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SAMSUNG IC Chips

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1,2 V bis zu 3200Mbps

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NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1,2 V bis zu 3200Mbps

Markenname:	Samsung
Modellnummer:	NT5AD512M16C4-JR
Mindestbestellmenge:	100 Stück
Verpackungsdetails:	100
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Samsung

Modell:

NT5AD512M16C4-JR

Dichte:

Stromspannung:

1,2 V

Paket:

Geschwindigkeit:

3200Mbps

Temperatur:

0~95°C

Grad:

Kommerziell

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

10000

Hervorheben:

NT5AD512M16C4-JR

Samsung IC Chips 8 GB

DDR4-SDRAM-IC-Chips

Produktbeschreibung

Samsung IC-Chips NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1,2V bis zu 3200Mbps

Merkmale

Datenintegrität

- Auto Self Refresh (ASR) durch DRAM-eingebautes TS

- Auto Refresh und Self Refresh Modi

DRAM-Zugriffsbandbreite

- Getrennte IO-Gating-Strukturen nach Bank-Gruppen

- Self Refresh Abort

- Fine Granularity Refresh

Signal-Synchronisation

- Write Leveling über MR-Einstellungen1

- Read Leveling über MPR

Zuverlässigkeit & Fehlerbehandlung

- Befehls-/Adressen-Parität

- Databus Write CRC

- MPR-Auslesung

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Signalintegrität

- Interne VREFDQ-Schulung

- Read Preamble Training

- Gear Down Mode

- Pro DRAM-Adressierbarkeit

- Konfigurierbares DS für Systemkompatibilität

- Konfigurierbare On-Die-Terminierung

- Data Bus Inversion (DBI)

- ZQ-Kalibrierung für DS/ODT-Impedanzgenauigkeit

über externes ZQ-Pad (240 Ω ± 1%)

Stromsparen & Effizienz

- POD mit VDDQ-Terminierung

- Command/Address Latency (CAL)

- Maximale Stromersparnis

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

Datenintegrität

- Auto Self Refresh (ASR) durch DRAM-eingebautes TS

- Auto Refresh und Self Refresh Modi

DRAM-Zugriffsbandbreite

- Getrennte IO-Gating-Strukturen nach Bank-Gruppen

- Self Refresh Abort

- Fine Granularity Refresh

Signal-Synchronisation

- Write Leveling über MR-Einstellungen1

- Read Leveling über MPR

Zuverlässigkeit & Fehlerbehandlung

- Befehls-/Adressen-Parität

- Databus Write CRC

- MPR-Auslesung

- Boundary Scan (X16)

- Post Package Repair

Signalintegrität

- Interne VREFDQ-Schulung

- Read Preamble Training

- Gear Down Mode

- Pro DRAM-Adressierbarkeit

- Konfigurierbares DS für Systemkompatibilität

- Konfigurierbare On-Die-Terminierung

- Data Bus Inversion (DBI)

- ZQ-Kalibrierung für DS/ODT-Impedanzgenauigkeit

über externes ZQ-Pad (240 Ω ± 1%)

Stromsparen & Effizienz

- POD mit VDDQ-Terminierung

- Command/Address Latency (CAL)

- Maximale Stromersparnis

- Low-power Auto Self Refresh (LPASR)

Programmierbare Funktionen

Dichte und AdressierungAusgangstreiberimpedanz (34/48)

Dichte und AdressierungCAS Write Latency (9/10/11/12/14/16/18/20)

Dichte und AdressierungAdditive Latenz (0/CL-1/CL-2)

Dichte und AdressierungCS zu Command Address Latency (3/4/5/6/8)

Dichte und AdressierungCommand Address Parity Latency (4/5/6)

Dichte und AdressierungWrite Recovery Time (10/12/14/16/18/20/24)

Dichte und AdressierungBurst Type (Sequentiell/Interleaved)

Dichte und AdressierungRTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

Dichte und AdressierungRTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

Dichte und AdressierungRTT_WR (80/120/240)

Dichte und AdressierungRead Preamble (1T/2T)

Dichte und AdressierungWrite Preamble (1T/2T)

Dichte und AdressierungBurst Length (BL8/BC4/BC4 oder 8 on the fly)

Dichte und AdressierungLPASR (Manuell: Normal/Reduziert/Erweitert, Auto:TS)

Optionen

Dichte und AdressierungSpeed Grade (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Dichte und AdressierungTemperaturbereich (Tc) 5 - Gewerbliche Klasse : 0

°C °C

Dichte und Adressierung- 1,2V / 1,2V / 2,5V

Dichte und AdressierungBleifreie RoHS-Konformität und Halogenfrei

Dichte und Adressierung

Schlagworte:

samsung memory ic

Samsung-Chips

samsung ddr4 sdram

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