logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقائق سامسونج
Created with Pixso.

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت

اسم العلامة التجارية: Samsung
رقم الموديل: K4B4G1646E-BCNB000
موك: 100 قطعة
تفاصيل التغليف: 100
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
اسم المنتج:
سامسونج
نموذج:
K4B4G1646E-BCNB000
كثافة:
4 غيغابايت
سرعة:
2133 ميجابت في الثانية
الجهد االكهربى:
1.5 فولت
درجة حرارة:
0 ~ 85 درجة مئوية
القدرة على العرض:
10000
إبراز:

K4B4G1646E-BCNB000

,

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت

,

96FBGA رقائق سامسونج IC

وصف المنتج

رقائق سامسونج IC K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V


4 جيجابايت E-die DDR3 SDRAM
x16
96FBGA خالية من الرصاص و خالية من الهالوجين
(متوافق مع RoHS)

الخصائص الرئيسية
رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت
• معيار JEDEC 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ= 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
• 400 ميغاهرتز(سي كيه)لـ 800Mb/sec/pin، 533MHz f(سي كيه)لـ 1066Mb/sec/pin،
667 ميغاهرتز f(سي كيه)لـ 1333Mb/sec/pin، 800MHz f(سي كيه)لـ 1600Mb/sec/pin،
933 ميغاهرتز f(سي كيه)لـ 1866Mb/sec/pin، 1066 MHz fCK لـ 2133Mb/sec/pin
• 8 بنوك
• تأخير (CAS) قابل للبرمجة (CAS) ، 56,7,8,9,10,11,13,14
• تأخير إضافي قابل للبرمجة: 0، CL-2 أو CL-1 ساعة
• تأخير كتابة CAS القابل للبرمجة (CWL) = 5 (DDR3-800) ، 6
(DDR3-1066) ، 7 (DDR3-1333) ، 8 (DDR3-1600) ، 9 (DDR3-1866) و
10 (DDR3-2133)
• تحميل قبل 8 بتات
• طول الانفجار: 8 ، 4 مع tCCD = 4 الذي لا يسمح بقراءة سلسة
أو كتابة [إما على متن الطائرة باستخدام A12 أو MRS]
• شريط بيانات التفاضل الثنائي الاتجاه
• المعايرة الذاتية الداخلية: المعايرة الذاتية الداخلية من خلال دبوس ZQ
(RZQ: 240 ohm ± 1%)
• عند إنهاء المقطورة باستخدام دبوس ODT
• متوسط فترة التجديد 7.8us عند أقل من Tالقضية85‬‬C، 3.9us عند
85‬‬C < Tالقضية< 95‬‬ج
• إعادة ضبط غير متزامنة
• حزمة: 96 كرة FBGA - x16
• جميع المنتجات الخالية من الرصاص متوافقة مع RoHS
• جميع المنتجات خالية من الهالوجين
تم تنظيم 4Gb DDR3 SDRAM E-die كـ 32Mbit x 16 I/O x 8 banks
هذا الجهاز المتزامن يحقق سرعة عالية
معدلات نقل تصل إلى 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) للتطبيقات العامة
المواضيع
تم تصميم الرقاقة لتتوافق مع المفتاح التالي DDR3 SDRAM fea
طرق مثل CAS المنشورة، CWL قابلة للبرمجة، المعايرة الداخلية (الذاتية) ،
على التوقف الميت باستخدام دبوس ODT وإعادة تعيين غير متزامن.
جميع مدخلات التحكم والعنوان متزامنة مع زوج من
ساعات التفاضل المقدمة بشكل عام. يتم إغلاق المدخلات في نقطة التقاطع
الساعات الفيرنسية (CK يرتفع و CK ينخفض).
زوج من أجهزة التقطير الثنائية الاتجاه (DQS و DQS) في فاش متزامن المصدر
يتم استخدام حافلة العناوين لنقل صف، عمود وعنوان البنك
المعلومات في نمط RAS/CAS multiplexing.
مع مصدر طاقة واحد 1.5V ((1.425V ~ 1.575V) و 1.5V ((1.425V ~ 1.575V)
VDDQ.
الجهاز DDR3 E-die 4Gb متوفر في 96ball FBGA ((x16).

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت

رقائق سامسونج IC 4 جيجا بايت E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5 فولت