تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق سامسونج

رقائق سامسونج NT5AD512M16C4-JR ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة DDR4 C-Die بسعة 8 جيجابت بجهد 1.2 فولت تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

رقائق سامسونج NT5AD512M16C4-JR ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة DDR4 C-Die بسعة 8 جيجابت بجهد 1.2 فولت تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية

اسم العلامة التجارية:	Samsung
رقم الموديل:	NT2موسيقى الكترونية
موك:	100 قطعة
تفاصيل التغليف:	100
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

اسم المنتج:

سامسونج

نموذج:

NT2موسيقى الكترونية

كثافة:

8 جيجابايت

الجهد االكهربى:

طَرد:

سرعة:

3200 ميجابت في الثانية

درجة حرارة:

0 ~ 95 درجة مئوية

درجة:

تجاري

القدرة على العرض:

10000

إبراز:

NT2موسيقى الكترونية

رقائق سامسونج بسعة 8 جيجابت

رقائق ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة DDR4

وصف المنتج

رقائق سامسونج NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية

الميزات

سلامة البيانات

- التحديث الذاتي التلقائي (ASR) بواسطة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المدمجة TS

- أوضاع التحديث التلقائي والتحديث الذاتي

عرض نطاق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي

- هياكل توجيه IO منفصلة حسب مجموعات البنوك

- إلغاء التحديث الذاتي

- تحديث دقيق الحبيبات

تزامن الإشارة

- تسوية الكتابة عبر إعدادات MR1

- تسوية القراءة عبر MPR

الموثوقية ومعالجة الأخطاء

- تكافؤ الأوامر / العناوين

- CRC كتابة ناقل البيانات

- قراءة MPR

- فحص الحدود (X16)

- إصلاح الحزمة بعد التلف

سلامة الإشارة

- تدريب VREFDQ الداخلي

- تدريب بادئة القراءة

- وضع خفض التروس

- قابلية العنونة لكل ذاكرة وصول عشوائي ديناميكي

- DS قابل للتكوين لتوافق النظام

- إنهاء داخلي قابل للتكوين

- عكس ناقل البيانات (DBI)

- معايرة ZQ لدقة مقاومة DS / ODT

عبر وسادة ZQ خارجية (240 أوم ± 1%)

توفير الطاقة والكفاءة

- POD مع إنهاء VDDQ

- زمن استجابة الأوامر / العناوين (CAL)

- أقصى توفير للطاقة

- تحديث ذاتي تلقائي منخفض الطاقة (LPASR)

سلامة البيانات

- التحديث الذاتي التلقائي (ASR) بواسطة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المدمجة TS

- أوضاع التحديث التلقائي والتحديث الذاتي

عرض نطاق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي

- هياكل توجيه IO منفصلة حسب مجموعات البنوك

- إلغاء التحديث الذاتي

- تحديث دقيق الحبيبات

تزامن الإشارة

- تسوية الكتابة عبر إعدادات MR1

- تسوية القراءة عبر MPR

الموثوقية ومعالجة الأخطاء

- تكافؤ الأوامر / العناوين

- CRC كتابة ناقل البيانات

- قراءة MPR

- فحص الحدود (X16)

- إصلاح الحزمة بعد التلف

سلامة الإشارة

- تدريب VREFDQ الداخلي

- تدريب بادئة القراءة

- وضع خفض التروس

- قابلية العنونة لكل ذاكرة وصول عشوائي ديناميكي

- DS قابل للتكوين لتوافق النظام

- إنهاء داخلي قابل للتكوين

- عكس ناقل البيانات (DBI)

- معايرة ZQ لدقة مقاومة DS / ODT

عبر وسادة ZQ خارجية (240 أوم ± 1%)

توفير الطاقة والكفاءة

- POD مع إنهاء VDDQ

- زمن استجابة الأوامر / العناوين (CAL)

- أقصى توفير للطاقة

- تحديث ذاتي تلقائي منخفض الطاقة (LPASR)

وظائف قابلة للبرمجة

مقاومة مشغل الإخراج (34/48)

زمن استجابة كتابة CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

زمن استجابة إضافي (0/CL-1/CL-2)

زمن استجابة CS إلى أمر عنوان (3/4/5/6/8)

زمن استجابة تكافؤ أمر العنوان (4/5/6)

وقت استرداد الكتابة (10/12/14/16/18/20/24)

نوع الانفجار (متسلسل / متداخل)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

بادئة القراءة (1T/2T)

بادئة الكتابة (1T/2T)

طول الانفجار (BL8/BC4/BC4 أو 8 أثناء التنقل)

LPASR (يدوي: عادي / مخفض / ممتد ، تلقائي: TS)

خيارات

درجة السرعة (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 ميجابت في الثانية / 19-19-19

- 3200 ميجابت في الثانية / 22-22-22

نطاق درجة الحرارة (Tc) 5 - الدرجة التجارية: 0درجة مئوية

~95VDD/VDDQ/VPP VDD/VDDQ/VPP

معلومات الحزمة

الكثافة والعنونة

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

رقائق سامسونج NT5AD512M16C4-JR ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية متزامنة DDR4 C-Die بسعة 8 جيجابت بجهد 1.2 فولت تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي