logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip IC SAMSUNG
Created with Pixso.

Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Tên thương hiệu: Samsung
Số mô hình: K4B4G1646E-BCNB000
MOQ: 100 chiếc
Chi tiết đóng gói: 100
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tên sản phẩm:
SAMSUNG
người mẫu:
K4B4G1646E-BCNB000
Tỉ trọng:
4 GB
Tốc độ:
2133 Mb/giây
Điện áp:
1,5 V
Nhiệt độ:
0 ~ 85°C
Khả năng cung cấp:
10000
Làm nổi bật:

K4B4G1646E-BCNB000

,

Chip IC Samsung 4Gb

,

96FBGA Chip IC Samsung

Mô tả sản phẩm

Chip Samsung IC K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4Gb E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA không chứa chì và không chứa halogen
(hợp với RoHS)

Các đặc điểm chính
Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V
• Tiêu chuẩn JEDEC 1.5V (~ 1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ= 1,5V ((1,425V ~ 1,575V)
• 400 MHzCKcho 800Mb/s/pin, 533MHz fCKcho 1066Mb/sec/pin,
667MHz fCKcho 1333Mb/s/pin, 800MHz fCKcho 1600Mb/sec/pin,
933MHz fCKcho 1866Mb/s/pin, 1066 MHz fCK cho 2133Mb/s/pin
• 8 ngân hàng
• Tiềm năng CAS có thể lập trình (CAS được đăng): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Lưu ý bổ sung có thể lập trình: 0, CL-2 hoặc CL-1 đồng hồ
• Độ trễ ghi CAS có thể lập trình (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) và
10 (DDR3-2133)
• 8-bit pre-fetch
• Độ dài bùng nổ: 8, 4 với tCCD = 4 không cho phép đọc liền mạch
hoặc viết [hoặc On the fly sử dụng A12 hoặc MRS]
• Bi-directional Differential Data-Strobe
• Chuẩn đoán nội bộ: Chuẩn đoán nội bộ thông qua chân ZQ
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Khi kết thúc chết bằng cách sử dụng chân ODT
• Thời gian làm mới trung bình 7,8us ở nhiệt độ thấp hơn TCác trường hợp85️C, 3,9us tại
85️C < TCác trường hợp< 95️C
• Khởi động lại không đồng bộ
• Gói: 96 quả bóng FBGA - x16
• Tất cả các sản phẩm không có chì đều tuân thủ RoHS
• Tất cả các sản phẩm đều không có Halogen
4Gb DDR3 SDRAM E-die được tổ chức như một 32Mbit x 16 I / O x 8banks,
Thiết bị đồng bộ này đạt được tốc độ cao tỷ lệ dữ liệu hai
Tỷ lệ chuyển dữ liệu lên đến 2133Mb/s/pin (DDR3-2133) cho các ứng dụng chung
Các vấn đề
Chip được thiết kế để tuân thủ các khóa DDR3 SDRAM fea sau:
Các công cụ như CAS được đăng, CWL có thể lập trình, hiệu chuẩn nội bộ (tự)
Trên Die Termination sử dụng ODT pin và Asynchronous Reset.
Tất cả các đầu vào điều khiển và địa chỉ được đồng bộ hóa với một cặp bên ngoài
Các đầu vào được khóa ở điểm giao nhau của các đồng hồ khác nhau
Tất cả I/O được đồng bộ hóa với một
một cặp đèn lồng hai chiều (DQS và DQS) trong một nguồn đồng bộ
Đường bus địa chỉ được sử dụng để truyền dòng, cột và địa chỉ ngân hàng
thông tin trong một phong cách multiplexing RAS / CAS.
với một nguồn điện 1.5V ((1.425V ~ 1.575V) và 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
VDDQ.
Thiết bị DDR3 E-die 4Gb có sẵn trong 96ball FBGA ((x16).

Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

Chip IC Samsung K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V