λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

SAMSUNG IC τσιπ

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Επωνυμία:	Samsung
Αριθμός μοντέλου:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100 τεμ
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	100
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

Όνομα προϊόντος:

Samsung

μοντέλο:

K4A4G165WF-BCTD000

Πυκνότητα:

Ταχύτητα:

2666 Mbps

Δυναμικό:

1,2 V

Θερμοκρασία:

0 ~ 85 °C

Πακέτο:

96FBGA

Δυνατότητα προσφοράς:

10000

Επισημαίνω:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Περιγραφή προϊόντος

Τσιπ K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V της Samsung

4Gb F-die DDR4 SDRAM

μόνο x16

96FBGA χωρίς μόλυβδο & χωρίς αλογόνα

(Συμβατό με RoHS)

ΒΑΣΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

• Πρότυπο JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V. = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK για 1600Mb/sec/pin, 933 MHz fCK για 1866Mb/sec/pin,

1067MHz fCK για 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK για 2400Mb/sec/pin,

1333MHz fCK για 2666Mb/sec/pin, 1600MHz fCK για 3200Mb/sec/pin

• 8 Τράπεζες (2 Ομάδες Τραπεζών)

• Προγραμματιζόμενη Καθυστέρηση CAS (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Προγραμματιζόμενη Καθυστέρηση Εγγραφής CAS (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) και 16,20 (DDR4-3200)

• Προ-λήψη 8-bit

• Μήκος Έκρηξης: 8, 4 με tCCD = 4 που δεν επιτρέπει απρόσκοπτη ανάγνωση

ή εγγραφή [είτε εν κινήσει χρησιμοποιώντας A12 είτε MRS]

• Αμφίδρομο Διαφορικό Data-Strobe

• Εσωτερική (αυτόματη) βαθμονόμηση: Εσωτερική αυτόματη βαθμονόμηση μέσω της ακίδας ZQ

(RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Εσωτερική τερμάτιση (On Die Termination) χρησιμοποιώντας την ακίδα ODT

• Μέση Περίοδος Ανανέωσης 7.8us σε χαμηλότερη από TCASE 85C, 3.9us σε

85C < TCASE < 95 C

• Ασύγχρονη Επαναφορά

• Συσκευασία: 96 μπάλες FBGA - x16

• Όλα τα προϊόντα χωρίς μόλυβδο είναι συμβατά με RoHS

• Όλα τα προϊόντα είναι χωρίς αλογόνα

• CRC (Cyclic Redundancy Check) για ασφάλεια δεδομένων ανάγνωσης/εγγραφής

• Έλεγχος ισοτιμίας διεύθυνσης εντολής

• DBI (Data Bus Inversion)

• Λειτουργία Gear down

• Διεπαφή POD (Pseudo Open Drain) για είσοδο/έξοδο δεδομένων

• Εσωτερικό VREF για εισόδους δεδομένων

• Εξωτερικό VPP για ισχύ ενεργοποίησης DRAM

• Υποστηρίζεται hPPR

Το F-die DDR4 SDRAM 4Gb είναι οργανωμένο ως συσκευή 32Mbit x 16 I/Os x 8 τραπεζών

Αυτή η σύγχρονη συσκευή επιτυγχάνει υψηλές ταχύτητες μεταφοράς διπλής-δεδομένων

έως 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) για γενικές εφαρμογές.

Το τσιπ έχει σχεδιαστεί για να συμμορφώνεται με τα ακόλουθα βασικά χαρακτηριστικά DDR4 SDRAM

όπως posted CAS, Προγραμματιζόμενο CWL, Εσωτερική (Αυτόματη) Βαθμονόμηση,

Εσωτερική τερμάτιση (On Die Termination) χρησιμοποιώντας την ακίδα ODT και Ασύγχρονη Επαναφορά.

Όλες οι είσοδοι ελέγχου και διεύθυνσης συγχρονίζονται με ένα ζεύγος εξωτερικών

διαφορικών ρολογιών. Οι είσοδοι καταγράφονται στο σημείο διασταύρωσης των διαφορικών

ρολογιών (άνοδος CK και πτώση CK). Όλα τα I/Os συγχρονίζονται με ένα

ζεύγος αμφίδρομων δεικτών (DQS και DQS) σε μια πηγαία σύγχρονη μορφή.

Η δίαυλος διευθύνσεων χρησιμοποιείται για τη μεταφορά πληροφοριών σειράς, στήλης και τράπεζας

σε στυλ πολλαπλεξίας RAS/CAS. Η συσκευή DDR4 λειτουργεί

με μία μόνο τροφοδοσία 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ και 2.5V (2.375V~2.75V) V

PP. Η συσκευή F-die DDR4 4Gb είναι διαθέσιμη σε 96 μπάλες FBGAs(x16).

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

K4A4G165WF-BCTD000 Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI