λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

SAMSUNG IC τσιπ

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Μέχρι 3200Mbps

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Μέχρι 3200Mbps

Επωνυμία:	Samsung
Αριθμός μοντέλου:	NT5AD512M16C4-JR
MOQ:	100 τεμ
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	100
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

Όνομα προϊόντος:

Samsung

μοντέλο:

NT5AD512M16C4-JR

Πυκνότητα:

Δυναμικό:

Πακέτο:

Ταχύτητα:

3200Mbps

Θερμοκρασία:

0~95°C

Βαθμός:

Εμπορικός

Δυνατότητα προσφοράς:

10000

Επισημαίνω:

NT5AD512M16C4-JR

Τσιπάκια Samsung IC 8Gb

Τσιπάκια IC DDR4 SDRAM

Περιγραφή προϊόντος

Τσιπ Samsung IC NT5AD512M16C4-JR 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V έως 3200Mbps

Χαρακτηριστικά

Ακεραιότητα Δεδομένων

- Αυτόματη Αυτο-Ανανέωση (ASR) από ενσωματωμένο TS DRAM

- Λειτουργίες Αυτόματης Ανανέωσης και Αυτο-Ανανέωσης

Εύρος Ζώνης Πρόσβασης DRAM

- Διαχωρισμένες δομές πύλης IO ανά Ομάδες Τραπεζών

- Διακοπή Αυτο-Ανανέωσης

- Ανανέωση Λεπτής Κοκκομετρίας

Συγχρονισμός Σήματος

- Εξίσωση Εγγραφής μέσω ρυθμίσεων MR1

- Εξίσωση Ανάγνωσης μέσω MPR

Αξιοπιστία & Διαχείριση Σφαλμάτων

- Ελεγχος Παρουσίασης Εντολών/Διευθύνσεων

- CRC Εγγραφής Διαύλου Δεδομένων

- Ανάγνωση MPR

- Σάρωση Ορίων (X16)

- Επισκευή Μετά τη Συσκευασία

Ακεραιότητα Σήματος

- Εσωτερική Εκπαίδευση VREFDQ

- Εκπαίδευση Προοίμιου Ανάγνωσης

- Λειτουργία Gear Down

- Διευθυνσιοδότηση ανά DRAM

- Ρυθμιζόμενο DS για συμβατότητα συστήματος

- Ρυθμιζόμενη Τερματισμός Εντός Τσιπ

- Αντιστροφή διαύλου δεδομένων (DBI)

- Βαθμονόμηση ZQ για ακρίβεια σύνθετης αντίστασης DS/ODT

μέσω εξωτερικού pin ZQ (240 Ω ± 1%)

Εξοικονόμηση Ενέργειας & Αποδοτικότητα

- POD με τερματισμό VDDQ

- Χρόνος Καθυστέρησης Εντολής/Διεύθυνσης (CAL)

- Μέγιστη Εξοικονόμηση Ενέργειας

- Αυτο-Ανανέωση Χαμηλής Ενέργειας (LPASR)

Ακεραιότητα Δεδομένων

- Αυτόματη Αυτο-Ανανέωση (ASR) από ενσωματωμένο TS DRAM

- Λειτουργίες Αυτόματης Ανανέωσης και Αυτο-Ανανέωσης

Εύρος Ζώνης Πρόσβασης DRAM

- Διαχωρισμένες δομές πύλης IO ανά Ομάδες Τραπεζών

- Διακοπή Αυτο-Ανανέωσης

- Ανανέωση Λεπτής Κοκκομετρίας

Συγχρονισμός Σήματος

- Εξίσωση Εγγραφής μέσω ρυθμίσεων MR1

- Εξίσωση Ανάγνωσης μέσω MPR

Αξιοπιστία & Διαχείριση Σφαλμάτων

- Ελεγχος Παρουσίασης Εντολών/Διευθύνσεων

- CRC Εγγραφής Διαύλου Δεδομένων

- Ανάγνωση MPR

- Σάρωση Ορίων (X16)

- Επισκευή Μετά τη Συσκευασία

Ακεραιότητα Σήματος

- Εσωτερική Εκπαίδευση VREFDQ

- Εκπαίδευση Προοίμιου Ανάγνωσης

- Λειτουργία Gear Down

- Διευθυνσιοδότηση ανά DRAM

- Ρυθμιζόμενο DS για συμβατότητα συστήματος

- Ρυθμιζόμενη Τερματισμός Εντός Τσιπ

- Αντιστροφή διαύλου δεδομένων (DBI)

- Βαθμονόμηση ZQ για ακρίβεια σύνθετης αντίστασης DS/ODT

μέσω εξωτερικού pin ZQ (240 Ω ± 1%)

Εξοικονόμηση Ενέργειας & Αποδοτικότητα

- POD με τερματισμό VDDQ

- Χρόνος Καθυστέρησης Εντολής/Διεύθυνσης (CAL)

- Μέγιστη Εξοικονόμηση Ενέργειας

- Αυτο-Ανανέωση Χαμηλής Ενέργειας (LPASR)

Προγραμματιζόμενες Λειτουργίες

Σύνθετη Αντίσταση Οδηγού Εξόδου (34/48)

Χρόνος Καθυστέρησης Εγγραφής CAS (9/10/11/12/14/16/18/20)

Πρόσθετος Χρόνος Καθυστέρησης (0/CL-1/CL-2)

Χρόνος Καθυστέρησης Εντολής προς Διεύθυνση CS (3/4/5/6/8)

Χρόνος Καθυστέρησης Παρουσίασης Εντολής/Διεύθυνσης (4/5/6)

Χρόνος Ανάκτησης Εγγραφής (10/12/14/16/18/20/24)

Τύπος Έκρηξης (Διαδοχικός/Εναλλασσόμενος)

RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)

RTT_WR (80/120/240)

Προοίμιο Εγγραφής (1T/2T)

Μήκος Έκρηξης (BL8/BC4/BC4 ή 8 κατά την πτήση)

LPASR (Χειροκίνητο: Κανονικό/Μειωμένο/Εκτεταμένο, Αυτόματο: TS)

Επιλογές

Βαθμός Ταχύτητας (CL-TRCD-TRP) 2

- 2666 Mbps / 19-19-19

- 3200 Mbps / 22-22-22

Εύρος Θερμοκρασίας (Tc) 5

- Εμπορική Βαθμίδα : 0°C~95°C

VDD/VDDQ/VPP

- 1.2V / 1.2V / 2.5V

Πληροφορίες Συσκευασίας

Συμμόρφωση RoHS χωρίς μόλυβδο και χωρίς αλογόνα

Πυκνότητα και Διευθυνσιοδότηση

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

NT5AD512M16C4-JR Samsung IC Chips 8Gb C-Die DDR4 SDRAM 1.2V Μέχρι 3200Mbps

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI