• 400 MHz fCK 800Mb/sec/pin এর জন্য, 533MHz fCK 1066Mb/sec/pin এর জন্য,
667MHz fCK 1333Mb/sec/pin এর জন্য, 800MHz fCK 1600Mb/sec/pin এর জন্য,
933MHz fCK 1866Mb/sec/pin এর জন্য, 1066 MHz fCK 2133Mb/sec/pin এর জন্য
• 8 ব্যাংক
• প্রোগ্রামযোগ্য CAS ল্যাটেন্সি(পোস্টেড CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• প্রোগ্রামযোগ্য অ্যাডিটিভ ল্যাটেন্সি: 0, CL-2 বা CL-1 ক্লক
• প্রোগ্রামযোগ্য CAS রাইট ল্যাটেন্সি (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) এবং
10 (DDR3-2133)
• 8-বিট প্রি-ফেচ
• বার্স্ট লেন্থ: 8 , 4 tCCD = 4 সহ যা নিরবচ্ছিন্ন রিড
বা রাইট (হয় অন দ্য ফ্লাই A12 বা MRS ব্যবহার করে) অনুমতি দেয় না
• দ্বি-দিকনির্দেশক ডিফারেনশিয়াল ডেটা-স্ট্রব
• অভ্যন্তরীণ (স্বয়ংক্রিয়) ক্যালিব্রেশন: ZQ পিনের মাধ্যমে অভ্যন্তরীণ স্বয়ংক্রিয় ক্যালিব্রেশন
(RZQ : 240 ওহম ± 1%)
• ODT পিন ব্যবহার করে অন ডাই টার্মিনেশন
• গড় রিফ্রেশ পিরিয়ড 7.8us এর কম TCASE85C, 3.9us
85C< TCASE< 95C
• অ্যাসিঙ্ক্রোনাস রিসেট
• প্যাকেজ : 96 বল FBGA - x16
• সমস্ত সীসা-মুক্ত পণ্য RoHS-এর জন্য অনুবর্তী
• সমস্ত পণ্য হ্যালোজেন-মুক্ত
4Gb DDR3 SDRAM E-die 32Mbit x 16 I/Os x 8banks হিসাবে সংগঠিত,
ডিভাইস। এই সিঙ্ক্রোনাস ডিভাইসটি সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) পর্যন্ত উচ্চ গতির ডাবল-ডেটা-রেট
ট্রান্সফার রেট অর্জন করে।
চিপটি নিম্নলিখিত মূল DDR3 SDRAM বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেমন পোস্ট করা CAS, প্রোগ্রামযোগ্য CWL, অভ্যন্তরীণ (স্বয়ংক্রিয়) ক্যালিব্রেশন,
ODT পিনের মাধ্যমে অন ডাই টার্মিনেশন এবং অ্যাসিঙ্ক্রোনাস রিসেট।
সমস্ত নিয়ন্ত্রণ এবং ঠিকানা ইনপুটগুলি বাহ্যিকভাবে সরবরাহ করা ডিফারেনশিয়াল ক্লকের একটি জোড়ার সাথে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়। ইনপুটগুলি ডিফারেনশিয়াল ক্লকের ক্রসপয়েন্টে ল্যাচ করা হয় (CK ক্রমবর্ধমান এবং CK পতনশীল)। সমস্ত I/O একটি জোড়া দ্বি-দিকনির্দেশক স্ট্রব (DQS এবং DQS) এর সাথে একটি উৎস সিঙ্ক্রোনাস ফ্যাশনে সিঙ্ক্রোনাইজ করা হয়।
ঠিকানা বাসটি RAS/CAS মাল্টিপ্লেক্সিং স্টাইলে সারি, কলাম এবং ব্যাংক ঠিকানা
তথ্য বহন করতে ব্যবহৃত হয়। DDR3 ডিভাইসটি একটি একক 1.5V(1.425V~1.575V) পাওয়ার সাপ্লাই এবং 1.5V(1.425V~1.575V)
V
DDQ
.
4Gb DDR3 E-die ডিভাইসটি 96 বল FBGAs(x16) এ উপলব্ধ।