: 0
°C °C
Mật độ và Địa chỉ hóa- 1.2V / 1.2V / 2.5V
Mật độ và Địa chỉ hóaTuân thủ RoHS không chì và không chứa halogen
NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tối đa 3200Mbps
Mật độ và Địa chỉ hóa
NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Tối đa 3200Mbps